一种低表面浓度发射极的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种低表面浓度发射极的制备方法。具体为对炉管内的硅片进行沉积处理，然后对硅片进行第一次升温推进处理；推进处理完成后分别利用链式HF溶液和混酸对硅片的掺杂表面进行清洗，然后对硅片进行第二次升温推进，最后对经过第二升温推进的硅片进行高温氧化处理并对硅片出管，得到制备有低表面浓度发射极的硅片。本实施例中的沉积和推进过程属于无限表面源，在硅片未进行高温氧化前，通过混酸处理提前去除掺杂面的BSG，通过再次升温推进继而氧化，使得再分布过程有限源的处理加强，得到更优的浓度分布曲线的低表面浓度的发射极，且在此处理过程中高温氧化无需过长时间，从而避免了长时间高温氧化对硅片体的寿命的不利影响。的不利影响。的不利影响。

【技术实现步骤摘要】
一种低表面浓度发射极的制备方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，特别是涉及一种低表面浓度发射极的制备方法。

技术介绍

[0002]目前，在制备太阳能电池的发射极时是利用常规硼扩工艺实现的。常规硼扩工艺基本包括沉积、升温推进和高温高氧氧化三大步。在实施过程中，为了进一步优化发射极结构，降低表面浓度以及增加结深，往往需要持续较长时间的高温氧化，这对硅片体的寿命带来较大的不利影响。

