一种太阳电池复合组件及其制备方法和光伏系统技术方案

本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳电池复合组件及其制备方法和光伏系统。太阳电池复合组件的制备方法包括：在玻璃衬底上制备薄膜电池阵列；在薄膜电池阵列上设置绝缘层；在绝缘层上设置晶硅电池阵列；在晶硅电池阵列上设置封装胶膜；在封装胶膜上设置封装玻璃。如此，可以有效降低工艺难度和材料成本。同时，可以避免使用隧穿结，可以有效增加晶硅电池阵列的短路电流，进一步提高太阳电池复合组件的光电转换效率。复合组件的光电转换效率。复合组件的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳电池复合组件及其制备方法和光伏系统


[0001]本申请属于太阳能电池
，尤其涉及一种太阳电池复合组件及其制备方法和光伏系统。

技术介绍

[0002]太阳能电池发电为一种可持续的清洁能源来源，其利用半导体p
‑
n结的光生伏特效应可以将太阳光转化成电能。
[0003]相关技术中，两端叠层太阳电池的两电池为串联关系，故需要对顶底电池的光学性质进行精细调控，才能达到最高电流，也需要寻找及额外制备合适的隧穿层，工艺难度较大。而相关技术中的四端叠层太阳电池，顶底电池独立封装，要求采用至少四层封装胶膜和封装玻璃，且都需要使用金属电极，当扩展到组件大小的规模时，组件和系统平衡成本更高，功率损耗也更大。
[0004]基于此，如何降低叠层电池组件的工艺难度和材料成本，成为了亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种太阳电池复合组件及其制备方法和光伏系统，旨在解决如何降低叠层电池组件的工艺难度和材料成本的问题。
[0006]本申请提供的太阳电池复合组件的制备方法，包括：在玻璃衬底上制备薄膜电池阵列；在所述薄膜电池阵列上设置绝缘层；在所述绝缘层上设置晶硅电池阵列；在所述晶硅电池阵列上设置封装胶膜；在所述封装胶膜上设置封装玻璃。
[0007]本申请提供的太阳电池复合组件，根据上述的太阳电池复合组件的制备方法制成。
[0008]本申请提供的光伏系统，包括上述的太阳电池复合组件。
[0009]本申请实施例的太阳电池复合组件及其制备方法和光伏系统，在薄膜电池阵列上设置晶硅电池阵列形成太阳电池复合组件，在两面采用玻璃进行封装的同时，将其中的一片玻璃作为衬底制备薄膜电池阵列，可以有效降低工艺难度和材料成本。同时，利用绝缘层隔离薄膜电池阵列和晶硅电池阵列，可以避免使用隧穿结，可以有效增加晶硅电池阵列的短路电流，进一步提高太阳电池复合组件的光电转换效率。
附图说明
[0010]图1是本申请一实施例的太阳电池复合组件的制备方法的流程示意图；图2是本申请一实施例的太阳电池复合组件的结构示意图；图3是本申请一实施例的太阳电池复合组件的制备方法的流程示意图；
图4是本申请一实施例的太阳电池复合组件的制备方法的流程示意图；图5是本申请一实施例的太阳电池复合组件的制备方法的流程示意图；图6是本申请一实施例的太阳电池复合组件的制备方法的流程示意图；图7是本申请一实施例的太阳电池复合组件的制备方法的流程示意图；图8是本申请一实施例的太阳电池复合组件的制备方法的流程示意图；图9是本申请一实施例的太阳电池复合组件的结构示意图；图10是本申请一实施例的太阳电池复合组件的制备方法的流程示意图；图11是本申请一实施例的太阳电池复合组件的结构示意图；图12是本申请一实施例的太阳电池复合组件的制备方法的流程示意图；图13是本申请一实施例的太阳电池复合组件的结构示意图；图14是本申请一实施例的太阳电池复合组件的制备方法的流程示意图；图15是本申请一实施例的太阳电池复合组件的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
[0011]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0012]实施例一请参阅图1和图2，本申请实施例的太阳电池复合组件100的制备方法，包括：步骤S11：在玻璃衬底101上制备薄膜电池阵列10；步骤S12：在薄膜电池阵列10上设置绝缘层20；步骤S13：在绝缘层20上设置晶硅电池阵列30；步骤S14：在晶硅电池阵列30上设置封装胶膜102；步骤S15：在晶硅电池阵列30上设置封装玻璃103。
[0013]本申请实施例的太阳电池复合组件100的制备方法，在薄膜电池阵列10上设置晶硅电池阵列30形成太阳电池复合组件100，在两面采用玻璃进行封装的同时，将其中的一片玻璃作为衬底制备薄膜电池阵列10，可以有效降低工艺难度和材料成本。同时，利用绝缘层20隔离薄膜电池阵列10和晶硅电池阵列30，可以避免使用隧穿结，可以有效增加晶硅电池阵列30的短路电流，进一步提高太阳电池复合组件100的光电转换效率。
[0014]在本实施例中，可以仅使用两层封装胶膜102和两片封装玻璃。
[0015]具体地，在本实施例中，薄膜电池阵列10为顶电池阵列，晶硅电池阵列30为底电池阵列。可以理解，在其他的实施例中，也可薄膜电池阵列10为底电池阵列，晶硅电池阵列30为顶电池阵列。
