发射线监视电路系统及相关方法、装置和系统制造方法及图纸

公开发射线监视电路系统及相关方法、装置和系统。一种存储器装置可包含若干熔丝，以及被配置成从所述若干熔丝发射数据的若干发射线。所述存储器装置还可包含若干监视电路。所述若干监视电路的每一监视电路耦合到所述若干发射线中的发射线。每一监视电路包括被配置成经由所述发射线从所述若干熔丝接收所述数据的逻辑。所述逻辑进一步被配置成生成响应于所述数据且指示所述发射线的合格/不合格状态的结果。的结果。的结果。

【技术实现步骤摘要】
发射线监视电路系统及相关方法、装置和系统
[0001]优先权主张
[0002]本申请要求2020年11月16日提交的第17/098,865号美国专利申请“发射线监视电路系统及相关方法、装置和系统(TRANSMIT LINE MONITORING CIRCUITRY,AND RELATED METHODS,DEVICES,AND SYSTEMS)”的申请日的权益。


[0003]本公开的实施例涉及监视电路系统。更确切地说，各种实施例涉及包含发射线监视电路系统的装置，且涉及相关方法和系统。

技术介绍

[0004]存储器装置通常被提供为计算机或其它电子系统中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含例如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、双数据速率存储器(DDR)、低功率双数据速率存储器(LPDDR)、相变存储器(PCM)和快闪存储器。
[0005]存储器装置包含被配置成保持充电或表示数据位的其它物理状态的许多存储器单元。通常，这些存储器单元布置成存储器阵列。可通过经由相关联字线驱动器选择性地激活存储器单元来将数据写入到存储器单元或从存储器单元检索数据。

