本实用新型专利技术涉及电力电子技术领域,具体地说,涉及一种可自供电的功率开关用自供电电路,包括桥式整流二极管、多个有极性电容、Vbus线路、电阻Rst、电阻Rcs、电阻R1、电阻R2、芯片模块、多个二极管、变压器Np、变压器Ns、Line Bop模块。本实用新型专利技术的自供电电路的优点是集成自供电模块,无需辅助绕组,节省成本并且具备快速启动功能便于维持设备的运行。速启动功能便于维持设备的运行。速启动功能便于维持设备的运行。
【技术实现步骤摘要】
一种可自供电的功率开关用自供电电路
[0001]本技术涉及电力电子
,具体地说,涉及一种可自供电的功率开关用自供电电路。
技术介绍
[0002]自供电电路是用于在设备当电力系统中的电力元件如发电机、线路等或电力系统本身发生了故障时的设备采用自供电继续运行的电路,因此自供电电路的可靠性对保持设备运行至关重要,然而现有的自供电电路需要设有辅助模块成本较高,并且启动速度较慢,因此需要一种可节省成本并且启动速度快的用于功率开关的自供电电路。
技术实现思路
[0003]本技术的目的在于提供一种可自供电的功率开关用自供电电路,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的,本技术提供一种可自供电的功率开关用自供电电路,包括桥式整流二极管、多个有极性电容、Vbus线路、电阻Rst、电阻Rcs、电阻R1、电阻R2、芯片模块、多个二极管、变压器Np、变压器Ns、Line Bop 模块。
[0005]作为本技术方案的进一步改进,
[0006]所述桥式整流二极管的两个接点分别接火线和零线,另外两个接点中一个接地,另一个接所述有极性电容和所述Vbus线路,所述有极性电容接地;
[0007]所述Vbus线路连接有所述电阻Rst,所述电阻Rst与所述芯片模块的7 脚OB端口相连接,所述Vbus线路与所述芯片模块的5脚C端口、6脚C端口相连接,所述芯片模块5脚C端口和所述芯片模块6脚C端口与所述电阻Rst 相并联;
[0008]所述芯片模块1脚GND端口连接有所述电阻R1和所述电阻Rcs,所述电阻R1和所述电阻Rcs相并联,所述电阻R1连接有所述电阻R2,所述电阻R2 连接有所述变压器Np并接地,所述变压器Np与所述芯片模块2脚CS端口相连接;
[0009]所述芯片模块4脚VDD端口和所述芯片模块1脚GND端口相并联;
[0010]所述芯片模块3脚FB模块连接有所述电阻R1和所述电阻R2;
[0011]所述变压器Np连接有所述变压器Ns,所述变压器Ns一端连接有二极管,所述变压器Ns并联所述有极性电容和电阻。
[0012]作为本技术方案的进一步改进,所述Line Bop模块包括多个NPN型三极管、二极管D1、增强型效应管S1、增强型效应管S2、增强型效应管S4。
[0013]作为本技术方案的进一步改进,
[0014]所述Vbus线路连接有所述电阻Rst,所述电阻Rst连接有所述芯片模块 OB端口,所述芯片模块OB端口连接有两个所述NPN型三极管和所述增强型效应管S2;
[0015]一个NPN型三极管连接有所述芯片模块C端口、所述增强型效应管S1和所述二极管D1,所述增强型效应管S1和所述二极管D1并联,所述二极管D1 连接有所述芯片模块VDD端
口,所述增强型效应管S1连接有所述芯片模块的 GND端口;
[0016]另一个NPN型三极管连接有所述增强型效应管S4并与所述增强型效应管 S2和所述增强型效应管S1相并联;
[0017]所述增强型效应管S4连接有Ibop。
[0018]作为本技术方案的进一步改进,所述Ibop设定值为7uA。
[0019]作为本技术方案的进一步改进,所述芯片模块采取预关断电压不调节加“前沿控制”方式。
[0020]与现有技术相比,本技术的有益效果:
[0021]1、该可自供电的功率开关用自供电电路中,集成自供电模块无需设置变压器辅助绕组以及辅助供电二极管,降低成本并且电路的响应启动速度快。
附图说明
[0022]图1为本技术的自供电电路示意图;
[0023]图2为本技术的对比电路示意图;
[0024]图3为本技术的Line Bop功能电路示意图;
[0025]图4为本技术的自供电原理图;
[0026]图5为本技术的自供电示意表。
具体实施方式
[0027]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0028]实施例1
