一种传送腔室的控温装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种传送腔室的控温装置及方法，涉及半导体设备制造技术领域，用于解决晶圆在各工艺中的温度不相同，这导致晶圆进入下一个工艺时，其当前温度会对下一个工艺造成一定程度的负面影响的问题。装置包括：移动组件、控制组件和控温组件；移动组件设置在传送腔室中承载晶圆；控温组件设置在传送腔室底部，包括冷却区组件和加热区组件；控制组件用于检测晶圆表面温度及晶圆对应的待执行工艺；根据晶圆表面温度以及晶圆对应的待执行工艺，控制移动组件将晶圆移动到预设的位置，并生成相应的控温指令；在晶圆到达预设位置后，控制控温组件执行控温指令。本发明专利技术提供的技术方案能够提高工艺的整体效率。高工艺的整体效率。高工艺的整体效率。

【技术实现步骤摘要】
一种传送腔室的控温装置及方法


[0001]本专利技术涉及半导体设备制造
，尤其涉及一种传送腔室的控温装置及方法。

技术介绍

[0002]在刻蚀过程中，晶圆需要移入传送腔室，再经由传送腔室移入其他工艺对应的设备中。
[0003]然而，晶圆在各工艺中的温度不相同，这导致晶圆进入下一个工艺时，其当前温度会对下一个工艺造成一定程度的负面影响，从而降低了工艺的整体效率。

