显示面板制造技术

本发明专利技术提供了一种显示面板，所述显示面板包括显示区和扇出区，所述扇出区包括弯曲区、位于所述弯曲区远离所述显示区一侧的第一非显示区、以及位于所述弯曲区朝向所述显示区一侧的第二非显示区，所述显示面板包括：衬底；显示层，设于所述衬底的一侧，包括公共电极走线；以及触控层，设于所述显示层背向所述衬底的一侧，包括外围触控走线；其中，在所述第一非显示区内，所述公共电极走线在所述衬底上的投影和所述外围触控走线在所述衬底上的投影存在至少部分重合，投影重合的所述公共电极走线和所述外围触控走线之间设有至少三层绝缘膜层。本发明专利技术增加了公共电极走线和外围触控走线之间的距离，减小了寄生电容，提高了显示面板的触控性能。控性能。控性能。

【技术实现步骤摘要】
显示面板


[0001]本申请涉及显示领域，尤其涉及一种显示面板。

技术介绍

[0002]对于现有的有源矩阵有机发光二极体(Active
‑
matrix organic light
‑
emitting diode，AMOLED)On
‑
cell触控显示屏，触控电极制作在显示层的上方，位于封装层上表面，连接触控电极的外围触控走线通常从面板的两侧向下延伸至下边缘绑定区。
[0003]为了减小外围触控走线的阻抗，外围触控走线通常采用双层走线方案，即，外围触控走线由第一金属线和第二金属线构成，第一金属线和第二金属线通过绝缘层隔离开，在外围触控走线的延伸方向上，每间隔一段距离，第一金属线和第二金属线通过过孔连接。同时，为了减小显示面板内显示信号走线对触控信号的干扰，在显示面板的下边界，外围触控走线设置在公共电极走线的上方。
[0004]然而，外围触控走线和公共电极走线之间仅存在像素定义层和层间绝缘层，导致外围触控走线和公共电极走线之间的寄生电容较大，影响了显示面板的触控性能。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种显示面板，以减小外围触控走线和公共电极走线之间的寄生电容，提高显示面板的触控性能。
[0006]为解决以上问题，本专利技术提供的技术方案如下：
[0007]本专利技术提供一种显示面板，所述显示面板包括显示区和扇出区，所述扇出区包括弯曲区、位于所述弯曲区远离所述显示区一侧的第一非显示区、以及位于所述弯曲区朝向所述显示区一侧的第二非显示区，所述显示面板包括：
[0008]衬底；
[0009]显示层，设于所述衬底的一侧，包括公共电极走线；以及
[0010]触控层，设于所述显示层背向所述衬底的一侧，包括外围触控走线；
[0011]其中，在所述第一非显示区内，所述公共电极走线在所述衬底上的投影和所述外围触控走线在所述衬底上的投影存在至少部分重合，投影重合的所述公共电极走线和所述外围触控走线之间设有至少三层绝缘膜层。
[0012]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述三层绝缘膜层包括至少一层无机绝缘膜层和至少一层有机绝缘膜层。
[0013]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述触控层包括第一金属层、第二金属层、第一触控绝缘层和第二触控绝缘层，所述第一触控绝缘层设于所述显示层和所述第一金属层之间，所述第一金属层设于所述第一触控绝缘层和所述第二触控绝缘层之间，所述第二触控绝缘层设于所述第一金属层和所述第二金属层之间；所述显示层还包括平坦化层，所述平坦化层设于所述公共电极走线和所述触控层之间；与所述公共电极走线投影重合的所述外围触控走线由所述第二金属层图案化形成，投影重合的所述公共电极走线和所述外围触
控走线之间包括所述第一触控绝缘层、所述第二触控绝缘层、以及所述平坦化层。
[0014]可选的，在本专利技术的一些实施例中，位于所述第二非显示区内的所述外围触控走线由所述第二金属层图案化形成。
[0015]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述显示面板还包括触控连接线，所述触控连接线贯通所述弯曲区并延伸至所述第一非显示区和第二非显示区，且分别与位于所述第一非显示区和所述第二非显示区内的外围触控走线连接。
[0016]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述触控层包括第一触控绝缘层，所述第一触控层设于所述公共电极走线和所述显示层之间；所述显示层包括第三金属层、第四金属层、层间绝缘层、以及平坦化层，所述第三金属层设于所述衬底和所述层间绝缘层之间，所述第四金属层设于所述层间绝缘层和所述平坦化层之间，所述平坦化层设于所述第四金属层和所述触控层之间；与所述外围触控走线投影重合的所述公共电极走线由所述第三金属层图案化形成，投影重合的所述公共电极走线和所述外围触控走线之间包括所述第一触控绝缘层、所述层间绝缘层、以及所述平坦化层。
[0017]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述第三金属层为第一源漏极层且所述第四金属层为第二源漏极层，或所述第三金属层为栅极层且所述第四金属层为源漏极层。
