一种产生高密度等离子体的内置型等离子源及其等离子体辅助沉积方法技术

本发明专利技术涉及等离子制备技术领域，尤其为一种产生高密度等离子体的内置型等离子源及其等离子体辅助沉积方法，所述控制电源的输出端信号连接有运输设备，所述运输设备的出口固定连接有延长料道，所述长料道的末端固定连接有缓冲区，所述沉积设备的出口固定连接有反应腔室，所述反应腔室的内部固定连接有测温模块，所述反应腔室的输出端固定连接有相序保护单元，所述反应腔室的端固定连接有熔断保护模块。本发明专利技术通过测量模块对原料层进行甄别区分处理，运输设备将原料运输到沉积设备，再通过沉积设备将原料运送到反应腔室进行制备，从而达到了在控制温度恒定以提高所述金属层接触电阻的均匀性的前提下，实现了生产效率的提高的效果。的效果。的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种产生高密度等离子体的内置型等离子源及其等离子体辅助沉积方法


[0001]本专利技术涉及等离子制备
，具体为一种产生高密度等离子体的内置型等离子源及其等离子体辅助沉积方法。

技术介绍

[0002]等离子体化学沉积是一种用等离子体激活反应气体,促进在基体表面或近表面空间进行化学反应，生成固态膜的技术，等离子体化学气相沉积技术的基本原理是在高频或直流电场作用下，源气体电离形成等离子体，利用低温等离子体作为能量源，通入适量的反应气体，利用等离子体放电，使反应气体激活并实现化学气相沉积的技术；现有的离子体辅助沉积设备在使用的过程中，大多为通过调节各反应室的设定条件以控制其内温度恒定，则其降温的原理与传统工艺中并无不同，换言之，现有的技术方案仍无法实现在控制温度恒定以提高所述金属层接触电阻的均匀性的前提下，提高生产效率。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于针对现有技术的不足之处，提供一种产生高密度等离子体的内置型等离子源及其等离子体辅助沉积方法，以解决
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种产生高密度等离子体的内置型等离子源，包括原料层，所述原料层的内部包括有分料层，所述原料层的内部包括有反应层，所述分料层与反应层的出口固定连接有测量模块，所述测量模块的输出端信号连接有控制电源，所述控制电源的输出端信号连接有运输设备，所述运输设备的出口固定连接有延长料道，所述长料道的末端固定连接有缓冲区，所述缓冲区的末端固定连接有单向供应单元，所述运输设备的出口固定连接有基底，所述基底的出口固定连接有沉积设备，所述沉积设备的出口固定连接有反应腔室，所述反应腔室的内部固定连接有测温模块，所述反应腔室的输出端固定连接有相序保护单元，所述反应腔室的端固定连接有熔断保护模块，所述反应腔室的出口固定连接有制备设施，所述制备设施的出口固定连接有沉积皿，所述沉积皿的出口固定连接有出料设备。
[0005]作为本专利技术的一种优选技术方案，所述分料层与反应层的厚度等于原料层的总和，同时已经沉积的分料层与反应层的体积小于总原料层的体积，最大限度加强了对整体系统的控制能力，保证了整体系统的实用性。
[0006]作为本专利技术的一种优选技术方案，所述运输设备中需要进行二次处理的原料通过延长料道进入缓冲区，经过单向供应单元处理后运输到沉积设备，不需要进行二次处理的原料直接经由基底运输到沉积设备，有效的加强了对各个模块在运行工作时的稳定性，同时加强了对整体系统运行的支撑力度。
[0007]作为本专利技术的一种优选技术方案，所述单向供应单元的输入端连接在缓冲区的输
出端，单向供应单元的输出端连接在沉积设备的输入端，更好的加强了整体系统运行时的灵活性，提高了使用感受。
[0008]作为本专利技术的一种优选技术方案，所述反应腔室的输出端有两处，分别连接在相序保护单元的输入端与熔断保护模块的输入端，有效的加强了整体系统的使用效果，增加了使用的便捷性。
[0009]作为本专利技术的一种优选技术方案，所述制备设施的输入端有两处，分别连接在相序保护单元的输出端与熔断保护模块的输出端，更好的保护了整体系统的使用不受影响，加强了对整体系统操纵的实际性。
[0010]作为本专利技术的一种优选技术方案，所述控制电源的输入端连接在测量模块的输出端，控制电源的输出端连接在运输设备的输入端，更好的加强了整体系统各个部件之间的平衡性，有效的增强了整体系统的使用灵活性。
[0011]作为本专利技术的一种优选技术方案，所述沉积设备的输入端连接在基底的输出端，沉积设备的输出端连接在单向供应单元的输入端，更有力的增强了整体系统的可操作性，保证了在使用过程的牢固与稳定性能。
[0012]作为本专利技术的一种优选技术方案，所述测量模块的输入端分别对应连接在分料层与反应层的出口，且分料层与反应层均位于原料层的内部，最大程度的增加了工作人员对于整体系统的控制性，提高了整体系统使用的体验感，降低了工作人员的操座难度。
