等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种等离子体处理装置。使腔室的内壁的温度均匀性提高。提供一种该等离子体处理装置，其中，该等离子体处理装置包括：圆筒状的腔室，其形成对基板进行处理的处理空间；以及构件，其构成所述腔室的外周，所述构件具有：流路的入口，其至少为一个，供传热介质流入；流路的出口，其至少为一个，供传热介质流出；流路，其至少为一个，将所述入口和所述出口连接，供传热介质流动；以及折返部，其至少为一个，形成于所述流路，所述入口和所述出口靠近地配置，所述流路沿所述构件的圆周方向以360

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置


[0001]本公开涉及一种等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]例如，专利文献1提案有一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：圆筒状的腔室，其具有用于送入基板的开口部；以及闸门，其沿着腔室的内壁配置，在与开口部对应的位置对开口部进行开闭。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2015
‑
126197号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种使腔室的内壁的温度均匀性提高的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]根据本公开的一技术方案，提供一种等离子体处理装置，其中，该等离子体处理装置包括：圆筒状的腔室，其形成对基板进行处理的处理空间；以及构件，其构成所述腔室的外周，所述构件具有：流路的入口，其至少为一个，供传热介质流入；流路的出口，其至少为一个，供传热介质流出；流路，其至少为一个，将所述入口和所述出口连接，供传热介质流动；以及折返部，其至少为一个，形成于所述流路，所述入口和所述出口靠近地配置，所述流路沿所述构件的圆周方向以360
°
以内的特定的角度形成。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据一技术方案，能够使腔室的内壁的温度均匀性提高。
附图说明
[0012]图1是表示实施方式的等离子体处理装置的一个例子的剖视示意图。
[0013]图2是表示图1中的上部电极和周边的概略结构的放大剖视图。
[0014]图3是表示实施方式的闸门构件附近的概略结构的放大剖视图。
[0015]图4是表示实施方式的闸门构件的流路构造的一个例子的图。
[0016]图5是表示实施方式的闸门构件的流路构造的另一例子的图。
[0017]图6是表示实施方式的闸门构件的温度的测量结果的一个例子的图。
具体实施方式
[0018]以下，参照附图说明用于实施本公开的形态。在各附图中，对相同的结构部分标注相同的附图标记，有时省略重复的说明。
[0019][等离子体处理装置][0020]使用图1说明实施方式的等离子体处理装置1。图1是表示实施方式的等离子体处理装置1的一个例子的剖视示意图。图2是表示图1中的上部电极和周边的概略结构的放大剖视图。
[0021]在图1中，等离子体处理装置1构成为电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置，例如，该等离子体处理装置1包括由表面进行有铝阳极化处理(阳极氧化处理)的铝形成的圆筒形的腔室(处理室)10，形成对基板进行处理的处理空间。
[0022]腔室10接地。在腔室10的底部借助陶瓷等绝缘板11配置有圆柱状的支承板12，在该支承板12之上配置有导电性的、例如由铝等形成的基板支承部13。基板支承部13具有作为下部电极发挥功能的结构，对实施蚀刻处理的基板W、例如半导体晶圆进行载置。
[0023]在基板支承部13的上表面配置有用于利用静电吸附力保持基板W的静电卡盘(ESC)14。静电卡盘14包括由导电膜形成的电极板15和夹持电极板15的一对绝缘层，该绝缘层例如由Y2O3、Al2O3、AlN等电介质形成，在电极板15借助连接端子电连接有直流电源16。该静电卡盘14利用由直流电源16所施加的直流电压引起的库仑力或约翰逊
‑
拉别克(Johnsen
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Rahbek)力来吸附保持基板W。
