一种便捷式大直径硅片片盒清洗工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种便捷式大直径硅片片盒清洗工艺，其清洗工艺包括以下步骤：S1、首先进行温水预清洗，片盒通过一定温度的温水喷淋达到祛除片盒表面颗粒及金属离子，喷淋的过程片盒低速正向旋转和反向旋转一定时间，根据实际需求进行选择，在进行低温纯水清洗，片盒通过一定温度低温水喷淋达到二次清洁片盒表面颗粒及金属离子，喷淋的过程片盒低速正向旋转和反向旋转一定时间，根据实际需求进行选择，S2、然后进行低温最终清洗。本发明专利技术可以主要配合一种便捷式大直径片盒清洗机而设定的一种新型工艺，进行更有效的去除硅片片盒表面的颗粒杂质和金属离子，提高硅片表面洁净度，防止硅片的二次污染。的二次污染。的二次污染。

【技术实现步骤摘要】
一种便捷式大直径硅片片盒清洗工艺


[0001]本专利技术涉及硅片生产
，具体为一种便捷式大直径硅片片盒清洗工艺。

技术介绍

[0002]在进行硅片生产加工的过程中需要使用片盒，但是随着硅片尺寸的增大，相应的片盒逐渐增大，对于片盒的洁净程度要求越来越高，目前只采用单一纯水喷淋，去除片盒表面的颗粒杂质和金属离子，然后只进行单一热烘干，以此保证片盒表面洁净度，导致片盒的表面清洁效果不佳，片盒表面的洁净度较低。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种便捷式大直径硅片片盒清洗工艺，以解决上述
技术介绍
中提出的在进行硅片生产加工的过程中需要使用片盒，但是随着硅片尺寸的增大，相应的片盒逐渐增大，对于片盒的洁净程度要求越来越高，目前只采用单一纯水喷淋，去除片盒表面的颗粒杂质和金属离子，然后只进行单一热烘干，以此保证片盒表面洁净度，导致片盒的表面清洁效果不佳，片盒表面的洁净度较低的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种便捷式大直径硅片片盒清洗工艺，其清洗工艺包括以下步骤：
[0005]S1、首先进行温水预清洗，片盒通过一定温度的温水喷淋达到祛除片盒表面颗粒及金属离子，喷淋的过程片盒低速正向旋转和反向旋转一定时间，根据实际需求进行选择，在进行低温纯水清洗，片盒通过一定温度低温水喷淋达到二次清洁片盒表面颗粒及金属离子，喷淋的过程片盒低速正向旋转和反向旋转一定时间，根据实际需求进行选择。
[0006]S2、然后进行低温最终清洗，片盒通过一定温度的低温水喷淋达到最终清洁片盒表面颗粒及金属离子，喷淋的过程片盒低速正向旋转和反向旋转一定时间，根据实际需求进行选择，再进行片盒高温干燥，片盒通过一定温度的高温烘干，片盒通过高速正向旋转和反向旋转一定时间，对片盒进行预烘干效果，除去片盒表面大量的纯水，根据实际需求进行选择。
[0007]S3、最后进行中高温干燥，片盒通过一定温度的中高温烘干，片盒进行高速和低速交替并正向旋转和反向旋转一定时间，进行两个循环，通过高低速和正反向旋转能够全方位的除去片盒表面纯水，在进行高低温交替干燥，片盒通过高速和一定温度的中高温烘干一定时间与低速和一定温度的低温烘干一定时间的步骤，片盒进行高速中高温和低速低温交替并正向旋转和反向旋转上述时间，进行两个循环，将片盒表面的颗粒粒子和金属离子进行去除，并彻底进行片盒干燥，并且进行静置缓冲后下载即可。
[0008]优选的，所述温水预清洗的温水喷淋温度为40
‑
50℃，且喷淋的过程片盒低速正向旋转和反向旋转的时间为30
‑
90s。
[0009]优选的，所述低温纯水二次清洗温水喷淋和低温最终清洗的温度皆为15
‑
25℃，且二次清洗喷淋和低温最终清洗的过程片盒低速正向旋转和反向旋转时间皆为30
‑
90s。
[0010]优选的，所述片盒高温干燥1的烘干温度为60
‑
70℃，且片盒通过高速正向旋转和反向旋转的时间为240
‑
360s。
[0011]优选的，所述中高温干燥烘干的温度为55
‑
65℃，且片盒进行高速和低速交替并正向旋转和反向旋转时间为90
‑
150s。
[0012]优选的，所述高低温交替干燥片盒通过高速烘干温度和时间分别为55
‑
65℃和50
‑
70s，且片盒通过低速烘干温度和时间分别为10
‑
30℃和90
‑
150s。
[0013]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术可以主要配合一种便捷式大直径片盒清洗机而设定的一种新型工艺，进行更有效的去除硅片片盒表面的颗粒杂质和金属离子，提高硅片表面洁净度，防止硅片的二次污染。
