一种半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术提出了一种半导体器件的制备方法，包括：将晶圆正面键合至载板；将晶圆的背面减薄至预设厚度后，完成背面元件工艺；将晶圆转移至载盘，将晶圆和载盘的周边间隙至少部分采用第一聚亚酰胺封止，将载板与晶圆解键合，移除载板载板；移除第一聚亚酰胺，并完成离子激活；将晶圆和载盘的周边间隙至少部分采用第二聚亚酰胺封止，以将晶圆后固定至载盘内；完成晶圆的正面的元件工艺。该方法将晶圆键合至载板完成晶圆背面元件工艺，转移至载盘完成高温离子激活后，采用第二聚亚酰胺封止固定晶圆，进行晶圆正面元件工艺的制备，避免了高温回火的高温损坏，且晶圆制备的不同阶段，采用载板、载盘等固定支撑，提高了晶圆加工制备的便利性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。

技术介绍

[0002]晶圆加工制备过程中，涉及晶圆表面离子高温回火激活工艺，由于高温回火温度较高，载板、黏着层、释放层及聚亚酰胺层等无法承受高温，因此，无法对键合至载板的晶圆直接进行高温离子回火工艺。另外，晶圆的正反面均涉及表面元器件加工，在加工过程中需要固定支撑，如何合理设计晶圆制备流程，影响晶圆的制备效率和加工质量。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题是如何在晶圆制备过程中，如何避免高温离子回火工艺产生的影响，提高晶圆的制备效率和质量，本专利技术提出一种半导体器件的制备方法。
[0004]根据本专利技术实施例的半导体器件的制备方法，包括：
[0005]将晶圆正面键合至载板；
[0006]将所述晶圆的背面减薄至预设厚度后，完成背面元件工艺；
[0007]将所述晶圆转移至载盘，将所述晶圆和所述载盘的周边间隙至少部分采用第一聚亚酰胺封止，将所述载板与所述晶圆解键合，移除所述载板载板；
[0008]移除所述第一聚亚酰胺，并完成离子激活；
[0009]将所述晶圆和所述载盘的周边间隙至少部分采用第二聚亚酰胺封止，以将所述晶圆后固定至所述载盘内；
[0010]完成所述晶圆的正面的元件工艺。
[0011]根据本专利技术实施例的半导体器件的制备方法，通过将晶圆的正面键合至载板完成晶圆背面的减薄和背面元件工艺，然后将晶圆转移至载盘中完成高温离子激活，完成离子激活后，采用第二聚亚酰胺封止固定晶圆，以进行晶圆正面元件工艺的制备，整个制备流程中，避免了高温回火对聚亚酰胺、载板、释放层、黏着层的损坏，且晶圆制备的不同阶段，采用载板、载盘等固定支撑，提高了晶圆加工制备的便利性。
[0012]根据本专利技术的一些实施例，将所述晶圆和所述载盘的周边间隙至少部分采用第一聚亚酰胺封止，包括：
[0013]将所述晶圆放置于所述载盘的凹槽内；
[0014]对所述晶圆的外周缘与所述凹槽的内周壁间的至少部分间隙采用第一聚亚酰胺封止。
[0015]在本专利技术的一些实施例中，所述离子激活具体包括：
[0016]对晶圆进行离子注入；
[0017]将完成离子注入的晶圆进行热处理。
[0018]根据本专利技术的一些实施例，所述离子包括磷离子和氢离子，所述热处理包括：通过炉管对晶圆进行回火，所述回火的温度为400℃至800℃。
[0019]在本专利技术的一些实施例中，在将晶圆正面键合至载板前，所述制备方法还包括：
[0020]在晶圆和/或所述载板的表面制备释放层和黏着层。
[0021]根据本专利技术的一些实施例，将所述晶圆转移至载盘，对所述载板与所述晶圆解键合后，所述方法还包括：
[0022]去除所晶圆表面的述释放层或黏着层。
[0023]在本专利技术的一些实施例中，所述晶圆的正面的元件工艺包括：
[0024]在所述晶圆的正面制备具有预设图案的聚亚酰胺层，并制备预设排列层间介质(ILD)；
[0025]在所述层间介质的正面制备金属块；
[0026]在所述金属块的正面化镀金属层。
[0027]根据本专利技术的一些实施例，所述聚亚酰胺层的至少部分镂空区域对应切割道位置。
[0028]在本专利技术的一些实施例中，所述金属层为镍、钯和金中的至少一种金属或多种金属组成的复合金属层。
附图说明
[0029]图1为根据本专利技术实施例的半导体器件的制备方法流程图；
[0030]图2为根据本专利技术实施例的晶圆键合至载板的示意图；
[0031]图3为根据本专利技术实施例的晶圆背面减薄完成背面元件工艺后的示意图；
[0032]图4为根据本专利技术实施例的晶圆转移至第一载片的示意图；
