电活性化合物制造技术

提供了一种具有式(I)的化合物。在式I中＝Ar1是烃芳基、杂芳基、或其经取代的衍生物；并且Q具有式(Q1)、(Q2)或(Q3)。本文详细描述了这些变量。些变量。些变量。些变量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电活性化合物
[0001]在先申请的权益的要求
[0002]本申请要求于2019年7月31日提交的美国临时申请号62/881155的权益，该临时申请通过援引以其全文并入本文。

技术介绍


[0003]本公开总体上涉及电活性化合物及其在电子装置中的用途。
[0004]相关技术说明
[0005]发光的有机电子装置(如构成显示器的发光二极管)存在于许多不同种类的电子设备中。在所有此类装置中，有机活性层夹在两个电接触层之间。这些电接触层中的至少一个是透光的，使得光可以穿过电接触层。在横跨电接触层施加电流时，有机活性层穿过透光的电接触层发射光。
[0006]在发光二极管中将有机电致发光化合物用作活性组分是众所周知的。已知简单的有机分子(如蒽、噻二唑衍生物、和香豆素衍生物)显示出电致发光。还已知金属复合物、特别是铱复合物和铂复合物显示出电致发光。在一些情况下，这些小分子化合物作为掺杂剂存在于主体材料中以改善加工特性和/或电子特性。
[0007]持续需要可以用作主体或电致发光材料的新的电活性化合物。

