数据存储方法及装置制造方法及图纸

本说明书实施例提供数据存储方法及装置，其中所述数据存储方法包括：将接收的待存储目标数据通过预设处理方式进行数据存储；在确定所述数据存储的过程中发生异常掉电的情况下，基于预先配置的电容量在所述数据存储的过程中确定待缓存目标数据，并记录所述待缓存目标数据的掉电位置；基于预设存储方式将所述待缓存目标数据以及所述掉电位置存储至缓存池，不仅能够防止掉电情况产生的数据丢失，还能便于后续从缓存池中获取待缓存目标数据以及掉电位置继续进行数据存储，以实现实际应用的需求。求。求。

【技术实现步骤摘要】
数据存储方法及装置


[0001]本说明书实施例涉及计算机
，特别涉及一种数据存储方法。

技术介绍

[0002]随着各种闪存技术的发展，基于各自的结构以其高容量特点成为未来应用与研究的热点。例如，QLC NAND是指每存储单元可存储4bit数据的NAND闪存，3D设计是指在硅片垂直方向上实现三维堆叠多层的芯片设计。固定硬盘采用QLC颗粒会显著降低成本。
[0003]但是，由于存储的复杂性，一旦服务器发生掉电情况，目前无法对还未存储到存储单元的数据进行处理，可能导致数据丢失情况的出现，影响实际应用需求的实现。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本说明书施例提供了一种数据存储方法。本说明书一个或者多个实施例同时涉及一种数据存储装置，一种计算设备，一种计算机可读存储介质，一种计算机程序以解决现有技术中存在的技术缺陷。
[0005]根据本说明书实施例的第一方面，提供了一种数据存储方法，包括：
[0006]将接收的待存储目标数据通过预设处理方式进行数据存储；
[0007]在确定所述数据存储的过程中发生异常掉电的情况下，基于预先配置的电容量在所述数据存储的过程中确定待缓存目标数据，并记录所述待缓存目标数据的掉电位置；
[0008]基于预设存储方式将所述待缓存目标数据以及所述掉电位置存储至缓存池。
[0009]根据本说明书实施例的第二方面，提供了一种数据存储装置，包括：
[0010]数据存储模块，被配置为将接收的待存储目标数据通过预设处理方式进行数据存储；
[0011]掉电处理模块，被配置为在确定所述数据存储的过程中发生异常掉电的情况下，基于预先配置的电容量在所述数据存储的过程中确定待缓存目标数据，并记录所述待缓存目标数据的掉电位置；
[0012]数据缓存模块，被配置为基于预设存储方式将所述待缓存目标数据以及所述掉电位置存储至缓存池。
[0013]根据本说明书实施例的第三方面，提供了一种计算设备，包括：
[0014]存储器和处理器；
[0015]所述存储器用于存储计算机可执行指令，所述处理器用于执行所述计算机可执行指令，其中，所述处理器执行所述计算机可执行指令时实现所述数据存储方法的步骤。
[0016]根据本说明书实施例的第四方面，提供了一种计算机可读存储介质，其存储有计算机可执行指令，该指令被处理器执行时实现所述数据存储方法的步骤。
[0017]根据本说明书实施例的第五方面，提供了一种计算机程序，其中，当所述计算机程序在计算机中执行时，令计算机执行上述数据存储方法的步骤。
[0018]本说明书一个实施例通过将接收的待存储目标数据通过预设处理方式进行数据
存储；在确定所述数据存储的过程中发生异常掉电的情况下，基于预先配置的电容量在所述数据存储的过程中确定待缓存目标数据，并记录所述待缓存目标数据的掉电位置；基于预设存储方式将所述待缓存目标数据以及所述掉电位置存储至缓存池。
[0019]具体的，在数据存储的过程中发生异常掉电的情况，通过预先配置的电容量，支撑对待缓存目标数据的缓存处理，同时记录待缓存目标数据的掉电位置，以便于后续根据掉电位置对待缓存目标数据继续进行存储的处理过程，不仅能够防止掉电情况产生的数据丢失，还能便于后续从缓存池中获取待缓存目标数据以及掉电位置继续进行数据存储，以实现实际应用的需求。
附图说明
[0020]图1是本说明书一个实施例提供的一种数据存储方法的流程图；
[0021]图2是本说明书一个实施例提供的一种数据存储方法应用于QLC数据存储系统的双次写特性逻辑处理示意图；
[0022]图3是本说明书一个实施例提供的一种数据存储方法中非对齐数据池中的数据转移到WBG层处理的流程图；
[0023]图4是本说明书一个实施例提供的一种数据存储方法中数据智能拆分堆积的流程示意图；
[0024]图5是本说明书一个实施例提供的一种数据存储方法的处理过程示意图；
[0025]图6是本说明书一个实施例提供的一种数据存储装置的结构示意图；
[0026]图7是本说明书一个实施例提供的一种计算设备的结构框图。
具体实施方式
[0027]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本说明书。但是本说明书能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本说明书内涵的情况下做类似推广，因此本说明书不受下面公开的具体实施的限制。