[0029]请参阅图1
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图2,图4
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图5所示,本实施例提供一种可自供电的功率开关用自供电电路,包括桥式整流二极管、多个有极性电容、Vbus线路、电阻 Rst、电阻Rcs、电阻R1、电阻R2、芯片模块、多个二极管、变压器Np、变压器Ns、Line Bop模块。
[0030]进一步的,桥式整流二极管的两个接点分别接火线和零线,另外两个接点中一个接地,另一个接有极性电容和Vbus线路,有极性电容接地;
[0031]Vbus线路连接有电阻Rst,电阻Rst与芯片模块的7脚OB端口相连接, Vbus线路与芯片模块的5脚C端口、6脚C端口相连接,芯片模块5脚C端口和芯片模块6脚C端口与电阻Rst相并联;
[0032]芯片模块1脚GND端口连接有电阻R1和电阻Rcs,电阻R1和电阻Rcs相并联,电阻R1连接有电阻R2,电阻R2连接有变压器Np并接地,变压器Np 与芯片模块2脚CS端口相连接;
[0033]芯片模块4脚VDD端口和芯片模块1脚GND端口相并联;
[0034]芯片模块3脚FB模块连接有电阻R1和电阻R2;
[0035]变压器Np连接有变压器Ns,变压器Ns一端连接有二极管,变压器Ns并联有极性电容和电阻。
[0036]进一步的,Line Bop模块包括多个NPN型三极管、二极管D1、增强型效应管S1、增强
型效应管S2、增强型效应管S4。
[0037]再进一步的,Vbus线路连接有电阻Rst,电阻Rst连接有芯片模块OB端口,芯片模块OB端口连接有两个NPN型三极管和增强型效应管S2;
[0038]一个NPN型三极管连接有芯片模块C端口、增强型效应管S1和二极管D1,增强型效应管S1和二极管D1并联,二极管D1连接有芯片模块VDD端口,增强型效应管S1连接有芯片模块的GND端口;
[0039]另一个NPN型三极管连接有增强型效应管S4并与增强型效应管S2和增强型效应管S1相并联;
[0040]增强型效应管S4连接有Ibop。
[0041]更进一步的,Ibop设定值为7uA。
[0042]此外,芯片模块采取预关断电压不调节加“前沿控制”方式,即增强型效应管S1关断滞后于预关断一段时间,三极管BJT关断时增强型效应管S1 开通,优点是VDD控制环路和主电路环路解耦。
[0043]本实施例的芯片模块采用KP219X,KP219X的VDD开启电压为6.1V,VDD 关断电压为4.7V,VDD的OVP阈值为8.6V,KP219X的电流采样门限值为550mA本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可自供电的功率开关用自供电电路,其特征在于:包括桥式整流二极管、多个有极性电容、Vbus线路、电阻Rst、电阻Rcs、电阻R1、电阻R2、芯片模块、多个二极管、变压器Np、变压器Ns、Line Bop模块;所述桥式整流二极管的两个接点分别接火线和零线,另外两个接点中一个接地,另一个接所述有极性电容和所述Vbus线路,所述有极性电容接地;所述Vbus线路连接有所述电阻Rst,所述电阻Rst与所述芯片模块的7脚OB端口相连接,所述Vbus线路与所述芯片模块的5脚C端口、6脚C端口相连接,所述芯片模块5脚C端口和所述芯片模块6脚C端口与所述电阻Rst相并联;所述芯片模块1脚GND端口连接有所述电阻R1和所述电阻Rcs,所述电阻R1和所述电阻Rcs相并联,所述电阻R1连接有所述电阻R2,所述电阻R2连接有所述变压器Np并接地,所述变压器Np与所述芯片模块2脚CS端口相连接;所述芯片模块4脚VDD端口和所述芯片模块1脚GND端口相并联;所述芯片模块3脚FB模块连接有所述电阻R1和所述电阻R2;所述变压器Np连接有所述变压器Ns,所述变压器Ns一端连接有二极管,所述变压器Ns并联所述有极性...
【专利技术属性】
技术研发人员:万亚庆,
申请(专利权)人:互勤深圳科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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