技术实现思路

[0004]鉴于上述的分析，本专利技术旨在提出一种传送腔室的控温装置及方法，以提高工艺的整体效率。
[0005]本专利技术的目的主要是通过以下技术方案实现的：
[0006]第一方面，本专利技术实施例提供了一种传送腔室的控温装置，包括：
[0007]移动组件、控制组件和控温组件；
[0008]所述移动组件设置在所述传送腔室中，用于承载晶圆；
[0009]所述控温组件设置在所述传送腔室底部，包括冷却区组件和加热区组件；
[0010]所述控制组件用于检测晶圆表面温度及所述晶圆对应的待执行工艺；根据所述晶圆表面温度以及所述晶圆对应的待执行工艺，控制所述移动组件将所述晶圆移动到预设的位置，并生成相应的控温指令；在所述晶圆到达预设位置后，控制所述控温组件执行所述控温指令。
[0011]进一步地，所述冷却区组件包括：降温器和/或冷阱；
[0012]所述加热区组件包括升温器和/或热阱；
[0013]所述升温器和所述降温器固定在所述传送腔室底部。
[0014]进一步地，在所述传送腔室中，所述加热区组件工作区域为加热区，所述冷却区组件工作区域为冷却区；
[0015]所述冷却区和所述加热区分别设置在所述传送腔室底部的两侧。
[0016]进一步地，所述移动组件一端连接所述加热区，所述移动组件另一端连接所述冷却区。
[0017]进一步地，所述热阱和所述冷阱分别设置在所述传送腔室底部的两侧。
[0018]进一步地，所述移动组件包括：支架、移动轨道和电机；
[0019]所述晶圆安放在所述支架上，所述电机控制所述支架在所述移动轨道上移动，将晶圆移动到预设的位置。
[0020]进一步地，所述控制组件，包括：处理器和传感器；
[0021]所述传感器设置在所述传送腔室中，用于采集晶圆温度和所述待处理工艺的标
识；将所述晶圆温度和所述待处理工艺的标识发送给所述处理器；
[0022]所述处理器用于根据所述待处理工艺的标识，确定所述待处理工艺中的晶圆温度；根据所述待处理工艺中的晶圆温度和所述晶圆温度，确定相应的控温指令。
[0023]第二方面，本专利技术实施例提供了一种传送腔室的控温方法，包括：
[0024]采集晶圆温度和待处理工艺的标识；
[0025]根据所述晶圆温度和所述待处理工艺的标识，生成控温指令；
[0026]在晶圆到达预设位置后，控温指令执行，设置在传送腔室底部控温组件的冷却区组件或加热区组件工作，冷却或加热晶圆，实现传送腔室中晶圆的温度控制。
[0027]进一步地，所述根据所述晶圆温度和所述待处理工艺的标识，生成控温指令，包括：
[0028]根据所述待处理工艺的标识，确定所述待处理工艺中的晶圆温度；
[0029]根据所述待处理工艺中的晶圆温度和所述晶圆温度，确定相应的控温指令。
[0030]进一步地，所述控温指令执行，包括：
[0031]将所述晶圆传输至冷却区组件或加热区组件工作区域，并确定热阱和/或冷阱是否开启。
[0032]进一步地，所述加热区内设置至少一个所述升温器，所述冷却区内设置至少一个所述降温器。
[0033]进一步地，所述热阱设置在所述冷却区，所述冷阱设置在加热区。
[0034]进一步地，所述加热区设置有第一移动装置，所述第一移动装置用于升降所述升温器。
[0035]进一步地，所述第一移动装置一端连接所述升温器，另一端通过滑轮连接所述支架。
[0036]进一步地，所述冷却区设置有第二移动装置，所述第二移动装置用于升降所述降温器。
[0037]进一步地，所述第二移动装置一端连接所述降温器，另一端通过滑轮连接所述支架。
[0038]本专利技术技术方案具有如下有益效果：
[0039]本专利技术通过设置升温器和降温器在传送腔室底部形成加热区和冷却区，并结合冷阱和热阱实现从多个维度对晶圆表面的温度进行控制，从而使得晶圆表面的温度可以满足多个工艺的需求，进而提高工艺的整体效率。
[0040]本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0041]附图仅用于示出具体实施例的目的，而并不认为是对本专利技术的限制，在整个附图中，相同的参考符号表示相同的部件。
[0042]图1为本专利技术提供的一种传送腔室的控温装置的结构示意图；
[0043]图2为本专利技术实施例提供的移动轨道的结构示意图；
[0044]图3为本专利技术实施例提供的另一种传送腔室的控温装置的结构示意图。
[0045]附图标记:1-移动组件；11-支架；12-移动轨道；13-电机；2-控温组件；21-加热区；211-升温器；22-冷却区；221-降温器；23-冷阱；24-热阱；3-控制组件；4-晶圆；5-传送腔室；51-传送腔室底部。
具体实施方式
[0046]下面结合附图来具体描述本专利技术的优选实施例，其中，附图构成本申请一部分，并与本专利技术的实施例一起用于阐释本专利技术的原理，并非用于限定本专利技术的范围。
[0047]本专利技术实施例提供了一种传送腔室的控温装置，应用于传送腔室5，如图1-3所示，包括：移动组件1，控温组件2和控制组件3。
[0048]移动组件1包括：支架11，移动轨道12和电机13。
[0049]控温组件2包括：升温器211，降温器221，冷阱23和热阱24。
[0050]多个升温器211构成加热区21，多个降温器221构成冷却区22。加热区21和冷却区22分别位于传送腔室底部51的两侧，以区分加热过程和冷却过程。如此加热时，控制组件3通过电机13将放置在支架11上的晶圆4沿着移动轨道12传输至加热区21，再控制升温器211对加热区21中的晶圆加热。冷却时，沿着控制组件3通过电机13将放置在支架11上的晶圆4沿着移动轨道12传输至冷却区22，再控制降温器221对进入冷却区22的晶圆进行加热。需要说明的是，多个升温器211可以共同构成一个加热区21。也可以是每一个升温器211构成一个加热区，加热时，每个加热区只加热一半晶圆。如此，当升温器211的数量为大于4的偶数时，传送腔室5可以对多个晶圆同时加热。上述情况同样适用于冷却区和降温器221。
[0051]为了进一步分离加热过程和冷却过程，在本专利技术实施例中，在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种传送腔室的控温装置，其特征在于，包括：移动组件、控制组件和控温组件；所述移动组件设置在所述传送腔室中，用于承载晶圆；所述控温组件设置在所述传送腔室底部，包括冷却区组件和加热区组件；所述控制组件用于检测晶圆表面温度及所述晶圆对应的待执行工艺；根据所述晶圆表面温度以及所述晶圆对应的待执行工艺，控制所述移动组件将所述晶圆移动到预设的位置，并生成相应的控温指令；在所述晶圆到达预设位置后，控制所述控温组件执行所述控温指令。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述冷却区组件包括：降温器和/或冷阱；所述加热区组件包括升温器和/或热阱；所述升温器和所述降温器固定在所述传送腔室底部。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，在所述传送腔室中，所述加热区组件工作区域为加热区，所述冷却区组件工作区域为冷却区；所述冷却区和所述加热区分别设置在所述传送腔室底部的两侧。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述移动组件一端连接所述加热区，所述移动组件另一端连接所述冷却区。5.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述热阱和所述冷阱分别设置在所述传送腔室底部的两侧。6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述移动组件包括：支架、移动轨道和电机；所述晶圆安放在所述支架上，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金建澔，周娜，李琳，王佳，李俊杰，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：