技术实现思路

[0003]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种低表面浓度发射极的制备方法，以避免对硅片体的寿命产生不利影响。
[0004]有鉴于此，本专利技术公开了一种低表面浓度发射极的制备方法，包括步骤：
[0005]对炉管内的硅片进行沉积处理；
[0006]沉积完成后对所述硅片进行第一次升温推进处理；
[0007]利用链式HF溶液对经过升温推进处理的硅片的掺杂表面进行脱水处理；
[0008]利用混酸对所述硅片的掺杂表面进行清洗处理；
[0009]对硅片进行第二次升温推进；
[0010]对经过第二升温推进的硅片进行高温氧化处理，得到制备有低表面浓度发射极的硅片。
[0011]可选的，所述对炉管内的硅片进行沉积处理，包括步骤：
[0012]装载硅片并将硅片送入所述炉管；
[0013]对所述炉管进行升温处理，将所述炉管内的温度由待机温度升温至沉积温度，并对所述炉管进行抽真空处理；
[0014]对经过环境检漏的炉管内通入氧气和氮气进行吹扫；
[0015]对炉管内通入氯化硼、氧气和氮气，实现对所述硅片的沉积处理。
[0016]可选的，所述待机温度为700～800℃，所述沉积温度为800～900℃，所述炉管内的真空度为50～300mbar；
[0017]在所述沉积处理时的所述氯化硼的流量为10～300sccm、所述氧气的流量为100～5000sccm、所述氮气的流量为100～5000sccm，所述沉积处理的时间为2～50min。
[0018]可选的，所述沉积完成后对所述硅片进行第一次升温推进处理，包括步骤：
[0019]将所述炉管内的温度升温至第一推进温度；
[0020]在升温过程中通入氮气并保持第一推进时间；
[0021]推进结束后降温至待机温度后执行卸片操作。
[0022]可选的，所述第一推进温度为900～1000℃，所述氮气的流量为100～5000sccm，所
述第一推进时间为5～30min。
[0023]可选的，所述HF浓度为30％
‑
50％，所述HF的体积范围为10L
‑
200L。
[0024]可选的，所述混酸为HF和HCl的混合溶液，HF的浓度为30～50％、体积为10～100L，HCl的浓度为20～40％、体积为5～20L，所述清洗处理的时间为30～300s。
[0025]可选的，所述对所述硅片进行第二次升温推进，包括：
[0026]将所述硅片装入所述炉管，并进行炉管内的温度从待机温度升温至第二推进温度，并保持第二推进时间。
[0027]可选的，所述第二推进温度为800～1000℃，所述第二推进时间为5～40min。
[0028]可选的，所述对经过第二升温推进的硅片进行高温氧化处理，得到制备有低表面浓度发射极的硅片，包括步骤：
[0029]使所述炉管内的温度保持在高温氧化温度并持续氧化时间，同时向所述炉管内通入预设流量的氧气；
[0030]所述氧化时间结束后执行降温出管操作，得到制备有所述低表面浓度发射极的硅片。
[0031]可选的，所述高温氧化温度为950～1050℃，所述氧化时间为20～120min，所述预设流量为5～30L/min。
[0032]从上述技术方案可以看出，本专利技术提供了一种低表面浓度发射极的制备方法。具体为对炉管内的硅片进行沉积处理，然后对硅片进行第一次升温推进处理；推进处理完成后分别利用链式HF溶液和混酸对硅片的掺杂表面进行清洗，然后对硅片进行第二次升温推进，最后对经过第二升温推进的硅片进行高温氧化处理并对硅片出管，得到制备有低表面浓度发射极的硅片。本实施例中的沉积和推进过程属于无限表面源，在硅片未进行高温氧化前，通过混酸处理提前去除掺杂面的BSG，通过再次升温推进继而氧化，使得再分布过程有限源的处理加强，得到更优的浓度分布曲线的低表面浓度的发射极，且在此处理过程中高温氧化无需过长时间，从而避免了长时间高温氧化对硅片体的寿命的不利影响。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0034]图1为本申请实施例的一种低表面浓度发射极的制备方法的流程图。
具体实施方式
[0035]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0036]实施例
[0037]图1为本申请实施例的一种低表面浓度发射极的制备方法的流程图。
[0038]参照图1所示，本实施例提供的制备方法用于在硅片、如N型硅片上制备低表面浓度的发射极，该制备方法包括步骤：
[0039]S1、对炉管内的硅片进行沉积处理。
[0040]具体来说，需要首先装载硅片，并将该硅片送入炉管内，一般来说炉管内会保持待机温度，该待机温度为700～800℃。然后在送入硅片后对炉管进行升温处理，即将炉管内的温度从待机温度升温至沉积温度，并同时对炉管进行抽真空操作。沉积温度为800～900℃，真空度则抽至50～300mbar。
[0041]完成抽真空后对炉管进行检漏作业，如果没有泄露则向炉管内送入一定量的氧气和氮气，以便对炉管进行吹扫作业。吹扫时通入的氧气流量为100～5000sccm，氮气的流量为100～5000sccm。
[0042]完成吹扫后即开始对硅片进行沉积作业，此时向炉管内通入氯化硼、氧气和氮气，并保持2～50min的沉积时间。此时氯化硼的流量为10～300sccm，氧气的流量为100～5000sccm，氮气的流量为100～5000sccm。
[0043]S2、对完成沉积的硅片进行第一次升温推进处理。
[0044]在完成对硅片的沉积处理后，将炉管内的温度升温至第一推进温度，第一推进温度可以选择900～1000℃，并保持第一推进时间、如5～30min，在此期间需向炉管内通入流量为100～5000sccm的氮气。在该第一推进时间结束后将炉管内的温度降温值该待机温本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低表面浓度发射极的制备方法，其特征在于，包括步骤：对炉管内的硅片进行沉积处理；沉积完成后对所述硅片进行第一次升温推进处理；利用链式HF溶液对经过升温推进处理的硅片的掺杂表面进行脱水处理；利用混酸对所述硅片的掺杂表面进行清洗处理；对硅片进行第二次升温推进；对经过第二升温推进的硅片进行高温氧化处理，得到制备有低表面浓度发射极的硅片。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对炉管内的硅片进行沉积处理，包括步骤：装载硅片并将硅片送入所述炉管；对所述炉管进行升温处理，将所述炉管内的温度由待机温度升温至沉积温度，并对所述炉管进行抽真空处理；对经过环境检漏的炉管内通入氧气和氮气进行吹扫；对炉管内通入氯化硼、氧气和氮气，实现对所述硅片的沉积处理。3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述待机温度为700～800℃，所述沉积温度为800～900℃，所述炉管内的真空度为50～300mbar；在所述沉积处理时的所述氯化硼的流量为10～300sccm、所述氧气的流量为100～5000sccm、所述氮气的流量为100～5000sccm，所述沉积处理的时间为2～50min。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沉积完成后对所述硅片进行第一次升温推进处理，包括步骤：将所述炉管内的温度升温至第一推进温度；在升温过程中通入氮气并保持第一推进时间；推进结束后降温至待机温度后执行卸片操作。5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李家栋，刘勇，朴松源，
申请(专利权)人：一道新能源科技衢州有限公司，
类型：发明
国别省市：