附图说明
[0014]图1为本专利技术的片盒清洁流程框图。
具体实施方式
[0015]下面对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0016]实施例一：
[0017]参阅图1，本实施例的清洗工艺包括以下步骤：
[0018]S1、首先进行温水预清洗，片盒通过一定温度的温水喷淋达到祛除片盒表面颗粒及金属离子，喷淋的过程片盒低速正向旋转和反向旋转一定时间，根据实际需求进行选择，在进行低温纯水清洗，片盒通过一定温度低温水喷淋达到二次清洁片盒表面颗粒及金属离子，喷淋的过程片盒低速正向旋转和反向旋转一定时间，根据实际需求进行选择。
[0019]S2、然后进行低温最终清洗，片盒通过一定温度的低温水喷淋达到最终清洁片盒表面颗粒及金属离子，喷淋的过程片盒低速正向旋转和反向旋转一定时间，根据实际需求进行选择，再进行片盒高温干燥，片盒通过一定温度的高温烘干，片盒通过高速正向旋转和反向旋转一定时间，对片盒进行预烘干效果，除去片盒表面大量的纯水，根据实际需求进行选择。
[0020]S3、最后进行中高温干燥，片盒通过一定温度的中高温烘干，片盒进行高速和低速交替并正向旋转和反向旋转一定时间，进行两个循环，通过高低速和正反向旋转能够全方位的除去片盒表面纯水，在进行高低温交替干燥，片盒通过高速和一定温度的中高温烘干一定时间与低速和一定温度的低温烘干一定时间的步骤，片盒进行高速中高温和低速低温交替并正向旋转和反向旋转上述时间，进行两个循环，将片盒表面的颗粒粒子和金属离子进行去除，并彻底进行片盒干燥，并且进行静置缓冲后下载即可。
[0021]本实施例中，温水预清洗的温水喷淋温度为40
‑
50℃，且喷淋的过程片盒低速正向旋转和反向旋转的时间为30
‑
90s。
[0022]本实施例中，低温纯水二次清洗温水喷淋和低温最终清洗的温度皆为15
‑
25℃，且二次清洗喷淋和低温最终清洗的过程片盒低速正向旋转和反向旋转时间皆为30
‑
90s。
[0023]本实施例中，片盒高温干燥1的烘干温度为60
‑
70℃，且片盒通过高速正向旋转和反向旋转的时间为240
‑
360s。
[0024]本实施例中，中高温干燥烘干的温度为55
‑
65℃，且片盒进行高速和低速交替并正向旋转和反向旋转时间为90
‑
150s。
[0025]本实施例中，高低温交替干燥片盒通过高速烘干温度和时间分别为55
‑
65℃和50
‑
70s，且片盒通过低速烘干温度和时间分别为10
‑
30℃和90
‑
150s。
[0026]实验结果表明本专利技术相较于原工艺方法能够大大提高片盒表面的洁净度。
[0027]实施例二：
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种便捷式大直径硅片片盒清洗工艺，其特征在于：其清洗工艺包括以下步骤：S1、首先进行温水预清洗，片盒通过一定温度的温水喷淋达到祛除片盒表面颗粒及金属离子，喷淋的过程片盒低速正向旋转和反向旋转一定时间，根据实际需求进行选择，在进行低温纯水清洗，片盒通过一定温度低温水喷淋达到二次清洁片盒表面颗粒及金属离子，喷淋的过程片盒低速正向旋转和反向旋转一定时间，根据实际需求进行选择；S2、然后进行低温最终清洗，片盒通过一定温度的低温水喷淋达到最终清洁片盒表面颗粒及金属离子，喷淋的过程片盒低速正向旋转和反向旋转一定时间，根据实际需求进行选择，再进行片盒高温干燥，片盒通过一定温度的高温烘干，片盒通过高速正向旋转和反向旋转一定时间，对片盒进行预烘干效果，除去片盒表面大量的纯水，根据实际需求进行选择；S3、最后进行中高温干燥，片盒通过一定温度的中高温烘干，片盒进行高速和低速交替并正向旋转和反向旋转一定时间，进行两个循环，通过高低速和正反向旋转能够全方位的除去片盒表面纯水，在进行高低温交替干燥，片盒通过高速和一定温度的中高温烘干一定时间与低速和一定温度的低温烘干一定时间的步骤，片盒进行高速中高温和低速低温交替并正向旋转和反向旋转上述时间，进行两个循环，将片盒表面的颗粒粒子和金属离子进行去除，并彻底进行片盒干燥，并且进行静置缓冲后下载即可。2.根据权利要求1所述的一种便捷式大直径硅片片盒清洗工艺，其特征在于：所述温水预清...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨路肖，张宏杰，刘建伟，武卫，刘姣龙，祝斌，袁祥龙，雍琪浩，
申请(专利权)人：中环领先半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：