[0024]在基板支承部13的周围上表面配置有用于提高蚀刻的均匀性的、例如由硅(Si)形成的边缘环17，在边缘环17的周围配置有保护边缘环17的侧部的覆盖环54。另外，基板支承部13和支承板12的侧面利用例如被由石英(SiO2)形成的圆筒状的构件18覆盖。
[0025]在支承板12的内部配置有例如沿圆周方向延伸的制冷剂室19。自外置的冷却单元(未图示)借助配管20a、20b向制冷剂室19循环供给预定温度的制冷剂、例如冷却水。制冷剂室19利用制冷剂的温度来控制基板支承部13上的基板W的处理温度。另外，自传热气体供给机构(未图示)借助气体供给线路21向静电卡盘14的上表面和基板W的背面之间供给传热气体、例如氦(He)气，从而高效且均匀地控制基板W与基板支承部13之间的热移动。
[0026]在基板支承部13的上方以与基板支承部13平行且相对的方式配置有上部电极22。在此，形成于基板支承部13和上部电极22之间的空间作为等离子体生成空间S(处理室内空间)发挥功能。上部电极22包括：环状或圆环形状的外侧上部电极23，其与基板支承部13空开规定间隔地相对配置；和圆板形状的内侧上部电极24，其与外侧上部电极23绝缘地配置于外侧上部电极23的半径方向内侧。
[0027]如图2所示，在外侧上部电极23与内侧上部电极24之间的间隙配置有例如由石英形成的电介质25。另外，也可以在该间隙配置陶瓷体来代替由石英形成的电介质25。在外侧上部电极23与腔室10的侧壁之间气密地配置有例如由氧化铝(Al2O3)或氧化钇(Y2O3)形成的环状的绝缘性遮蔽构件26。
[0028]外侧上部电极23优选由焦耳热较少的低电阻的导电体或者半导体、例如硅构成。在外侧上部电极23借助上部匹配器27、上部供电棒28、连接器29以及供电筒30电连接有上部高频电源31。上部高频电源31输出13.56MHz以上的频率、例如60MHz的高频电压。上部匹配器27使负荷阻抗与上部高频电源31的内部(或输出)阻抗匹配。上部匹配器27以在腔室10内生成有等离子体时上部高频电源31的输出阻抗与负荷阻抗在表观上一致的方式发挥功能。另外，上部匹配器27的输出端子连接于上部供电棒28的上端。
[0029]供电筒30由大致圆筒状或圆锥状的导电板、例如铝板或铜板形成，下端在周向上连续地与外侧上部电极23连接，上端借助连接器29电连接于上部供电棒28的下端部。在供
电筒30的外侧，腔室10的侧壁向比上部电极22的高度位置靠上方的位置延伸而构成圆筒状的接地导体10a。圆筒状的接地导体10a的上端部利用筒状的绝缘构件69与上部供电棒28电绝缘。在本结构中，在自连接器29观察到的负荷电路中，由供电筒30、外侧上部电极23以及接地导体10a形成以供电筒30和外侧上部电极23为波导的同轴线路。
[0030]内侧上部电极24具有顶板32和电极支承体33。顶板32具有许多气体通气孔32a，该顶板32例如由硅、碳化硅(SiC)等半导体材料形成。电极支承体33将顶板32支承为能够装卸，该电极支承体33由导电材料、例如在表面实施有铝阳极化处理的铝形成。顶板32利用螺栓(未图示)紧固于电极支承体33。螺栓的头部被配置于顶板32的下部的环状的屏蔽环53保护。
[0031]在顶板32中，各气体通气孔32a贯通顶板32。在电极支承体33的内部形成有缓冲室36。处理气体供给源38以期望的流量向缓冲室36供给处理气体。内侧上部电极24借助气体通气孔32a将自处理气体供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其中，该等离子体处理装置包括：圆筒状的腔室，其形成对基板进行处理的处理空间；以及构件，其构成所述腔室的外周，所述构件具有：流路的入口，其至少为一个，供传热介质流入；流路的出口，其至少为一个，供传热介质流出；流路，其至少为一个，将所述入口和所述出口连接，供传热介质流动；以及折返部，其至少为一个，形成于所述流路，所述入口和所述出口靠近地配置，所述流路沿所述构件的圆周方向以360
°
以内的特定的角度形成。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述流路与所述腔室的内壁对应地形成为大致环状或圆弧状。3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，在所述构件的径向上排列的所述流路的数量是2以上的偶数。4.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其中，自所述入口到所述折返部的距离与自所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：小舩贵基，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：