技术实现思路

[0006]本公开的各种实施例可包含一种装置。所述装置可包含若干熔丝，以及被配置成从所述若干熔丝发射数据的若干发射线。所述装置还可包含若干监视电路，其中所述若干监视电路的每一监视电路耦合到所述若干发射线中的发射线。此外，每一监视电路可包含被配置成经由发射线从所述若干熔丝接收数据的逻辑。所述逻辑还可以被配置成生成响应于所述数据且指示发射线的合格/不合格状态的结果。
[0007]本公开的一或多个其它实施例包含一种操作存储器装置的方法。所述方法可包含经由若干发射线的每一发射线将数据从若干熔丝发射到若干监视电路的每一监视电路。所述方法还可包含经由每一监视电路对所述数据执行若干逻辑运算以生成若干结果。此外，所述方法可包含至少部分基于所述若干结果生成合格指示符或不合格指示符。
[0008]本公开的额外实施例包含一种电子系统。电子系统可包含至少一个输入装置、至少一个输出装置，以及可操作地耦合到输入装置和输出装置的至少一个处理器装置。电子系统还可包含至少一个存储器装置，其可操作地耦合到所述至少一个处理器装置且包括耦合到所述存储器装置的若干熔丝的若干发射线。所述存储器装置还可包含耦合到所述若干发射线的每一发射线的逻辑。所述逻辑可被配置成经由发射线从若干熔丝接收数据。所述逻辑还可以被配置成针对每一发射线生成响应于所述数据且指示发射线的合格/不合格状态的结果。此外，所述逻辑可被配置成至少部分基于针对所述若干发射线的每一发射线生
成的结果生成合格或不合格旗标。
附图说明
[0009]图1是根据本公开的各种实施例的实例存储器装置的框图。
[0010]图2描绘根据本公开的各种实施例的包含熔丝阵列、若干发射线和若干监视电路的实例存储器装置的一部分。
[0011]图3示出根据本公开的各种实施例的包含监视电路的另一实例存储器装置。
[0012]图4描绘根据本公开的各种实施例的实例监视电路的一部分。
[0013]图5示出根据本公开的各种实施例的实例锁存电路系统。
[0014]图6描绘根据本公开的各种实施例的监视电路的实例逻辑。
[0015]图7是根据本公开的各种实施例的实例测试模式发射线监视器的框图。
[0016]图8描绘根据本公开的各种实施例的用于监视测试模式控制线的实例电路系统。
[0017]图9是描绘图8中展示的各种循环和相位信号的时序图。
[0018]图10A
‑
10C描绘根据本公开的各种实施例的用于对熔丝数据执行一或多个逻辑运算的各种实例逻辑电路。
[0019]图11是根据本公开的各种实施例的操作存储器装置的实例方法的流程图。
[0020]图12是根据本公开的各种实施例的存储器装置的简化框图。
[0021]图13是根据本公开的各种实施例的电子系统的简化框图。
具体实施方式
[0022]如将了解，可能在制造半导体装置之后出现半导体装置的质量问题。举例来说，用于发射对半导体装置的适当功能性重要的信息的发射线(例如，从熔丝阵列延伸到至少一个锁存器)可能随时间降级和/或变得无功能性。
[0023]本文所描述的各种实施例涉及监视从装置(例如，半导体存储器装置)的熔丝阵列发射的熔丝和/或测试模式信息。在一些实施例中，每一发射线(在本文中也被称为“发射通路”)可包含用于对相关联发射线执行测试(例如，通过对经由发射线从熔丝阵列发射的数据执行一或多个运算)的监视电路。根据各种实施例，每一监视电路可被配置成生成指示相关联发射线的状态(例如，相关联发射线是否通过了测试)的结果。此外，在一些实施例中，所述装置可至少部分基于经由监视电路中的一或多个生成的结果生成合格指示符或不合格指示符。
[0024]根据一些实施例，装置(例如，半导体存储器装置)的一或多个监视电路可响应于装置的通电而执行测试。更确切地说，举例来说，响应于通电，数据(例如，熔丝和/或测试模式信息)可发射(“广播”)到熔丝阵列(例如，以对熔丝阵列进行编程)。随后，数据可从熔丝阵列发射到若干监视电路(即，经由若干发射线)以根据本文中所公开的各种实施例进行测试。
[0025]尽管本文中参考存储器装置描述各种实施例，但本公开不限于此，且所述实施例可通常适用于可或可不包含半导体装置和/或存储器装置的微电子装置。现将参考附图阐述本公开的实施例。
[0026]图1是示出根据本公开的至少一个实施例的实例存储器装置100的功能框图。存储
器装置100可包含(例如)DRAM(动态随机存取存储器)、SRAM(静态随机存取存储器)、SDRAM(同步动态随机存取存储器)、DDR SDRAM(双数据速率SDRAM，例如DDR4 SDRAM等)，或SGRAM(同步图形随机存取存储器)。可集成在半导体芯片上的存储器装置100可包含存储器阵列102。
[0027]在图1的实施例中，存储器阵列102展示为包含八个存储器组BANK0
‑
7。更多或更少组可包含在其它实施例的存储器阵列102中。每一存储器组包含若干存取线(字线WL)、若干数据线(位线BL和/BL)，以及布置在所述若干字线WL与所述若干位线BL和/BL的相交点处的若干存储器单元MC。字线WL的选择可由行解码器104执行，且位线BL和/BL的选择可由列解码器106执行。在图1的实施例中，行解码器104可包含用于每一存储器组BANK0
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7的相应行解码器，且列解码器106可包含用于每一存储器组BANK0
‑
7的相应列解码器。
[0028]位线BL和/BL耦本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种装置，其包括：若干熔丝；若干发射线，其被配置成从所述若干熔丝发射数据；以及若干监视电路，其中所述若干监视电路的每一监视电路耦合到所述若干发射线中的发射线，其中每一监视电路包括被配置成进行以下操作的逻辑：经由所述发射线从所述若干熔丝接收所述数据；以及生成响应于所述数据且指示所述发射线的合格/不合格状态的结果。2.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括额外逻辑，所述额外逻辑被配置成至少部分基于经由所述若干监视电路生成的所述结果生成合格指示符或不合格指示符。3.根据权利要求1所述的装置，其中每一监视电路进一步包括被配置成锁存第一位群组的第一锁存器和被配置成锁存第二位群组的第二锁存器。4.根据权利要求1所述的装置，其中所述若干监视电路的每一监视电路定位于相关联发射线的端部处或附近。5.根据权利要求1所述的装置，其中所述若干发射线包括若干熔丝发射线和若干测试模式发射线。6.根据权利要求1所述的装置，其中每一监视电路包括被配置成监视用于所述发射线的相位和循环信号的相位/循环监视电路。7.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括用于将测试数据写入到所述若干熔丝的电路系统。8.根据权利要求7所述的装置，其中写入到所述若干熔丝的所述测试数据包括：第一位群组，其具有以高值开始且在高值和低值之间交替的位序列；以及第二位群组，其具有以低值开始且在低值和高值之间交替的位序列。9.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括若干熔丝锁存器，所述若干熔丝锁存器的每一熔丝锁存器被配置成从所述若干熔丝的一或多个熔丝接收所述数据的一部分且将所述数据的所述部分发射到所述逻辑。10.一种操作存储器装置的方法，其包括：经由若干发射线的每一发射线将数据从若干熔丝发射到若干监视电路的每一监视电路；经由每一监视电路对所述数据执行若干逻辑运算以生成若干结果；以及至少部分基于所述若干结果生成合格指示符或不合格指示符。11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括用测试数据对所述若干熔丝进行编程。12.根据权利要求11所述的方法，其中用测试数据对所述若干熔丝进行编程包括：用以高值开始且在高值和低值之间交替的位序列对第一组所述若干熔丝进行编程；以及用以低值开始且在低值和高值之间交替的位序列对第二组所述若干熔丝进行编程。13.根据权利要求11所述的方法，其中生成合格指示符或不合格指示符包括：响应于所述测试数据与从所述若干...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤原敬典，D，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：