[0016]可选地，在步骤S11中，玻璃衬底101为大尺寸玻璃衬底。大尺寸玻璃衬底的长度为0.5m
‑
3m。例如为0.5m、0.6m、0.8m、1m、1.5m、2m、2.5m、2.8m、3m。大尺寸玻璃衬底的宽度为0.5m
‑
2.5m。例如为0.5m、0.6m、0.8m、1m、1.5m、2m、2.5m。如此，可制成大尺寸的薄膜电池阵列，效率更高。
[0017]可选地，在步骤S11中，玻璃衬底101包括可包括透明玻璃衬底。具体地，玻璃衬底101的透过率可大于90%。例如为90%、91%、92%、93%、94%、95%、96%、97%、98%、99%、100%。如此，
玻璃衬底的透光率高，可以使得更多的太阳光进入到太阳电池复合组件100，有利于提高光电转换效率。
[0018]具体地，玻璃衬底101包括浮法玻璃、压花玻璃、钢化玻璃、增透玻璃、PET、PEN、PEI、PMMA中的一种或多种。如此，提供了多种形式的玻璃衬底101，便于根据实际生产情况进行选择。
[0019]可选地，在步骤S11中，薄膜电池阵列10可以是多个薄膜电池串联而成的电池串，也可以是多个薄膜电池串联的电池串并联后形成的电池阵列。
[0020]具体地，薄膜电池阵列10中的多个薄膜电池可呈网格状排布。进一步地，薄膜电池阵列10包括多行薄膜电池和多列薄膜电池，多行薄膜电池相互平行，多列薄膜电池相互平行，每行薄膜电池与每列薄膜电池相互垂直。可以理解，在其他的实施例中，可薄膜电池阵列10包括多行薄膜电池和多列薄膜电池，多行薄膜电池相互平行，多列薄膜电池相互平行，每行薄膜电池与每列薄膜电池呈锐角；可薄膜电池阵列10包括多行薄膜电池和多列薄膜电池，部分行的薄膜电池相互平行；可薄膜电池阵列10包括多行薄膜电池和多列薄膜电池，部分列的薄膜电池相互平行。在此不对薄膜电池阵列10中多个薄膜电池的具体排布方式进行限定。
[0021]可选地，薄膜电池包括亚铁化硅电池、铜铟镓硒电池、微晶硅电池、纳米晶硅电池、磷化铟电池、非晶硅电池、钙钛矿电池、砷化镓电池和碲化镉电池。可以理解，薄膜电池阵列10中的多个薄膜电池可为同种薄膜电池，也可为不同种的薄膜电池。
[0022]请注意，为方便解释，本文以薄膜电池阵列10中的薄膜电池均为钙钛矿电池为例进行说明，但这并不代表对薄膜电池阵列10的限制。
[0023]可选地，在步骤S12中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳电池复合组件的制备方法，其特征在于，包括：在玻璃衬底上制备薄膜电池阵列；在所述薄膜电池阵列上设置绝缘层；在所述绝缘层上设置晶硅电池阵列；在所述晶硅电池阵列上设置封装胶膜；在所述封装胶膜上设置封装玻璃。2.根据权利要求1所述的太阳电池复合组件的制备方法，其特征在于，所述玻璃衬底为导电玻璃，在玻璃衬底上制备薄膜电池阵列，包括：在所述导电玻璃上划出多个第一凹槽；在划线后的所述导电玻璃上制备第一接触层；在所述第一接触层上制备吸收层；在所述吸收层上制备第二接触层；在所述第二接触层、吸收层和第一接触层划出多个第二凹槽；在所述第二接触层上制备导电层；在所述导电层上划出多个第三凹槽。3.根据权利要求2所述的太阳电池复合组件的制备方法，其特征在于，所述玻璃衬底为绝缘玻璃，在玻璃衬底上制备薄膜电池阵列，包括：在所述绝缘玻璃上制备导电膜，制成所述导电玻璃。4.根据权利要求2所述的太阳电池复合组件的制备方法，其特征在于，在划线后的所述导电玻璃上制备第一接触层，包括：在划线后的所述导电玻璃上制备第一致密接触层；在所述第一致密接触层上制备第一介孔接触层；采用无机铁电体在所述第一介孔接触层上制备第一铁电间隔绝缘层；在所述第一铁电间隔绝缘层上制备第一碳电极；对所述第一铁电间隔绝缘层施加自所述第一接触层指向所述吸收层的方向的铁电极化场，施加的铁电极化场的强度大于所述第一铁电间隔绝缘层的铁电矫顽场。5.根据权利要求1所述的太阳电池复合组件的制备方法，其特征在于，所述薄膜电池阵列设有第一接触端和第二接触端，所述晶硅电池阵列设有第三接触端和第四接触端，所述太阳电池复合组件的制备方法包括：将所述第一接触端、所述第二接触端、所述第三接触端和所述第四接触端分别从所述太阳电池复合组件引出。6.根据权利要求1所述的太阳电池复合组件的制备方法，其特征在于，所述薄膜电池阵列设有第一接触端和第二接触端，所述晶硅电池阵列设有第三接触端和第四接触端，所述第一接触端和所述第三接触端的极性相同，所述第二接触端和所述第四接触端的极性相同，所述太阳电池复合组件的制备方法包括：将所述第一接触端和所述第三接触端连接，形成第一引出端；将所述第一引出端、所述第二接触端和所述第四接触端分别从所述太阳电池复合组件引出。7.根据权利要求1所述的太阳电池复合组件的制备方法，其特征在于，所述薄膜电池阵
列设有第一接触端和第二接触端，所述晶硅电池阵列设有第三接触端和第四接触端，所述第一接触端和所述第三接触端的极性相同，所述第二接触端和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永谦，邱开富，张宁，何嘉伟，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：