发光元件制造方法以及发光元件阵列衬底和显示装置制造方法及图纸

提供了一种制造发光元件的方法、以及包括该发光元件的发光元件阵列衬底和显示装置。制造发光元件的方法包括：形成包括多个突起和杆区域的基础衬底，杆区域是除了多个突起之外的剩余区域；在基础衬底上形成缓冲层；在缓冲层上形成包括第一半导体材料层、发光材料层和第二半导体材料层的半导体结构；在半导体结构上形成与杆区域重叠的多个掩模图案；通过利用多个掩模图案去除半导体结构的与多个突起重叠的部分来形成多个元件杆；在多个元件杆中的每个的外表面周围形成绝缘膜；以及将其上形成有绝缘膜的多个元件杆与缓冲层分离。绝缘膜的多个元件杆与缓冲层分离。绝缘膜的多个元件杆与缓冲层分离。

【技术实现步骤摘要】
发光元件制造方法以及发光元件阵列衬底和显示装置


[0001]本公开的实施方式的方面涉及一种制造发光元件的方法、以及包括该发光元件的发光元件阵列衬底和显示装置。

技术介绍

[0002]随着多媒体的发展，显示装置越来越重要。因此，正在使用各种类型的显示装置，诸如有机发光显示(OLED)装置、液晶显示(LCD)装置等。
[0003]显示装置是显示图像的装置，并且包括显示面板，诸如OLED面板或LCD面板。其中，显示装置可以包括发光元件作为发光显示面板。例如，发光二极管(LED)可以包括使用有机材料作为荧光材料的有机LED、使用无机材料作为荧光材料的无机LED等。

