适用于键合基板的原子层沉积设备制造技术

本实用新型专利技术为一种适用于键合基板的原子层沉积设备，主要包括一反应腔体、一承载盘、一遮挡机构及一扩散单元，其中承载盘及扩散单元位于反应腔体的容置空间内。遮挡机构包括一连接杆及一遮挡板，其中遮挡板位于容置空间内并面对承载盘，而连接杆则穿过反应腔体并连接遮挡板。承载盘用以承载至少一键合基板，并带动承载的键合基板相对于遮挡机构位移，使得遮挡机构的遮挡板接触键合基板的上表面。当遮挡板接触键合基板的上表面时，扩散单元会位于键合基板的周围，并朝键合基板的侧表面输出前驱物，以在键合基板的侧表面上形成保护层。以在键合基板的侧表面上形成保护层。以在键合基板的侧表面上形成保护层。

【技术实现步骤摘要】
适用于键合基板的原子层沉积设备


[0001]本技术有关于一种适用于键合基板的原子层沉积设备，主要用以在键合基板的侧表面上形成保护层。

技术介绍

[0002]半导体装置主要是在硅基板上进行氧化、微影、蚀刻、离子注入及薄膜沉积等制程，以在基板上形成电子组件。在完成上述的步骤后会继续进行半导体封装制程，主要对基板进行切割，以形成复数个晶粒。而后将晶粒设置在导电架上，并进行焊线及封胶。
[0003]随着集成电路技术的不断进步，电子产品朝向轻薄短小、高性能、高可靠性与智能化的趋势发展。新一代的半导体封装技术，已开始将两个基板上的复数个晶粒对位，并将两个基板层叠设置及键合(wafer bonding)，以形成一键合基板。
[0004]而后依序对键合基板进行低温热处理(low temperature thermal treatment)、高精度减薄(high precision back thinning)、清洁及硅穿孔制程(TSV process)。在上述的制程中有可能会损坏两个基板的键合区域，特别是在进行硅穿孔制程时的湿式蚀刻制程，而降低半导体制程的良率。

