显示设备和制造其的方法技术

本发明专利技术提供了显示设备和制造其的方法。显示设备包括第一基板，所述第一基板包括聚合物树脂；保护层，所述保护层在第一基板上，保护层包括选自SiOCH、SiOC、SiOF、芳族胺、四氟硼酸重氮盐和芳族重氮化合物中的至少一种；和缓冲层，所述缓冲层在保护层上，缓冲层包括与保护层中包括的材料不同的材料。层中包括的材料不同的材料。层中包括的材料不同的材料。

【技术实现步骤摘要】
显示设备和制造其的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并且要求于2020年11月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
‑
2020
‑
0150996号的优先权，其公开通过引用以其整体并入本文。


[0003]本公开涉及显示设备和制造显示设备的方法，并且更具体地，涉及具有提高的可靠性的显示设备和制造显示设备的方法。

技术介绍

[0004]显示设备已经用于各种目的。另外，因为已经减少了显示设备的厚度和重量，所以已经增加了显示设备的利用范围。如上的显示设备当中，已经强调了作为便携式的并且形成为薄的平板型的柔性显示设备。这种上面的柔性显示设备通常具有轻的重量并且强力抵抗冲击，并且具有优异的便携性，因为其可以折叠或卷曲状态保存。

技术实现思路

[0005]然而，在根据相关领域的显示设备中，使用包括聚合物树脂的基板，在聚合物树脂中发生偏振并且可见到余像。
[0006]本公开的一个或多个实施方式通过在包括聚合物树脂的基板和隔离层之间布置保护层而提供了具有提高的可靠性同时防止或减少可见的余像的显示设备，以及制造显示设备的方法。然而，上面的技术特征为示例，并且本公开的范围不限于此。
[0007]另外的方面将部分在如下的描述中陈述，并且部分将从描述中是显而易见的，或可通过本公开的实施方式的实践而了解到。
[0008]根据实施方式，显示设备包括第一基板，所述第一基板包括聚合物树脂；保护层，所述保护层设置在第一基板上，保护层包括选自SiOCH、SiOC、SiOF、芳族胺、四氟硼酸重氮盐和芳族重氮化合物中的至少一种；和缓冲层，所述缓冲层设置在保护层上，缓冲层包括与保护层中包括的材料不同的材料。
[0009]保护层可直接在第一基板上并且可直接接触第一基板。
[0010]保护层中的Si
‑
CH3键的比例可为10％或更高。
[0011]保护层的密度可小于2g/cm3。
[0012]保护层的粗糙度可为4.4nm或更小。
[0013]可通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法来沉积保护层。
[0014]可通过使用60W至100W的射频(RF)功率来沉积保护层。
[0015]显示设备可进一步包括第一隔离层，其中第一隔离可设置在保护层和缓冲层之间。
[0016]第一隔离层可包括与保护层中包括的材料不同的材料。
[0017]显示设备可进一步包括第二基板，所述第二基板设置在第一基板下面；和第二隔
离层，所述第二隔离层设置在第一基板和第二基板之间。
[0018]显示设备可进一步包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在缓冲层上；和有机发光二极管，所述有机发光二极管电连接至薄膜晶体管。
[0019]有机发光二极管可包括像素电极、相对电极以及设置在像素电极和相对电极之间的发射层。
[0020]根据另一实施方式，制造显示设备的方法包括制备包括聚合物树脂的第一基板；在第一基板上形成保护层，保护层包括选自SiOCH、SiOC、SiOF、芳族胺、四氟硼酸重氮盐和芳族重氮化合物中的至少一种；和在保护层上形成缓冲层，缓冲层包括与保护层中包括的材料不同的材料。
[0021]在第一基板上形成保护层时，保护层可直接在第一基板上形成并且可直接接触第一基板。
[0022]在第一基板上形成保护层时，可通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在第一基板上形成保护层。
[0023]可通过使用60W至100W的射频(RF)功率来形成保护层。
[0024]保护层中的Si
‑
CH3键的比例可为10％或更高。
[0025]保护层的密度可小于2g/cm3。
[0026]保护层的粗糙度可为4.4nm或更小。
[0027]方法可进一步包括，在保护层上形成缓冲层之前，在保护层上形成第一隔离层，其中第一隔离层包括与保护层中包括的材料不同的材料。
[0028]通过所附附图、权利要求和详细描述将更好地理解本公开的其他方面、特征和优点。
附图说明
[0029]结合所附附图，本公开的某些实施方式的上面的以及其他的方面、特征和优点将从下述描述中更显而易见，其中：