技术实现思路

[0004]根据本公开的实施方式的方面，提供了一种通过减少穿透位错(位错缺陷)来改善发光效率的制造发光元件的方法。
[0005]根据本公开的实施方式的其它方面，提供了一种发光元件阵列衬底以及由该发光元件阵列衬底制成的显示装置，在该发光元件阵列衬底中，通过减少穿透位错来改善发光效率。
[0006]根据本公开的一个或多个实施方式，制造发光元件的方法包括：形成包括多个突起和杆区域的基础衬底，杆区域是除了多个突起之外的剩余区域；在基础衬底上形成缓冲层；在缓冲层上形成包括第一半导体材料层、发光材料层和第二半导体材料层的半导体结构；在半导体结构上形成与杆区域重叠的多个掩模图案；通过利用多个掩模图案去除半导体结构的与多个突起重叠的部分来形成多个元件杆；在多个元件杆中的每个的外表面周围形成绝缘膜；以及将其上形成有绝缘膜的多个元件杆与缓冲层分离。
[0007]在实施方式中，多个突起彼此间隔开，以及杆区域在多个突起之间是连续的。
[0008]在实施方式中，多个突起形成为点状物类型，以及杆区域形成为网格类型。
[0009]在实施方式中，多个突起中的每个具有圆锥形状或棱锥形状。
[0010]在实施方式中，在分离多个元件杆之前，多个元件杆形成为与杆区域重叠且不与多个突起重叠。
[0011]在实施方式中，多个元件杆中的每个形成为与多个突起中的一个突起的平面形状的顶点相邻。
[0012]在实施方式中，多个元件杆中的每个与多个突起中的一个突起的至少一部分重叠。
[0013]在实施方式中，多个元件杆中的每个形成为与多个突起中的一个突起的平面形状的至少一个侧边重叠。
[0014]在实施方式中，在形成半导体结构时，第一半导体材料层形成在缓冲层上，发光材料层形成在第一半导体材料层上，以及第二半导体材料层形成在发光材料层上。
[0015]在实施方式中，形成半导体结构还包括：在缓冲层与第一半导体材料层之间形成电极材料层或在第二半导体材料层上形成电极材料层。
[0016]根据本公开的一个或多个实施方式，发光元件阵列衬底包括：基础衬底，包括多个突起和杆区域，杆区域是除了多个突起之外的剩余区域；缓冲层，在基础衬底上；多个元件杆，在缓冲层上彼此间隔开，并且各自包括与杆区域重叠的第一半导体材料层、发光材料层、第二半导体材料层和电极材料层；以及绝缘膜，在多个元件杆中的每个的外表面周围。
[0017]在实施方式中，多个元件杆不与多个突起重叠。
[0018]在实施方式中，多个元件杆中的每个与多个突起中的一个突起的平面形状的顶点相邻。
[0019]在实施方式中，多个元件杆中的每个的至少一部分与多个突起中的一个突起重叠。
[0020]在实施方式中，多个元件杆中的每个的与多个突起中的一个突起重叠的至少一部分的平面面积为多个元件杆中的每个的平面面积的50％或更小。
[0021]在实施方式中，多个元件杆中的每个与多个突起中的一个突起的平面形状的至少一个侧边重叠。
[0022]在实施方式中，当利用紫外光照射发光元件阵列衬底使得多个元件杆发光时，多个元件杆中正常发光的元件杆的比例为35％或更大。
[0023]在实施方式中，多个突起中的每个具有圆锥形状或棱锥形状。
[0024]在实施方式中，发光材料层布置在第一半导体材料层上，以及第二半导体材料层布置在发光材料层上。
[0025]根据本公开的一个或多个实施方式，显示装置包括：第一电极和第二电极，在一方向上延伸并且彼此间隔开；绝缘层，在第一电极和第二电极上；多个发光元件，在绝缘层上在第一电极和第二电极之间；以及第一接触电极和第二接触电极，第一接触电极与多个发光元件中的每个的第一端部分接触，第二接触电极与多个发光元件中的每个的第二端部分接触，其中，当利用紫外光照射多个发光元件以使多个发光元件发光时，多个发光元件中正常发光的发光元件的比例为35％或更大。
[0026]然而，本公开的方面和目的不限于上述方面和目的，并且根据以下描述，本公开的其它方面和目的将对本领域的技术人员显而易见。
附图说明
[0027]通过参考附图更详细地描述本公开的一些实施方式，本公开的以上和其它方面和特征将变得更加显而易见，在附图中：
[0028]图1是根据实施方式的显示装置的示意性平面图；
[0029]图2是示出根据实施方式的显示装置的像素的平面图；
[0030]图3是沿着图2的线Q1
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Q1'、Q2
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Q2'和Q3
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Q3'截取的剖视图；
[0031]图4是示出根据实施方式的发光元件的立体图；
[0032]图5是示出根据实施方式的制造发光元件的方法的流程图；
[0033]图6至图15是示出根据实施方式的发光元件的制造工艺的视图；
[0034]图16是示出根据另一实施方式的发光元件的制造工艺的剖视图；
[0035]图17是示出根据另一实施方式的发光元件的制造工艺的平面图；
[0036]图18是示出根据实施方式的发光元件阵列衬底的立体图；
[0037]图19是根据制造示例的发光元件阵列衬底的全色阴极发光图像；以及
[0038]图20是根据制造示例的发光元件阵列衬底的发光图像。
具体实施方式
[0039]现在将参考示出了本专利技术的一些实施方式的附图在本文中更全面地描述本专利技术。然而，本专利技术可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是透彻且完整的，并且将向本领域的技术人员充分传达本专利技术的范围。
[0040]将理解的是，当层被称为在另一层或衬底“上”时，其可以直接在另一层或衬底上，或者也可以存在一个或多个居间的层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同或相似的部件。
[0041]将理解的是，虽然本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不背离本专利技术的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
[0042]本公开的各种实施方式的特征中的每个可以部分地或整体地彼此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.制造发光元件的方法，所述方法包括：形成包括多个突起和杆区域的基础衬底，所述杆区域是除了所述多个突起之外的剩余区域；在所述基础衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成包括第一半导体材料层、发光材料层和第二半导体材料层的半导体结构；在所述半导体结构上形成与所述杆区域重叠的多个掩模图案；通过利用所述多个掩模图案去除所述半导体结构的与所述多个突起重叠的部分来形成多个元件杆；在所述多个元件杆中的每个的外表面周围形成绝缘膜；以及将其上形成有所述绝缘膜的所述多个元件杆与所述缓冲层分离。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个突起彼此间隔开，以及所述杆区域在所述多个突起之间是连续的。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述多个突起形成为点状物类型，以及所述杆区域形成为网格类型。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个突起中的每个具有圆锥形状或棱锥形状。5.根据权利要求1所述的方法，其中，在分离所述多个元件杆之前，所述多个元件杆形成为与所述杆区域重叠且不与所述多个突起重叠。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述多个元件杆中的每个形成为与所述多个突起中的一个突起的平面形状的顶点相邻。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个元件杆中的每个与所述多个突起中的一个突起的至少一部分重叠。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述多个元件杆中的每个形成为与所述多个突起中的所述一个突起的平面形状的至少一个侧边重叠。9.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述半导体结构时，所述第一半导体材料层形成在所述缓冲层上，所述发光材料层形成在所述第一半导体材料层上，以及所述第二半导体材料层形成在所述发光材料层上。10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述半导体结构还包括：在所述缓冲层与所述第一半导体材料层之间形成电极材料层或在所述第二半导体材料层上形成所述电极材料层。11.发光元件阵列衬底，包括：基础衬底，包括多个突起和杆区域，所述杆区域是除了所述多个突起之外的剩余区域；缓冲层，在所述基础衬底上；多个元...

【专利技术属性】
技术研发人员：申美香，延基荣，金度衡，卢敬来，安娜丽，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：