[0018]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述显示层还包括像素定义层，投影重合的所述公共电极走线和所述外围触控走线之间还包括所述像素定义层。
[0019]可选的，在本专利技术的一些实施例中，投影重合的所述公共电极走线和所述外围触控走线之间的距离范围为1微米
‑
5微米。
[0020]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述触控层包括第一金属层、第二金属层、以及设于所述第一金属层和所述第二金属层之间的第二触控绝缘层，在所述扇出区以外的非显示区内，所述外围触控走线为双层走线，包括第一外围触控走线和第二外围触控走线，所述第一外围触控走线由所述第一金属层图案化形成，所述第二外围触控走线由所述第二金属层图案化形成，所述第一外围触控走线和所述第二外围触控走线间隔性的通过贯穿所述第一触控绝缘层的过孔相互连接。
[0021]本专利技术提供了一种显示面板，所述显示面板包括显示区和扇出区，所述扇出区包括弯曲区、位于所述弯曲区远离所述显示区一侧的第一非显示区、以及位于所述弯曲区朝向所述显示区一侧的第二非显示区，所述显示面板包括：衬底；显示层，设于所述衬底的一侧，包括公共电极走线；以及触控层，设于所述显示层背向所述衬底的一侧，包括外围触控走线；其中，在所述第一非显示区内，所述公共电极走线在所述衬底上的投影和所述外围触控走线在所述衬底上的投影存在至少部分重合，投影重合的所述公共电极走线和所述外围触控走线之间设有至少三层绝缘膜层。本专利技术通过在投影重合的公共电极走线和外围触控走线之间设置至少三层绝缘膜层，增加了公共电极走线和外围触控走线之间的距离，减小了公共电极走线和外围触控走线之间的寄生电容，提高了显示面板的触控性能。
附图说明
[0022]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0023]图1为本专利技术实施例提供的显示面板的第一种结构示意图；
[0024]图2为本专利技术实施例提供的显示面板的第二种结构示意图；
[0025]图3为本专利技术实施例提供的显示面板的第三种结构示意图；
[0026]图4为本专利技术实施例提供的显示面板的第四种结构示意图；
[0027]图5为本专利技术实施例提供的显示面板的第五种结构示意图；
[0028]图6为本专利技术实施例提供的触控层的平面结构示意图。
具体实施方式
[0029]下面将结合本专利技术的具体实施方案，对本专利技术实施方案和/或实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显而易见的，下面所描述的实施方案和/或实施例仅仅是本专利技术一部分实施方案和/或实施例，而不是全部的实施方案和/或实施例。基于本专利技术中的实施方案和/或实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方案和/或实施例，都属于本专利技术保护范围。
[0030]本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区和扇出区，所述扇出区包括弯曲区、位于所述弯曲区远离所述显示区一侧的第一非显示区、以及位于所述弯曲区朝向所述显示区一侧的第二非显示区，所述显示面板包括：衬底；显示层，设于所述衬底的一侧，包括公共电极走线；以及触控层，设于所述显示层背向所述衬底的一侧，包括外围触控走线；其中，在所述第一非显示区内，所述公共电极走线在所述衬底上的投影和所述外围触控走线在所述衬底上的投影存在至少部分重合，投影重合的所述公共电极走线和所述外围触控走线之间设有至少三层绝缘膜层。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述三层绝缘膜层包括至少一层无机绝缘膜层和至少一层有机绝缘膜层。3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述触控层包括第一金属层、第二金属层、第一触控绝缘层和第二触控绝缘层，所述第一触控绝缘层设于所述显示层和所述第一金属层之间，所述第一金属层设于所述第一触控绝缘层和所述第二触控绝缘层之间，所述第二触控绝缘层设于所述第一金属层和所述第二金属层之间；所述显示层还包括平坦化层，所述平坦化层设于所述公共电极走线和所述触控层之间；与所述公共电极走线投影重合的所述外围触控走线由所述第二金属层图案化形成，投影重合的所述公共电极走线和所述外围触控走线之间包括所述第一触控绝缘层、所述第二触控绝缘层、以及所述平坦化层。4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，位于所述第二非显示区内的所述外围触控走线由所述第二金属层图案化形成。5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括触控连接线，所述触控连接线贯通所述弯曲区并延伸至所述第一非显示区和第二非显示区，且分别与位于所述第一非显示区和所述第二非显示...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶剑，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：