[0013]一种产生高密度等离子体的内置型等离子源的等离子体辅助沉积方法，具体如下：S1、在使用时，首选需要工作人员将需要制备的原料投放进入原料层，经由分料层与反应层对原料做出初步的甄别与区分处理，随后通过测量模块根据原料的类别与数量的不同进行测量；S2、当经过测量模块对原料的类别与数量的不同进行测量之后，随后由工作人员手动将电源进行连接，并且启动控制电源，将已经甄别并处理完成的原料移送到运输设备，由运输设备对原料进行处理和运输，并送往沉积设备进行下一步处理；S3、运输设备根据原料的情况与实际情况进行区分，将需要进行二次处理的原料通过延长料道送进缓冲区，经过单向供应单元处理后运输到沉积设备，不需要进行二次处理的原料则由运输设备处理后直接经由基底运输到沉积设备；S4、沉积设备启动后，将原料进行沉淀后运送往反应腔室进行处理，此时安装在反应腔室内部的测温模块对由沉积设备运送来的原料进行温度测试，如果温度不符合标准的话则暂时停止对下一步程序的运输，如果温度符合标准的话则正常进行下一步的处理；S5、由于反应腔室的输出端同时连接有相序保护单元与熔断保护模块，从而保证原料在进行下一步处理前温度与各项指标均已达标，如果被检测到不达标则通过熔断保护模块对电源进行切断，从而暂停下一步处理的流程，避免出现残次品；S6、通过反应腔室正常将原料运输到制备设施，经过制备设施处理完成后，运输投放到沉积皿进行静置，同时借助沉积皿内部安装的冷却模块对原料进行最后的处理，随后将沉积皿内部的原料通过出料设备运输出去，再由工作人员进行收纳即可。
[0014]本专利技术具备以下有益效果：1、该产生高密度等离子体的内置型等离子源及其等离子体辅助沉积方法，通过测
量模块对原料层进行甄别区分处理，运输设备将原料运输到沉积设备，再通过沉积设备将原料运送到反应腔室进行制备，从而达到了在控制温度恒定以提高所述金属层接触电阻的均匀性的前提下，实现了生产效率的提高的效果；2、该产生高密度等离子体的内置型等离子源及其等离子体辅助沉积方法，通过运输设备对原料进行分流，缓冲区将原料送到单项功能单元进行处理，再通过单向供应单元与基底分别将原料运送到沉积设备，从而达到了灵活控制整体系统，加强了整体系统的实用性能的效果。
附图说明
[0015]图1为本专利技术整体系统运行过程直视示意图。
[0016]图中：原料层；分料层；反应层；测量模块；控制电源；运输设备；延长料道；缓冲区；单向供应单元；基底；沉积设备；反应腔室；测温模块；相序保护单元；熔断保护模块；制备设施；沉积皿；冷却模块；出料设备。
具体实施方式
[0017]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0018]请参阅图1，本实施方案中：一种产生高密度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种产生高密度等离子体的内置型等离子源，包括原料层，其特征在于：所述原料层的内部包括有分料层，所述原料层的内部包括有反应层，所述分料层与反应层的出口固定连接有测量模块，所述测量模块的输出端信号连接有控制电源，所述控制电源的输出端信号连接有运输设备，所述运输设备的出口固定连接有延长料道，所述长料道的末端固定连接有缓冲区，所述缓冲区的末端固定连接有单向供应单元，所述运输设备的出口固定连接有基底，所述基底的出口固定连接有沉积设备，所述沉积设备的出口固定连接有反应腔室，所述反应腔室的内部固定连接有测温模块，所述反应腔室的输出端固定连接有相序保护单元，所述反应腔室的端固定连接有熔断保护模块，所述反应腔室的出口固定连接有制备设施，所述制备设施的出口固定连接有沉积皿，所述沉积皿的出口固定连接有出料设备。2.根据权利要求1所述的一种产生高密度等离子体的内置型等离子源，其特征在于：所述分料层与反应层的厚度等于原料层的总和，同时已经沉积的分料层与反应层的体积小于总原料层的体积。3.根据权利要求1所述的一种产生高密度等离子体的内置型等离子源，其特征在于：所述运输设备中需要进行二次处理的原料通过延长料道进入缓冲区，经过单向供应单元处理后运输到沉积设备，不需要进行二次处理的原料直接经由基底运输到沉积设备。4.根据权利要求1所述的一种产生高密度等离子体的内置型等离子源，其特征在于：所述单向供应单元的输入端连接在缓冲区的输出端，单向供应单元的输出端连接在沉积设备的输入端。5.根据权利要求1所述的一种产生高密度等离子体的内置型等离子源，其特征在于：所述反应腔室的输出端有两处，分别连接在相序保护单元的输入端与熔断保护模块的输入端。6.根据权利要求1所述的一种产生高密度等离子体的内置型等离子源，其特征在于：所述制备设施的输入端有两处，分别连接在相序保护单元的输出端与熔断保护模块的输出端。7.根据权利要求1所述的一种产生高密度等离子体的内置型等离子源，其特征在于：所述控制电源的输入端连接在测量模块的输出端，控制电源的输出端...

【专利技术属性】
技术研发人员：王猛，王大勇，胡世雄，何心，王彦程，王柏竣，袁烨，
申请(专利权)人：湖南哈工聚能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：