一种QFN或DFN的封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种QFN或DFN的封装结构，包括框架基体和凹槽；所述框架基体包括基岛固定区和蚀刻区，所述基岛固定区设置于框架基体的中部；所述蚀刻区分布于基岛固定区的外侧；所述基岛固定区设有基岛，所述基岛上设有芯片，所述凹槽设置于基岛上并围绕芯片分布；通过在基岛上开设凹槽，塑封时，基岛上的熔融塑封料能够流入凹槽中，并在凹槽固化，增加了塑封料与基岛的结合面，有效增加了塑封料与框架基体的附着强度，提高了QFN封装的可靠性及芯片的稳定性，解决了在当前QFN或DFN封装中，由于塑封料熔融后与基岛的结合面小，影响塑封强度，进而出现影响QFN或DFN产品的可靠性及芯片稳定性的问题。片稳定性的问题。片稳定性的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种QFN或DFN的封装结构


[0001]本技术涉及一种QFN或DFN的封装结构，属于芯片封装


技术介绍

[0002]QFN或DFN封装流程简单，适用芯片类型较多，散热能力强，当前在QFN或DFN封装中，当基岛尺寸较小、芯片尺寸较大，贴片时，贴片胶易延展至基岛的边缘，过多的贴片胶外溢至基岛边缘易降低芯片的稳定性；同时，塑封料熔融后与基岛的结合面变小，使得塑封强度变减小进而失效；过多的贴片胶外溢出基岛以及塑封料与基岛之间附着强度失效易导致QFN或DFN产品稳定性和可靠性差的问题。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种QFN或DFN的封装结构，用以解决在当前QFN或DFN封装中，由于塑封料熔融后与基岛的结合面小，影响塑封强度，进而出现影响QFN或DFN产品的可靠性及芯片稳定性的问题。
[0004]为达到上述目的/为解决上述技术问题，本技术是采用下述技术方案实现的：一种QFN或DFN的封装结构，包括框架基体和凹槽；
[0005]所述框架基体包括基岛固定区和蚀刻区，所述基岛固定区设置于框架基体的中部；所述蚀刻区分布于基岛固定区的外侧；
[0006]所述基岛固定区设有基岛，所述基岛上设有芯片，所述凹槽设置于基岛上并围绕芯片分布。
[0007]可选地，所述凹槽的数量为四个，所述凹槽为半蚀刻异形槽。
[0008]可选地，所述半蚀刻异形槽为十字形设置，十字形所述半蚀刻异形槽的宽度≥0.2.mm，十字形所述半蚀刻异形槽距离基岛的距离≥0.2mm，十字形所述半蚀刻异形槽的深度为框架基体厚度的1/2~2/3。
[0009]可选地，所蚀刻区的数量为四个，四个所述蚀刻区均布在基岛四周。
[0010]可选地，所述框架基体设有用于隔开蚀刻区与基岛的半蚀刻支架，所述半蚀刻支架的深度为框架基体厚度的1/2~2/3。
[0011]可选地，所述半蚀刻支架、蚀刻区和凹槽中均填充有塑封料。
[0012]可选地，所述半蚀刻支架中设有多个用于容纳塑封料的全蚀刻椭圆孔。
[0013]可选地，所述蚀刻区内设有引脚，所述引脚上设有用于连接芯片的焊线。
[0014]与现有技术相比，本技术所达到的有益效果：
[0015]1、通过在基岛上开设凹槽，贴片时，外溢的贴片胶能够流入凹槽中，凹槽可阻挡过多的贴片胶延展至基岛边缘，且在塑封时，基岛上的熔融塑封料能够流入凹槽中，并在凹槽固化，增加了塑封料与基岛的结合面，有效增加了塑封料与基岛的附着强度，提高了封装的可靠性及芯片的稳定性，解决了在当前QFN或DFN封装中，由于贴片胶外溢出基岛、塑封料熔融后与基岛的结合面小，进而出现影响QFN或DFN产品可靠性和稳定性的问题。
[0016]2、当熔融的塑封料在框架基体上延展时进入到半蚀刻支架中，由于半蚀刻支架本身存在一定的深度，熔融的塑封料在半蚀刻支架内填充，由于多个全蚀刻椭圆孔的存在，增加了半蚀刻支架内塑封料的结合面积，配合凹槽同时提高了整个框架基体上塑封料的附着强度。
附图说明
[0017]图1是本实施例提供的一种QFN或DFN的封装结构的俯视结构示意图；
[0018]图2是本实施例提供的一种QFN或DFN的封装结构的仰视结构示意图；
[0019]图3是图1中A
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A面的示意图。
