高纯锑粒制备装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术高纯锑粒制备装置，属于高纯金属材料成形领域，目的是提高所需粒径锑粒的成品率。包括化料釜、滴料管、接料管和虹吸管；釜盖的惰性气体加注口上连接带有进气调节阀的气体加注管道；排气口上连接带有废气调节阀的排气管道；滴料管设置于化料釜的下方；接料管与滴料管的滴料口对中；虹吸管的锑液入口位于化料釜内，锑液出口延伸至滴料管内，气体入口向上延伸至虹吸管安装口；滴料加热器上安装有与进气调节阀负反馈控制连接的对射式激光传感器；气压传感器与废气调节阀负反馈控制连接。可控制滴料孔处的锑液压力恒定，制出锑粒的粒径差异性较小，满足粒径需求的锑粒成品率高达到90％。且制粒前一次性投料，提高了安全性，降低了环境污染。降低了环境污染。降低了环境污染。

【技术实现步骤摘要】
高纯锑粒制备装置


[0001]本技术属于高纯金属材料成形
，具体的是高纯锑粒制备装置。

技术介绍

[0002]高纯锑粒主要用于电子致冷元件材料以及锗、硅单晶掺杂剂等。也可用在溅射靶面材料上，如大规模集成电路溅射材料。是红外探测器材料生产不可或缺的部分，同时也是先进半导体技术发展中的关键材料。
[0003]现有制备高纯锑粒状的方法是：将一锥型漏斗放入立式电阻炉中，物料依靠人工少量间断性投入锥型漏斗后，从漏斗下方滴至冷却容器中冷凝形成粒状。此方法有以下弊端：
[0004]1、由于间断性少量投入，对于不同批次的物料杂质分布不均匀；
[0005]2、每次投料的间隔时间和投料量依靠人工经验判断，锥形管内出现液面高度随时会发生变化，制出锑粒的粒径差异性较大，所需粒径锑粒成品率低，经实践表面所需粒径锑粒成品率最高不超过80％；
[0006]3、需要操作人员在炉体旁不断投入物料，劳动强度大自动化程度低，且每次投料需要取下顶部盖子，导致物料接触空气造成氧化，且投料时处于高温环境且有锑蒸汽溢出，对操作安全和周围环境造成影响。

