【技术实现步骤摘要】
存储器设备及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年10月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10
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2020
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0138382的优先权,上述申请的全部公开内容通过引用并入本文。
[0003]本公开的各种实施例总体上涉及电子设备,并且更具体地,涉及存储器设备以及操作存储器设备的方法。
技术介绍
[0004]存储设备是在诸如计算机、智能电话或智能平板的主机设备的控制下存储数据的设备。根据存储数据的设备,存储设备的示例包括将数据存储在磁盘中的设备(诸如硬盘驱动器(HDD))以及将数据存储在半导体存储器、特别是非易失性存储器中的设备(诸如固态驱动器(SSD)或存储器卡)。
[0005]存储设备可以包括其中存储数据的存储器设备和控制数据在存储器设备中的存储的存储器控制器。这样的存储器设备可以被分类为易失性存储器设备或非易失性存储器设备。非易失性存储器的代表性示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变式随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和铁电式RAM(FRAM)。
技术实现思路
[0006]本公开的各种实施例涉及存储器设备和操作存储器设备的方法,在仅使用较大数目的输入/输出线中的一些输入/输出线来输入数据时,该存储器设备增加数据输入速度。
[0007]根据本公开的一个实 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器设备,包括:多个页;外围电路,所述外围电路从外部控制器接收命令、地址和数据来对从所述多个页中选择的页进行编程,并且所述外围电路根据用于所述命令、所述地址和所述数据的输入模式,来生成内部输入数据;以及控制逻辑,所述控制逻辑根据所述输入模式来确定是否基于所述数据生成内部输入数据,并且所述控制逻辑控制所述外围电路,使得对所述内部输入数据进行编程的编程操作被执行。2.根据权利要求1所述的存储器设备,其中所述输入模式是以下模式之一:第一模式,在所述第一模式中,通过多个输入/输出线中的所有输入/输出线来接收所述命令、所述地址和所述数据;以及第二模式,在所述第二模式中,仅通过所述多个输入/输出线中的一些输入/输出线来接收所述命令、所述地址和所述数据。3.根据权利要求2所述的存储器设备,其中当在所述输入模式是所述第一模式的情况下从所述外部控制器接收所述命令或所述地址时,所述外围电路基于所接收的命令或地址来执行所述编程操作。4.根据权利要求2所述的存储器设备,其中当在所述输入模式是所述第二模式的情况下从所述外部控制器接收所述数据时,所述外围电路生成所述内部输入数据。5.根据权利要求2所述的存储器设备,其中当所述输入模式是所述第二模式时,所述外围电路通过将第二输入数据与指示所述数据的第一输入数据进行组合来生成所述内部输入数据,其中基于所述数据以及所述多个输入/输出线中的、除了所述多个输入/输出线中的所述一些输入/输出线之外的剩余线的输入来选择并输出所述第二输入数据。6.一种存储器设备,包括:多个页;模式设置器,所述模式设置器设置在其中从外部控制器接收命令、地址和数据来对从所述多个页中选择的页进行编程的模式;输入控制器,所述输入控制器根据由所述模式设置器设置的所述模式来基于所述数据生成内部输入数据;以及控制信号发生器,所述控制信号发生器生成控制信号,所述控制信号用于控制所述输入控制器生成所述内部输入数据。7.根据权利要求6所述的存储器设备,其中所述模式设置器输出用于设置以下模式之一的线使能信号:第一模式,在所述第一模式中,通过多个输入/输出线中的所有输入/输出线来接收所述命令、所述地址和所述数据;以及第二模式,在所述第二模式中,仅通过所述多个输入/输出线中的一些输入/输出线来接收所述命令、所述地址和所述数据。8.根据权利要求7所述的存储器设备,其中所述模式设置器将处于高状态的所述线使能信号输出到所述控制信号发生器,以设置所述第二模式。9.根据权利要求8所述的存储器设备,其中所述控制信号发生器包括:
输入启动信号发生器,所述输入启动信号发生器基于处于高状态的所述线使能信号来生成第一控制信号,所述第一控制信号指示所述数据的输入被启动;输入使能信号发生器,所述输入使能信号发生器生成第二控制信号,所述第二控制信号指示已经从所述外部控制器接收到数据输...
【专利技术属性】
技术研发人员:金相桓,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:
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