热固性片、切割芯片接合薄膜、以及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及热固性片、切割芯片接合薄膜、以及半导体装置。本发明专利技术的热固性片包含热固性树脂、热塑性树脂、挥发成分、以及导电性颗粒，在固化前的状态下测定的算术平均粗糙度Ra为0.1μm以上且1.2μm以下。0.1μm以上且1.2μm以下。

【技术实现步骤摘要】
热固性片、切割芯片接合薄膜、以及半导体装置


[0001]本专利技术涉及热固性片、切割芯片接合薄膜、以及半导体装置。

技术介绍

[0002]以往，在半导体装置的制造中，作为将半导体元件粘接于具有半导体元件的搭载区域的基板的方法(芯片接合法)，已知有使用热固性片的方法(例如专利文献1)。
[0003]专利文献1中，作为热固性片，公开了包含导电性颗粒和热固性树脂的热固性片。
[0004]在这样的方法中，例如以在半导体晶圆的一个面(与电路形成面处于相反侧的面)贴附有热固性片的状态下，对前述半导体晶圆和前述热固性片进行切割，由此可得到多个在一个面贴附有半导体元件的热固性片。
[0005]并且，在一个面贴附有半导体元件的热固性片通过在规定温度(例如70℃)下将另一个面临时粘接于前述基板的安装半导体元件的区域后，在高于此的温度(例如200℃)下进行热固化，从而粘接于前述基板。即，前述半导体元件以夹设有前述热固性片的状态粘接于前述基板。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开2019
‑
21813号公报

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的问题
[0010]另一方面，使前述热固性片的另一个面临时粘接于前述基板时，有时无法使前述热固性片的另一个面充分密合于前述基板，在前述热固性片的另一个面与前述基板之间产生空隙。
[0011]并且，在临时粘接状态下，前述热固性片的另一个面与前述基板之间产生的空隙在使前述热固性片热固化而粘接于前述基板时仍然残留。即，在临时粘接状态下产生的空隙也会被带入粘接状态下。
[0012]如果在前述热固性片与前述基板之间产生这样的空隙，则界面处的热阻和电阻会变大，电传导和热传导变得不充分，故不优选。
[0013]然而，对于在临时粘接状态下提高前述热固性片与前述基板的密合性而言，很难说已经进行了充分的研究。
[0014]另外，在半导体装置中使用功率半导体元件时，由于功率半导体元件在大电功率下使用，因此会产生大的散热量。
[0015]因此，将如上所述的热固性片用于功率半导体元件时，在前述基板上粘接后的热固性片、即、固化后的热固性片优选具有高的热传导性。
[0016]如上所述的散热问题在使用功率半导体元件以外的半导体元件时同样会产生，但对于提高固化后的热固性片的热传导性，也很难说已经进行了充分的研究。
[0017]于是，本专利技术的课题在于，提供能够在临时粘接状态下提高与具有半导体元件的搭载区域的基板的密合性、并且固化后的热传导性较高的热固性片，以及具备该热固性片的切割芯片接合薄膜和半导体装置。
[0018]用于解决问题的方案
[0019]本专利技术的热固性片包含热固性树脂、热塑性树脂、挥发成分、以及导电性颗粒，
[0020]所述热固性片在固化前的状态下测定的算术平均粗糙度Ra为0.1μm以上且1.2μm以下。
[0021]前述热固性片中，优选在固化前的状态下测定的最大高度粗糙度Rz为1μm以上且12μm以下。
[0022]前述热固性片中，优选固化后的前述热固性片中的前述导电性颗粒的颗粒填充率P为30体积％以上。
[0023]前述热固性片中，优选固化后的热导率为3W/m
·
K以上。
[0024]本专利技术的切割芯片接合薄膜具备：
[0025]基材层、
[0026]在该基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及
[0027]在前述切割带的前述粘合剂层上层叠的热固性片，
[0028]前述热固性片为上述的任一种热固性片。
[0029]本专利技术的半导体装置具备：
[0030]具有半导体元件的搭载区域的基板、以及
[0031]搭载于前述半导体元件的搭载区域的半导体元件，
[0032]前述半导体元件借助热固性片搭载于前述基板的前述半导体元件的搭载区域，
[0033]前述热固性片被固化，
[0034]前述热固性片相对于前述基板的接合率为70％以上，
[0035]前述热固性片为上述的任一种热固性片。
附图说明
[0036]图1为示出本专利技术的一个实施方式的切割芯片接合薄膜的构成的截面图。
[0037]图2为示出本专利技术的一个实施方式的半导体装置的构成的截面图。
[0038]附图标记说明
[0039]1ꢀꢀꢀ
基材层
[0040]2ꢀꢀꢀ
粘合剂层
[0041]3ꢀꢀꢀ
热固性片
[0042]10
ꢀꢀ
切割带
[0043]20
ꢀꢀ
切割芯片接合薄膜
[0044]30
ꢀꢀ
半导体装置
[0045]31
ꢀꢀ
引线框基板
[0046]32
ꢀꢀ
半导体元件
[0047]33
ꢀꢀ
引线
[0048]34
ꢀꢀ
封装体
[0049]35
ꢀꢀ
模塑树脂
[0050]40
ꢀꢀ
布线基板
[0051]41
ꢀꢀ
电极
[0052]31a 芯片连接盘
[0053]31b 引线部
具体实施方式
[0054]以下，对本专利技术的一个实施方式进行说明。
[0055][热固性片][0056]本实施方式的热固性片包含热固性树脂、热塑性树脂、挥发成分、以及导电性颗粒。
[0057]在本说明书中，导电性颗粒是指按照JIS K 0130(2008)测得的电导率为100μS/cm以下的颗粒。
[0058]本实施方式的热固性片如上所述含有挥发成分，因此通过在前述热固性片的热固化中使前述挥发成分挥发，从而能够减少前述热固性片的体积。
[0059]并且，与前述热固性片的体积减少的部分相应地，前述导电性颗粒彼此在前述热固性片中形成近的位置关系，因此在前述热固性片中容易通过前述导电性颗粒彼此而形成热传导路径。
[0060]由此，热固化后的前述热固性片的热传导性较高。
[0061]本实施方式的热固性片在固化前的状态下测定的算术平均粗糙度Ra为0.1μm以上且1.2μm以下。
[0062]通过使在固化前的状态下测定的算术平均粗糙度Ra为0.1μm以上且1.2μm以下，从而在将前述热固性片临时粘接于具有安装半导体元件的区域的基板的状态下，能够相对抑制前述基板与前述热固性片之间产生空隙。
[0063]由此，本实施方式的热固性片在临时粘接状态下提高了与具有安装半导体元件的区域的基板的密合性。
[0064]本实施方式的热固性片的两个面(片的表面和背面)的粘接面中，至少一个面的算术平均粗糙度Ra为上述数值范围即可，但优选两个面的算术平均粗糙度Ra均为上述数值范围。
[0065]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热固性片，其包含热固性树脂、热塑性树脂、挥发成分、以及导电性颗粒，所述热固性片在固化前的状态下测定的算术平均粗糙度Ra为0.1μm以上且1.2μm以下。2.根据权利要求1所述的热固性片，其在固化前的状态下测定的最大高度粗糙度Rz为1μm以上且12μm以下。3.根据权利要求1或2所述的热固性片，其中，固化后的所述热固性片中的所述导电性颗粒的颗粒填充率P为30体积％以上。4.根据权利要求1或2所述的热固性片，其在固化后的热导率为3W/m
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K以上。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：小岛丽奈，市川智昭，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：