技术实现思路

[0007]本技术的目的是为了解决传统方式制备的锑粒粒径差异大的问题，提供一种高纯锑粒制备装置，提高所需粒径锑粒的成品率。
[0008]本技术采用的技术方案是：高纯锑粒制备装置，包括化料釜、滴料管、接料管和虹吸管；所述化料釜包括顶部敞口的釜体和盖在釜体顶部敞口的与釜体密封连接的釜盖，釜盖上设置有与釜体内腔相连通的惰性气体加注口、排气口和虹吸管安装口，惰性气体加注口上连接带有进气调节阀的气体加注管道；排气口上连接带有废气流量的废气调节阀的排气管道；并设置有检测化料釜内气压的气压传感器；所述虹吸管为三通管，包括锑液入口、锑液出口和气体入口；
[0009]沿竖向，所述滴料管设置于化料釜的下方并与化料釜之间密封连接；接料管设置于滴料管下方并与滴料管的滴料口对中；所述虹吸管设置于化料釜内，其锑液入口位于化料釜内，锑液出口穿过化料釜的釜底延伸至滴料管内，气体入口向上延伸至虹吸管安装口；
[0010]滴料加热器的中上部安装有对射式激光传感器，对射式激光传感器与电动进气调节阀负反馈控制连接；所述气压传感器与废气调节阀负反馈控制连接。
[0011]进一步的，还包括化料加热器、滴料加热器和接料加热器；所述釜体安装于化料加热器内；所述滴料管安装于滴料加热器内；所述接料管设置于接料加热器内。
[0012]进一步的，在化料釜的釜底设置有套管，所述滴料管设置于套管内，所述套管的顶端延伸至化料釜的釜底，底端向下延伸至接料管的液位线之下。
[0013]进一步的，还设置有惰性气体通入管一，所述惰性气体通入管一与虹吸管安装口相连接，并在惰性气体通入管一上设置有控制阀一。
[0014]进一步的，所述接料管的管壁上设置有进液口和溢流口；所述溢流口临近接料管的管口设置，且沿竖向，溢流口位于套管底端的上方；沿竖向，所述进液口位于溢流口下方。
[0015]进一步的，所述接料管的管壁上设置有惰性气体通入口，惰性气体通入管二的一端穿过惰性气体通入口由套管的底端敞口延伸至套管内，并在惰性气体通入管二上设置有气体控制阀。
[0016]进一步的，还包括固定支架，所述化料系统和滴料系统支撑于固定支架上；在固定支架底部设置有安置空间；在安置空气内设置有移动支架，所述接料管安装于移动支架上。
[0017]进一步的，所述釜体的釜底的内壁呈弧形的曲面，外壁为平面。
[0018]本技术的有益效果是：本技术公开的高纯锑粒制备装置，通过化料釜等化料系统的设置，制粒前一次性投料，制粒过程中不需要操作人员在炉体旁不断投入物料，降低了劳动强度，避免了投料时需要取下顶部盖子产生物料接触空气氧化、高温辐射和溢出锑蒸汽，提高了产品质量和操作安全性，降低了对周围环境影响。
[0019]可一次性投入足够量的锑原料，待全部熔化锑液充分混合后开始制粒，对于不同批次的锑料杂质分布均匀。
[0020]通过设置对射式激光传感器测量滴料管液位高度，与电动进气调节阀形成负反馈控制，稳定滴料管中的液位高度，使滴料孔处的锑液压力恒定，制出锑粒的粒径差异性较小，满足粒径需求的锑粒成品率高，一次成品率可达到90％。
附图说明
[0021]图1为本技术结构示意图。
[0022]图中，化料加热器1、釜体2、釜盖3、惰性气体加注口3A、虹吸管安装口3B、排气口3C、废气调节阀4、排气管道4A、控制阀一5、惰性气体通入管一5A、进气调节阀6、气体加注管道6A、气压传感器7、虹吸管8、出液段8A、进液段8B、输气段8C、锑液入口81、锑液出口82、化料热电偶9、对射式激光传感器10、滴料加热器11、滴料热电偶12、固定支架13、气体控制阀14、惰性气体通入管二14A、接料加热器15、接料热电偶16、接料管17、进液口17A、溢流口17B、惰性气体通入口17C、移动支架18、进液管19A、进液阀19、溢流管20、滴料管21、滴料管固定装置22、套管23。
具体实施方式
[0023]下面结合附图和实施例对本技术做进一步的说明如下：
[0024]高纯锑粒制备装置，如图1所示，包括化料系统、滴料系统、接料系统和虹吸管8；
[0025]所述化料系统包括化料加热器1和化料釜；
[0026]所述化料釜包括顶部敞口的釜体2和盖在釜体2顶部敞口的与釜体2密封连接的釜盖3；所述釜体2安装于化料加热器1内；
[0027]所述滴料系统包括滴料加热器11和滴料管21，所述滴料管21安装于滴料加热器11内；
[0028]所述接料系统包括接料加热器15和接料管17，所述接料管17设置于接料加热器15
内；
[0029]沿竖向，所述滴料管21设置于化料釜的下方，滴料管21与化料釜之间密封连接；所述虹吸管8设置于化料釜与滴料管21之间，虹吸管8的锑液入口81位于化料釜内，锑液出口82穿过化料釜的釜底延伸至滴料管21内；接料管17设置于滴料管21下方并与滴料管21的滴料口对中。
[0030]本技术公开的高纯锑粒制备装置，化料系统用于将锑料熔化成锑液。打开釜盖3，将锑料一次性投入到釜体2内，盖上釜盖3，使锑料在釜体2与釜盖3包围形成的腔体内被化料加热器1加热熔化成锑液。釜盖3与釜体2之间密封连接，例如采用对磨连接或者采用密封条进行密封连接等，避免锑蒸汽从釜盖3与釜体2的连接缝处溢出。该结构，制粒前一次性投料，制粒过程中不需要操作人员在炉体旁不断投入锑料，避免了投料时需要取下顶部盖子产生锑料接触空气氧化、高温辐射和溢出锑蒸汽等现象，提高了产品质量和操作安全性，降低了对周围环境影响。而一次性投入锑料，待锑料全部熔化成锑液充分混合后开始制粒，对于不同批次的锑料杂质分布均匀。
[0031]滴料系统用于将锑液呈液滴状滴出，为锑液制成颗粒状创造条件。釜体2内的锑液流入滴料管21内，从滴料管21的滴料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.高纯锑粒制备装置，其特征在于：包括化料釜、滴料管(21)、接料管(17)和虹吸管(8)；所述化料釜包括顶部敞口的釜体(2)和盖在釜体(2)顶部敞口的与釜体(2)密封连接的釜盖(3)，釜盖(3)上设置有与釜体(2)内腔相连通的惰性气体加注口(3A)、排气口(3C)和虹吸管安装口(3B)，惰性气体加注口(3A)上连接带有进气调节阀(6)的气体加注管道(6A)；排气口(3C)上连接带有废气流量的废气调节阀(4)的排气管道(4A)；并设置有检测化料釜内气压的气压传感器(7)；所述虹吸管(8)为三通管，包括锑液入口(81)、锑液出口(82)和气体入口；沿竖向，所述滴料管(21)设置于化料釜的下方并与化料釜之间密封连接；接料管(17)设置于滴料管(21)下方并与滴料管(21)的滴料口对中；所述虹吸管(8)设置于化料釜内，其锑液入口(81)位于化料釜内，锑液出口(82)穿过化料釜的釜底延伸至滴料管(21)内，气体入口向上延伸至虹吸管安装口(3B)；滴料加热器(11)的中上部安装有对射式激光传感器(10)，对射式激光传感器(10)与电动进气调节阀(6)负反馈控制连接；所述气压传感器(7)与废气调节阀(4)负反馈控制连接。2.如权利要求1所述的高纯锑粒制备装置，其特征在于：还包括化料加热器(1)、滴料加热器(11)和接料加热器(15)；所述釜体(2)安装于化料加热器(1)内；所述滴料管(21)安装于滴料加热器(11)内；所述接料管(17)设置于接料加热器(15)内。3.如权利要求2所述的高纯锑粒制备装置，其特征在于：在化料釜的釜底设置有...

【专利技术属性】
技术研发人员：张程，雷聪，雷云棣，杨武勇，蒋杰昌，张静全，王文武，
申请(专利权)人：峨嵋半导体材料研究所，
类型：新型
国别省市：