技术实现思路

[0005]如先前技术所述，习用的键合基板在进行硅穿孔制程时，键合基板的侧表面可能会接触蚀刻液，而破坏两个基板在键合区域上的结构。为此本技术提出一种新颖的适用于键合基板的原子层沉积设备，可针对键合基板的侧表面进行原子层沉积，并在键合基板的侧表面及两个基板的键合区域形成保护层，可有效避免在进行硅穿孔制程的过程中，蚀刻液接触键合基板的侧表面及键合区域，进而破坏个基板在键合区域上的构造。
[0006]本技术的一目的，在于提出一种适用于键合基板的原子层沉积设备，主要包括一反应腔体、一承载盘、一遮挡机构及一扩散单元，其中承载盘、部分的遮挡机构及扩散单元位于反应腔体的容置空间内。承载盘包括一承载面用以承载一键合基板，其中键合基板为一第一基板及一第二基板的层叠，并包括一第一表面、一第二表面及至少一侧表面。
[0007]遮挡机构包括一遮挡板及一连接杆，其中连接杆连接反应腔体及遮挡板，而遮挡板则朝向承载盘的承载面。承载盘用以承载键合基板的第一表面，并带动承载的键合基板相对于遮挡机构位移，使得遮挡机构的遮挡板接触并遮挡键合基板的第二表面，而键合基板的侧表面则不会被承载盘及遮挡板所遮挡。
[0008]当承载盘及遮挡板分别接触键合基板的第一表面及第二表面时，扩散单元会位于键合基板的侧表面周围，并朝键合基板的侧表面输出至少一前驱物，以在键合基板的侧表面形成保护层。
[0009]具体而言，键合基板的侧表面具有一键合区域，其中键合区域为第一基板及第二基板在侧表面上的接合区域，并会在键合基板的侧表面形成一环形凹部。本技术所述的适用于键合基板的原子层沉积设备主要用以在键合基板的键合区域上形成保护层，以避
免蚀刻液蚀刻内凹的键合区域。
[0010]本技术所述的遮挡机构可通过重力、弹簧的弹力或马达提供的力，通过遮挡板对承载盘承载的键合基板施加很小的压力，使得遮挡板确实接触及遮挡键合基板的上表面。
[0011]此外扩散单元可为环状，其中扩散单元的进气管环绕在遮挡板、键合基板及/或承载盘的周围，使得进气管可以朝键合基板的侧表面及键合区域输出前驱物，以利于在键合基板的侧表面及键合区域形成保护层。
[0012]为了达到上述的目的，本技术提出一种适用于键合基板的原子层沉积设备，包括：一反应腔体，包括一容置空间；一承载盘，位于容置空间内，并包括一承载面用以承载一键合基板，其中键合基板包括一第一基板及一第二基板的层叠，并具有一第一表面、一第二表面及至少一侧表面，其中侧表面位于第一表面及第二表面之间，承载盘用以遮挡键合基板的第一表面；一遮挡机构，包括：一遮挡板，位于容置空间内，并面对承载盘的承载面；一连接杆，连接反应腔体及遮挡板，其中遮挡板用以遮挡放置在承载盘上的键合基板的第二表面；及一扩散单元，设置在遮挡板的周围，并流体连接反应腔体的容置空间，其中扩散单元用以朝键合基板的侧表面输送至少一前驱物，以在键合基板的侧表面形成一保护层。
[0013]所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其中扩散单元包括一第一环形输送管线及复数个第一进气管，第一环形输送管线位于遮挡板的周围，而第一进气管流体连接第一环形输送管线，其中第一进气管朝向遮挡板或遮挡板的下方，用以将前驱物输送至键合基板的侧表面。
[0014]所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其中扩散单元包括一第二环形输送管线及复数个第二进气管，第二环形输送管线设置在第一环形输送管线的外围，其中第二环形输送管线经由第二进气管将一非反应气体输送至容置空间内。
[0015]所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，包括一升降机构连接承载盘，用以驱动承载盘相对于遮挡板位移，并调整承载盘与遮挡板之间的距离。
[0016]所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其中升降机构驱动承载盘及键合基板靠近遮挡板，使得遮挡板遮挡键合基板的第二表面，而复数个第一进气管会位于键合基板的周围，并朝向键合基板的侧表面。
[0017]所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其中遮挡机构包括一驱动马达，驱动马达通过连接杆连接并驱动遮挡板相对于承载盘位移，使得遮挡板遮挡承载盘上的键合基板的第二表面。
[0018]所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其中反应腔体具有一穿孔，而连接杆穿过反应腔体的穿孔，并连接反应腔体的容置空间内的遮挡板，连接杆用以沿着穿孔相对于承载盘的承载面位移。
[0019]所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其中遮挡机构包括一弹性单元及一止挡部，止挡部设置于连接杆上，而弹性单元则位于连接杆的止挡部与反应腔体之间，承载盘带动键合基板朝遮挡板的方向位移并接触遮挡板时，位于止挡部及反应腔体之间的弹性单元会产生形变。
[0020]所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其中遮挡机构包括一重物，重物连接连接杆，承载盘带动键合基板朝遮挡板的方向位移并接触遮挡板时，重物会经由遮挡板朝
承载盘的方向对键合基板施压。
[0021]所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其中遮挡板包括一凸缘，设置在遮挡板朝向承载盘的一表面的一边缘区域，遮挡板经由凸缘接触承载盘上的键合基板的第二表面。
[0022]本技术的有益效果是：提供一种新颖的适用于键合基板的原子层沉积设备，可针对键合基板的侧表面进行原子层沉积，并在键合基板的侧表面及两个基板的键合区域形成保护层，可有效避免在进行硅穿孔制程的过程中，蚀刻液接触键合基板的侧表面及键合区域，进而破坏个基板在键合区域上的构造。
附图说明
[0023]图1为本技术适用于键合基板的原子层沉积设备一实施例的剖面示意图。
[0024]图2为本技术适用于键合基板的原子层沉积设备在键合基板的侧表面形成保护层一实施例的剖面示意图。
[0025]图3为本技术适用于键合基板的原子层沉本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于键合基板的原子层沉积设备，其特征在于，包括：一反应腔体，包括一容置空间；一承载盘，位于该容置空间内，并包括一承载面用以承载一键合基板，其中该键合基板包括一第一基板及一第二基板的层叠，并具有一第一表面、一第二表面及至少一侧表面，其中该侧表面位于该第一表面及该第二表面之间，该承载盘用以遮挡该键合基板的该第一表面；一遮挡机构，包括：一遮挡板，位于该容置空间内，并面对该承载盘的该承载面；一连接杆，连接该反应腔体及该遮挡板，其中该遮挡板用以遮挡放置在该承载盘上的该键合基板的该第二表面；及一扩散单元，包括复数个第一进气管位于设置在该遮挡板的周围，并流体连接该反应腔体的该容置空间，其中该扩散单元用以朝该键合基板的该侧表面输送至少一前驱物，以在该键合基板的该侧表面形成一保护层，其中该承载盘包括一延伸部，沿着平行该承载盘的该承载面的方向延伸至该第一进气管的下方。2.根据权利要求1所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其特征在于，其中该扩散单元包括一第一环形输送管线及复数个第一进气管，该第一环形输送管线位于该遮挡板的周围，而该第一进气管流体连接第一环形输送管线，其中该第一进气管朝向该遮挡板或该遮挡板的下方，用以将该前驱物输送至该键合基板的该侧表面。3.根据权利要求2所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其特征在于，其中该扩散单元包括一第二环形输送管线及复数个第二进气管，该第二环形输送管线设置在该第一环形输送管线的外围，其中该第二环形输送管线经由该第二进气管将一非反应气体输送至该容置空间内。4.根据权利要求2所述的适用于键合基板的原子层沉积设备，其特征在于，包括一升降机构连接该承载盘，用以驱动该承载盘相对于该遮挡板位移，并调整该承...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，
申请(专利权)人：天虹科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：