本实用新型专利技术涉及一种等离子设备，等离子设备包括等离子发生组件、气流引导结构及进气组件，等离子发生组件包括两个等离子电极。两个间隔设置的等离子电极形成等离子腔，以使等离子腔能够形成等离子场。当进气组件通过进气口进气至等离子腔内，实现气体在等离子腔内的电离，形成等离子气体。由于气流引导结构设置于进气口处，气流引导结构上的分流孔与等离子腔连通，进而进气组件通过气流引导结构进气至等离子腔内时，需要经过分流孔的引流。利用气流引导结构上的分流孔，实现对进气组件喷出的气流的引导引流作用，进而便于使得气流通过分流孔后能够更加均匀地分布于等离子腔内，提高等离子体的产生效率，进而提高等离子体处理的效率。率。率。
【技术实现步骤摘要】
等离子设备
[0001]本技术涉及等离子
，特别是涉及等离子设备。
技术介绍
[0002]等离子处理设备广泛应用于等离子清洗、刻蚀、等离子镀、等离子涂覆、等离子灰化和表面活化、改性等场合。但是，传统的等离子处理设备中，气体进入到两个电极之间形成的等离子空间，由于气流在两个电极之间分布不均匀，进而导致两个电极之间的等离子分布不均匀，进而导致气体在电极之间只能部分电离，产生等离子体的效率较低，导致进行等离子体处理的效率降低。
技术实现思路
[0003]本技术针对上述问题，提出了一种能够提高气体分布的均匀程度进而提高等离子处理效率的等离子设备。
[0004]一种等离子设备，所述等离子设备包括等离子发生组件、气流引导结构及进气组件，所述等离子发生组件包括两个等离子电极，两个所述等离子电极间隔设置，且两个所述等离子电极之间的空间形成为等离子腔，两个所述等离子电极的一侧边之间的间隔形成与所述等离子腔连通的进气口；所述气流引导结构上开设有至少两个分流孔，各个所述分流孔间隔设置，所述气流引导结构设置于所述进气口处，以使所述分流孔与所述等离子腔连通；所述进气组件设置于所述气流引导结构背向于所述等离子腔的一侧，所述进气组件能够通过所述分流孔进气至所述等离子腔。
[0005]在其中一个实施例中，所述气流引导结构设置于两个所述等离子电极之间，且所述气流引导结构朝向所述等离子电极的一侧与该等离子电极之间具有间距。
[0006]在其中一个实施例中，所述进气组件包括至少两个进气管道，至少两个所述进气管道设置于所述气流引导结构背向于所述等离子腔的一侧，且其中至少一所述进气管道对位于所述气流引导结构与一所述等离子电极之间的间隙，至少另一所述进气管道对位于所述气流引导结构与另一所述等离子电极之间的间隙。
[0007]在其中一个实施例中，所述分流孔的数量为多个，多个所述分流孔间隔排列，且多个所述分流孔的排列方向与一所述等离子电极朝向另一所述等离子电极的方向相交。
[0008]在其中一个实施例中，所述分流孔的尺寸与该分流孔所在位置的气流流速呈负相关关系。
[0009]在其中一个实施例中，各个所述分流孔在所述气流引导结构上的分布密度与所述分流孔所在位置的气流流速呈负相关关系。
[0010]在其中一个实施例中，所述气流引导结构朝向所述进气组件的表面为光滑平面或光滑弧面。
[0011]在其中一个实施例中，所述的等离子设备还包括置料框架，所述置料框架设置于所述等离子腔内并与所述等离子电极间隔设置，所述置料框架内形成有置料插槽，所述置
料插槽贯穿所述置料框架朝向所述进气口的一侧形成连通口，所述气流引导结构设置于所述置料框架的连通口上，并覆盖所述连通口，以使所述分流孔与所述置料插槽连通。
[0012]在其中一个实施例中，所述连通口的尺寸大于所述分流孔的尺寸。
[0013]在其中一个实施例中，所述的等离子设备还包括等离子箱体，所述等离子电极设置于所述等离子箱体内，所述进气口形成于所述等离子腔的顶壁，所述进气组件设置所述等离子箱体的顶壁上。
[0014]上述等离子设备，两个间隔设置的等离子电极形成等离子腔，以使等离子腔能够形成等离子场。当进气组件通过进气口进气至等离子腔内，实现气体在等离子腔内的电离，形成等离子气体。由于气流引导结构设置于进气口处，气流引导结构上的分流孔与等离子腔连通，进而进气组件通过气流引导结构进气至等离子腔内时，需要经过分流孔的引流。利用气流引导结构上的分流孔，实现对进气组件喷出的气流的引导引流作用，进而便于使得气流通过分流孔后能够更加均匀地分布于等离子腔内，提高等离子体的产生效率，进而提高等离子体处理的效率。
附图说明