[0020]图中：1、框架基体；2、凹槽；3、半蚀刻支架；4、基岛；5、引脚；6、蚀刻区；7、焊线；8、塑封料；9、芯片；10、全蚀刻椭圆孔。
具体实施方式
[0021]下面结合附图对本技术作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案，而不能以此来限制本技术的保护范围。
[0022]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、
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底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制，在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0023]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
实施例
[0024]参见图1和图2，一种QFN或DFN的封装结构，包括框架基体1和凹槽2；框架基体1包括基岛固定区和蚀刻区6，基岛固定区设置于框架基体1的中部；基岛固定区设有基岛4，基岛4位于基岛固定区的中部；基岛4上连接有芯片9，凹槽设置于基岛4上并围绕芯片9分布，具体的，凹槽2的数量为四个，凹槽2为半蚀刻异形槽，四个凹槽2对应芯片9的四个侧边分布；凹槽2为半蚀刻异形槽，凹槽2的形状可以为：十字形、方形，环形等，可以根据实际需求决定，本实施例中半蚀刻异形槽为十字形设置，十字形半蚀刻异形槽的宽度≥0.2.mm，且十字形半蚀刻异形槽距离基岛4的距离≥0.2mm，十字形半蚀刻异形槽的深度为框架基体1厚度的1/2~2/3。
[0025]蚀刻区6开设于基岛固定区的外侧，蚀刻区6的数量为四个，四个蚀刻区6均布在基岛4的四周，每个蚀刻区6都与其对应的框架基体1的侧边平行，蚀刻区6为穿透蚀刻，深度为框架基体1的厚度，蚀刻区6内连接有引脚5，引脚5上连接有用于连接芯片9的焊线7。
[0026]框架基体1的顶部设有用于隔开蚀刻区6与基岛4的半蚀刻支架3，半蚀刻支架3围绕基岛4环形开设，同时半蚀刻支架3的四边角也将四个蚀刻区6两两分隔开，半蚀刻支架3具有一定的深度，半蚀刻支架3的深度为框架基体1厚度的1/2~2/3。
[0027]参见图3，半蚀刻支架3、蚀刻区6和凹槽2中均填充有塑封料8，在塑封完成后，冷却的塑封料8为固态，固态塑封料8由颗粒料堆砌而成，塑封前固态塑封料8会被加热为熔融态，以此包裹芯片9和框架基体1；在塑封时，基岛4上添加熔融塑封料8，这些熔融塑封料8能够流入凹槽2中，并在凹槽2中固化成型，避免出现在基岛4过小或芯片9过大时，塑封料8与基岛4结合面过小的情况，增加了基岛4与塑封料8的结合面积，有效增加了塑封料8与框架基体1的附着强度，且在贴片时，外溢的贴片胶能够流入凹槽2中，凹槽2可阻挡过多的贴片胶延展至基岛4的边缘，确保芯片9的稳定性。
[0028]参见图1和图3，半蚀刻支架3中设有多个全蚀刻椭圆孔10，全蚀刻椭圆孔10在半蚀刻支架3中均匀分布，当熔融的塑封料8在框架基体1上延展时进入到半蚀刻支架3中，由于半蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种QFN或DFN的封装结构，其特征在于，包括框架基体和凹槽；所述框架基体包括基岛固定区和蚀刻区，所述基岛固定区设置于框架基体的中部；所述蚀刻区分布于基岛固定区的外侧；所述基岛固定区设有基岛，所述基岛上设有芯片，所述凹槽设置于基岛上并围绕芯片分布。2.根据权利要求1所述的一种QFN或DFN的封装结构，其特征在于，所述凹槽的数量为四个，所述凹槽为半蚀刻异形槽。3.根据权利要求2所述的一种QFN或DFN的封装结构，其特征在于，所述半蚀刻异形槽为十字形设置，十字形所述半蚀刻异形槽的宽度≥0.2.mm，十字形所述半蚀刻异形槽距离基岛的距离≥0.2mm，十字形所述半蚀刻异形槽的深度为框架基体厚度的1/2~2/3。4.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡小林，张尚飞，张永银，穆云飞，
申请(专利权)人：南京矽邦半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：