[0033]图5为根据本专利技术实施例的采用第一聚亚酰胺封止晶圆的示意图；
[0034]图6为根据本专利技术实施例的载板解键合移除后示意图；
[0035]图7为根据本专利技术实施例的去除黏着层、第一聚亚酰胺后的示意图；
[0036]图8为根据本专利技术实施例的采用第二聚亚酰胺封止晶圆的示意图；
[0037]图9为根据本专利技术实施例的完成晶圆正面元件工艺的示意图；
[0038]图10为图9中圈示的A部分的局部结构放大图。
[0039]附图标记：
[0040]晶圆10，正面110，背面120，聚亚酰胺层101，层间介质102，金属块103，金属层104，切割道S1，
[0041]载板20，
[0042]载盘310，
[0043]第一聚亚酰胺410，第二聚亚酰胺420，
[0044]释放层50，黏着层60。
具体实施方式
[0045]为更进一步阐述本专利技术为达成预定目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对本专利技术进行详细说明如后。
[0046]本专利技术中说明书中对方法流程的描述及本专利技术说明书附图中流程图的步骤并非必须按步骤标号严格执行，方法步骤是可以改变执行顺序的。而且，可以省略某些步骤，将
多个步骤合并为一个步骤执行，和/或将一个步骤分解为多个步骤执行。
[0047]如图1所示，根据本专利技术实施例的半导体器件的制备方法，包括：
[0048]S100，如图2所示，将晶圆10正面110键合至载板20；
[0049]S200，如图3所示，将晶圆10的背面120减薄至预设厚度后，完成背面120元件工艺；
[0050]S300，如图4所示，将晶圆10转移至载盘310，如图5所示，将晶圆10和载盘310的周边间隙至少部分采用第一聚亚酰胺410封止，如图6所示，将载板20与晶圆10解键合，移除载板20载板20；
[0051]需要说明的是，可以在晶圆10和载盘310周边的部分间隙采用第一聚亚酰胺410封止，由此，可以提高晶圆10封止的效率；也可以在晶圆10和载盘310的全部周边间隙中采用第一聚亚酰胺410封止。由此，可以提高晶圆10的封止效率。
[0052]S400，如图7所示，移除第一聚亚酰胺410，并完成离子激活；
[0053]S500，如图8所示，将晶圆10和载盘310的周边间隙至少部分采用第二聚亚酰胺420封止，以将晶圆10后固定至载盘310内；
[0054]S600，如图9和图10所示，完成晶圆10的正面110的元件工艺。
[0055]根据本专利技术实施例的半导体器件的制备方法，通过将晶圆10的正面110键合至载板20完成晶圆10背面120的减薄和背面120元件工艺，然后将晶圆10转移至载盘310中完成高温离子激活，完成离子激活后，采用第二聚亚酰胺420封止固定晶圆10，以进行晶圆10正面110元件工艺的制备，整个制备流程中，避免了高温回火对聚亚酰胺、载板20、释放层50、黏着层60的损坏，且晶圆10制备的不同阶段，采用载板20、载盘310等固定支撑，提高了晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：将晶圆正面键合至载板；将所述晶圆的背面减薄至预设厚度后，完成背面元件工艺；将所述晶圆转移至第一载盘，将所述晶圆和所述第一载盘的周边间隙至少部分采用第一聚亚酰胺封止，将所述载板与所述晶圆解键合，移除所述载板载板；移除所述第一聚亚酰胺，并完成离子激活；将所述晶圆和所述第一载盘的周边间隙至少部分采用第二聚亚酰胺封止，以将所述晶圆后固定至所述第一载盘内；完成所述晶圆的正面的元件工艺。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，将所述晶圆和所述第一载盘的周边间隙至少部分采用第一聚亚酰胺封止，包括：将所述晶圆放置于所述第一载盘的凹槽内；对所述晶圆的外周缘与所述凹槽的内周壁间的至少部分间隙采用第一聚亚酰胺封止。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述离子激活具体包括：对晶圆进行离子注入；将完成离子注入的晶圆进行热处理。4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述离子包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：严立巍，符德荣，陈政勋，
申请(专利权)人：绍兴同芯成集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：