[0015]构成本申请的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。
[0016]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]此外，附图并不是1:1的比例绘制，并且各个元件的相对尺寸在附图中仅示例地绘制，而不一定按照真实比例绘制。在附图中：
[0018]图1为一实施例中的等离子设备的俯视图；
[0019]图2为图1所述等离子设备的局部结构示意图；
[0020]图3为图2中的气流引导结构的侧视图；
[0021]图4为图3所示的气流引导结构的俯视图；
[0022]图5为图3中A处的放大图；
[0023]图6为图1中B处的放大图。
[0024]附图标记说明：
[0025]10、等离子设备；100、等离子发生组件；110、等离子电极；120、等离子腔；130、进气口；200、气流引导结构；210、分流孔；220、安装部；222、安装孔；230、抵接部；300、进气组件；310、进气管道；400、置料框架；410、置料插槽；500、等离子箱体。
具体实施方式
[0026]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进，因此本技术不受下面公
开的具体实施例的限制。
[0027]参阅图1至图3，本技术一实施例中的等离子设备10，用于实现等离子加工。具体地，等离子设备10包括等离子发生组件100、气流引导结构200及进气组件300。所述等离子发生组件100包括两个等离子电极110，两个所述等离子电极110间隔设置，且两个所述等离子电极110之间的空间形成为等离子腔120，两个所述等离子电极110的一侧边之间的间隔形成与所述等离子腔120连通的进气口130；所述气流引导结构200上开设有至少两个分流孔210，各个所述分流孔210间隔设置，所述气流引导结构200设置于所述进气口130处，以使所述分流孔210与所述等离子腔120连通；所述进气组件300设置于所述气流引导结构200背向于所述等离子腔120的一侧，所述进气组件300能够通过所述分流孔210进气至所述等离子腔120。
[0028]当进气组件300通过进气口130进气至等离子腔120内，实现气体在等离子腔120内的电离，形成等离子气体。由于气流引导结构200设置于进气口130处，气流引导结构200上的分流孔210与等离子腔120连通，进而进气组件300通过气流引导结构200进气至等离子腔120内时，需要经过分流孔210的引流。利用气流引导结构200上的分流孔210，实现对进气组件300喷出的气流的引导引流作用，进而便于使得气流通过分流孔2本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子设备，其特征在于，所述等离子设备包括：等离子发生组件，所述等离子发生组件包括两个等离子电极，两个所述等离子电极间隔设置，且两个所述等离子电极之间的空间形成为等离子腔，两个所述等离子电极的一侧边之间的间隔形成与所述等离子腔连通的进气口；气流引导结构，所述气流引导结构上开设有至少两个分流孔，各个所述分流孔间隔设置，所述气流引导结构设置于所述进气口处，以使所述分流孔与所述等离子腔连通；及进气组件，所述进气组件设置于所述气流引导结构背向于所述等离子腔的一侧，所述进气组件能够通过所述分流孔进气至所述等离子腔。2.根据权利要求1所述的等离子设备，其特征在于，所述气流引导结构设置于两个所述等离子电极之间，且所述气流引导结构朝向所述等离子电极的一侧与该等离子电极之间具有间距。3.根据权利要求2所述的等离子设备，其特征在于，所述进气组件包括至少两个进气管道，至少两个所述进气管道设置于所述气流引导结构背向于所述等离子腔的一侧，且其中至少一所述进气管道对位于所述气流引导结构与一所述等离子电极之间的间隙，至少另一所述进气管道对位于所述气流引导结构与另一所述等离子电极之间的间隙。4.根据权利要求1所述的等离子设备，其特征在于，所述分流孔的数量为多个，多个所述分流孔间隔排列，且多个所述分流孔的排列方向与...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕尚亿，梁冠雄，丁雪苗，赵芝强，赵公魄，
申请(专利权)人：珠海宝丰堂电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。