[0028]在本说明书一个或多个实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本说明书一个或多个实施例。在本说明书一个或多个实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本说明书一个或多个实施例中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
[0029]应当理解，尽管在本说明书一个或多个实施例中可能采用术语第一、第二等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本说明书一个或多个实施例范围的情况下，第一也可以被称为第二，类似地，第二也可以被称为第一。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在
……
时”或“当
……
时”或“响应于确定”。
[0030]首先，对本说明书一个或多个实施例涉及的名词术语进行解释。
[0031]QLC(Quad
‑
level cells)：四层单元，QLC每个单元可储存4bit数据。
[0032]NAND(计算机闪存设备)：NAND闪存是一种类比于硬盘驱动器的存储设备。
[0033]QLC NAND：一种断电信息不丢失介质，单个cell可以存储四个状态。
[0034]双次写：NAND中物理page的编程算法，每个WL需要交叠写两次才能完成正常颗粒编程。
[0035]WL：word line，是NAND cell中数据管理的一种切分维度，从固件来看QLC下一个WL包含4个page的数据量。
[0036]BAND：固态盘内切分物理块的管理力度，一般相同块号的一排物理块会作为一个整理来管理。
[0037]WBG：写数据管理单位，后端所有die的相同block号下的相同WL号组成一个管理单位。
[0038]固态硬盘：一种使用新型存储介质的硬盘，有别于传统的机械硬盘靠电机寻道读写数据。
[0039]QLC NAND技术是一种断电信息不丢失的介质，由于其成本优势和颗粒密度优势，同时各大主流厂商也在推出各系列的QLC的NAND，同时采用QLC NAND的SSD对于降低整盘成本，进而进一步降低服务器存储成本起到关键作用。同时基于QLC NAND的特殊的编程模式，低带宽，单颗封装容量变大等一系列问题引出固件设计上的新方法。本说明书实施例通过对N本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种数据存储方法，包括：将接收的待存储目标数据通过预设处理方式进行数据存储；在确定所述数据存储的过程中发生异常掉电的情况下，基于预先配置的电容量在所述数据存储的过程中确定待缓存目标数据，并记录所述待缓存目标数据的掉电位置；基于预设存储方式将所述待缓存目标数据以及所述掉电位置存储至缓存池。2.根据权利要求1所述的数据存储方法，所述基于预设存储方式将所述待缓存目标数据以及所述掉电位置存储至缓存池之后，还包括：在确定所述数据存储的过程中恢复掉电的情况下，从所述缓存池中读取所述待缓存目标数据以及所述掉电位置；基于所述掉电位置对所述待缓存目标数据通过预设处理方式进行数据存储。3.根据权利要求1或2所述的数据存储方法，所述将接收的待存储目标数据通过预设存储方式进行数据存储，包括：对接收的待存储目标数据进行数据拆分，并对拆分后的目标数据进行处理，获得目标对齐数据；基于预设处理方式对所述目标对齐数据进行数据堆积处理，获得目标存储数据，并将所述目标存储数据存储至存储单元。4.根据权利要求3所述的数据存储方法，所述对接收的待存储目标数据进行数据拆分，并对拆分后的目标数据进行处理，获得目标对齐数据，包括：对接收的待存储目标数据进行数据拆分，获得第一对齐数据以及非对齐数据，并基于预设数据对齐方式对所述非对齐数据进行合并处理，获得第二对齐数据；基于所述第一对齐数据以及所述第二对齐数据确定目标对齐数据。5.根据权利要求4所述的数据存储方法，所述基于预设数据对齐方式对所述非对齐数据进行合并处理，获得第二对齐数据，包括：将所述非对齐数据发送至非对齐数据池中，确定所述非对齐数据在所述非对齐数据池中存储的数据块地址；将存储在同一数据块地址中的非对齐数据进行合并，并将合并后的非对齐数据作为第二对齐数据。6.根据权利要求5所述的数据存储方法，所述基于所述第一对齐数据以及所述第二对齐数据确定目标对齐数据，包括：将所述第一对齐数据以及所述第二对齐数据发送至对齐数据池，并将所述对齐数据池中的所述第一对齐数据以及所述第二对齐数据确定为目...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳卫林，
申请(专利权)人：阿里巴巴中国有限公司，
类型：发明
国别省市：