[0030]图1为根据实施方式的显示设备的透视图；
[0031]图2为根据实施方式的显示设备的平面图；
[0032]图3和图4为根据实施方式的显示设备中包括的像素的等效电路图；
[0033]图5为沿着图1中显示的线I
‑
I
’
截取的根据实施方式的显示设备的横截面图；
[0034]图6为沿着图1中显示的线I
‑
I
’
截取的根据实施方式的显示设备的横截面图；
[0035]图7为沿着图1中显示的线I
‑
I
’
截取的根据实施方式的显示设备的横截面图；并且
[0036]图8、图9、图10和图11为用于描述根据实施方式的制造显示设备的方法的横截面图。
具体实施方式
[0037]现将详细地参考其示例阐释在所附附图中的实施方式，其中相同的附图标记通篇指相同的元件。就此而言，本实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于本文陈述的描述。相应地，下面只是通过参考图来描述实施方式，以解释本描述的方面。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。遍及本公开，表述“a、b和c
中的至少一个”指示仅仅a、仅仅b、仅仅c、a和b二者、a和c二者、b和c二者、所有的a、b和c，或其变形。
[0038]因为本公开允许各种改变和许多实施方式，所以将在附图中阐释并且在书面描述中详细描述特定的实施方式。参考用于阐释一个或多个实施方式的所附附图，以便获得充分的理解、其优点以及通过实施而实现的目的。然而，实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于本文陈述的描述。
[0039]尽管术语比如“第一”、“第二”等可用于描述各种组件，但是这些组件不限于上面的术语。上面的术语仅仅用于与将一个组件与另一组件区分开。
[0040]单数使用的表述囊括复数的表述，除非其在上下文中具有明显不同的含义。
[0041]在本说明书中，应当理解，术语“包括”、“具有”和“包含”旨在指示存在说明书中公开的特征、数量、步骤、动作、组件、部分或其组合，并且不旨在排除可存在或可添加一个或多个其他特征、数量、步骤、动作、组件、部分或其组合的可能性。
[0042]将理解，当层、区域或组件被称为“在”另一层、区域或组件“上形成”时，其可直接或间接在另一层、区域或组件上形成。即，例如，可存在居间层、区域或组件。
[0043]为了方便解释，可放大附图中的组件的尺寸。话句话说，因为为了方便解释而随意阐释了附图中的组件的尺寸和厚度，所以下述实施方式不限于此。
[0044]在说本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示设备，所述显示设备包括：第一基板，所述第一基板包括聚合物树脂；保护层，所述保护层设置在所述第一基板上，所述保护层包括选自SiOCH、SiOC、SiOF、芳族胺、四氟硼酸重氮盐和芳族重氮化合物中的至少一种；和缓冲层，所述缓冲层设置在所述保护层上，所述缓冲层包括与所述保护层中包括的材料不同的材料。2.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述保护层直接在所述第一基板上并且直接接触所述第一基板。3.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述保护层包括SiOCH并且所述保护层中的Si
‑
CH3键的比例为10％或更高。4.根据权利要求3所述的显示设备，其中所述保护层的密度小于2g/cm3。5.根据权利要求3所述的显示设备，其中所述保护层的粗糙度为4.4nm或更小。6.根据权利要求1所述的显示设备，其中通过等离子体增强化学气相沉积方法来沉积所述保护层。7.根据权利要求6所述的显示设备，其中通过使用60W至100W的射频功率来沉积所述保护层。8.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括第一隔离层，其中所述第一隔离层设置在所述保护层和所述缓冲层之间。9.根据权利要求8所述的显示设备，其中所述第一隔离层包括与所述保护层中包括的材料不同的材料。10.根据权利要求8所述的显示设备，进一步包括：第二基板，所述第二基板设置在所述第一基板下面；和第二隔离层，所述第二隔离层设置在所述第一基板和所述第二基板之间。11.根据权利要求1的显示设备，进一步包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述缓冲...

【专利技术属性】
技术研发人员：金孝中，朴廷珉，朴钟宇，赵大衍，金埈焕，卢永珠，朴素罗，崔荣太，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：