技术实现思路

[0008]提供了一种具有式I的化合物
[0009][0010]其中：
[0011]Ar1选自由以下组成的组：烃芳基、杂芳基、以及其经取代的衍生物；
[0012]Q选自由以下组成的组：式Q1、式Q2、以及式Q3
[0013][0014]其中：
[0015]Ar2选自由以下组成的组：烃芳基、杂芳基以及其经取代的衍生物；
[0016]Ar3在每次出现时是相同或不同的，并且选自由以下组成的组：苯基、萘基、以及其经取代的衍生物；
[0017]Y在每次出现时是相同或不同的，并且选自由以下组成的组：O、S和Se；
[0018]FR表示选自由以下组成的组的稠环系统：具有额外4
‑
18个环碳的稠合烃芳基环、具有额外4
‑
18个环碳和至少一个环杂原子的稠合杂芳基环、以及其经取代的衍生物；
[0019]R1、R2和R4在每次出现时是相同或不同的，并且选自由以下组成的组：D、F、CN、烷基、氟烷基、烃芳基、杂芳基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代烃芳基、氘代杂芳基、氘代杂芳基氘代甲硅烷基和氘代甲锗烷基，其中相邻的R2基团可以连接在一起以形成稠合烃芳环或杂芳环；
[0020]R3选自由以下组成的组：H、D、F、CN、烷基、氟烷基、烃芳基、杂芳基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代烃芳基、氘代杂芳基、氘代杂芳基氘代甲硅烷基和氘代甲锗烷基；
[0021]a是0
‑
8的整数；
[0022]b是0
‑
1的整数；
[0023]c是0
‑
4的整数；
[0024]d是0
‑
3的整数；
[0025]e是0至可用键合位点的最大数的整数；并且
[0026]*指示所标识的式中的附接点。
[0027]还提供了一种有机电子装置，其包括第一电接触层、第二电接触层和在其间的光活性层，该光活性层包含具有式I的化合物。
[0028]前面的一般性说明和以下详细说明仅是示例性的和解释性的，并且不限制如所附权利要求书所限定的本专利技术。
附图说明
[0029]附图中示出了实施例，以提高对如本文提出的概念的理解。
[0030]图1包括有机电子装置的一个实例的图示，该有机电子装置包括本文所述的新的化合物。
[0031]图2包括有机电子装置的另一个实例的图示，该有机电子装置包括本文所述的新
的化合物。
[0032]技术人员应理解，图中的物体是为了简化和清楚而示出的，并且不一定是按比例绘制的。例如，图中的一些物体的尺寸相对于其他物体可能有所放大，以帮助提高对实施例的理解。
具体实施方式
[0033]许多方面和实施例已在上文中描述并且仅是示例性的且非限制性的。在阅读本说明书后，本领域技术人员将理解的是，在不背离本专利技术的范围的情况下，其他方面和实施例是可能的。
[0034]从以下详细说明和从权利要求书中，任何一个或多个实施例的其他特征和益处将是清楚的。具体实施方式首先提出术语的定义和阐明，随后是具有式I的化合物、装置、以及最后的实例。
[0035]1.术语的定义和阐明
[0036]在提出下述实施例的详情之前，定义或阐明一些术语。
[0037]除非另外具体定义，否则R、R
’
、R”和任何其他变量是通用命名。本文中给出式的具体定义控制该式。
[0038]术语“相邻的”在其涉及取代基时是指键合到用单键或多键连接在一起的碳上的基团。以下示出示例性相邻的R基团：
[0039][0040]术语“烷氧基”旨在意指基团RO
‑
，其中R是烷基。
[0041]术语“烷基”旨在意指衍生自脂肪族烃的基团并且包括直链、支链、或环状基团。“衍生自”化合物的基团指示通过去除一个或多个H或D形成的基团。
[0042]在一些实施例中，烷基具有1
‑
20个碳原子。
[0043]术语“芳香族化合物”旨在意指包含至少一个具有4n+2离域π电子的不饱和环状基团的有机化合物。
[0044]术语“芳基”旨在意指衍生自芳香族烃的具有一个或多个附接点的基团。该术语包括具有单环的基团以及具有可以通过单键连接或稠合在一起的多个环的基团。烃芳基在环结构中仅具有碳。杂芳基在环结构中具有至少一个杂原子。
[0045]术语“烷芳基”旨在意指具有一个或多个烷基取代基的芳基。
[0046]术语“芳氧基”旨在意指基团RO
‑
，其中R是芳基。
[0047]当涉及层、材料、构件、或结构时，术语“电荷传输”旨在意指此类层、材料、构件、或结构促进此类电荷以相对效率和小的电荷损失穿过此类层、材料、构件、或结构的厚度的迁移。空穴传输材料有利于正电荷；电子传输材料有利于负电荷。尽管发光材料也可以具有一些电荷传输特性，但是术语“电荷传输层、材料、构件、或结构”不旨在包括主要功能是发光的层、材料、构件、或结构。
[0048]术语“氘代的”旨在意指至少一个氢(“H”)已被氘(“D”)替换。术语“氘代类似物”是
指具有相同结构但是其中一个或多个可用氢已被氘替换的化合物或基团的类似物。在氘代化合物或氘代类似物中，氘以天然丰度水平的至少100倍存在。术语“％氘代的”或“％氘代”旨在意指氘核与质子加氘核的总和的比率，以百分比表示。
[0049]术语“掺杂剂”旨在意指包括主体材料的层内的材料，与在没有这种材料的情况下该层的辐射发射、接收、或过滤的一种或多种电子特性或一个或多个波长相比，该材料改变该层的辐射发射、接收、或过滤的一种或多种电子特性或一个或多个目标波长。
[0050]术语“甲锗烷基”是指基团R3Ge
‑
，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种具有式I的化合物其中＝Ar1选自由以下组成的组：烃芳基、杂芳基、以及其经取代的衍生物；Q选自由以下组成的组：式Q1、式Q2、以及式Q3其中＝Ar2选自由以下组成的组：烃芳基、杂芳基、以及其经取代的衍生物；Ar3在每次出现时是相同或不同的，并且选自由以下组成的组：苯基、萘基、以及其经取代的衍生物；Y在每次出现时是相同或不同的，并且选自由以下组成的组：O、S和Se；FR表示选自由以下组成的组的稠环系统：具有额外4
‑
18个环碳的稠合烃芳基环、具有额外4
‑
18个环碳和至少一个环杂原子的稠合杂芳基环、以及其经取代的衍生物；R1、R2和R4在每次出现时是相同或不同的，并且选自由以下组成的组：D、F、CN、烷基、氟烷基、烃芳基、杂芳基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代烃芳基、氘代杂芳基、氘代杂芳基氘代甲硅烷基和氘代甲锗烷基，其中相邻的R2基团能够连接在一起以形成稠合烃芳环或杂芳环；R3选自由以下组成的组：H、D、F、CN、烷基、氟烷基、烃芳基、杂芳基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代烃芳基、氘代杂芳基、氘代杂芳基氘代甲硅烷基和氘代甲锗烷基；a是0
‑
8的整数；b是0
‑
1的整数；c是0
‑
4的整数；d是0
‑
3的整数；e是0至可...

【专利技术属性】
技术研发人员：G，
申请(专利权)人：杜邦电子公司，
类型：发明
国别省市：