本实用新型专利技术涉及一种半导体清洗改良装置，包括清洗槽和设置在清洗槽内的硅片夹，清洗槽底部外接有进液管路，清洗槽侧壁外接有溢流管路，硅片夹内侧沿竖直方向并列设置有若干支架，支架上均垂直清洗槽内壁延伸出若干横梁，水平方向相邻横梁之间距离大于硅片厚度，横梁沿竖直方向对齐形成若干纵列，硅片放置在相邻纵列的横梁之间形成的纵向空间。本实用新型专利技术结构简单，通过马达在去离子水浸泡过程中带动硅片夹前后震荡，硅片上的药液与去离子水摩擦接触实现冲洗，提升了清洗效果，使图形密集区的药液及时散开，避免过腐蚀；在喷洗和背洗阶段持续增加新液体，实时溢流排液，改善了清洗槽的换液效果，保证去离子水的清洗能力，节约了水量。水量。水量。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体清洗改良装置
[0001]本技术涉及一种半导体清洗改良装置，属于半导体清洗
技术介绍
[0002]目前集成电路生产中，半导体硅片经过干刻之后，需要通过药液浸泡去除光阻，主要通过浸泡和冲洗进行，流程为：硅片在去离子水浸泡，将浸泡后的药液快速排掉，喷头冲洗，背洗和干燥。
[0003]现有技术方案工件经过去离子水直接浸泡后，再用喷头对硅片进行冲洗，但是因为图形密集区域浸泡后析出的有机溶剂较多，清洗效果不佳，形成溶剂残留造成表面被过腐蚀，表面粗糙。
[0004]并且在清洗过程中随着有机物的不断析出，去离子水中药液含量逐渐升高，此时为了保证清洗效果，需要将整槽的去离子水更换，用量大且时间长。
[0005]因此，本技术提供一种半导体清洗改良装置。
技术实现思路
[0006]为了解决上述技术问题，本技术提供一种半导体清洗改良装置，其具体技术方案如下：
[0007]一种半导体清洗改良装置，包括清洗槽和设置在清洗槽内的硅片夹，所述清洗槽底部外接有进液管路，所述清洗槽侧壁外接有溢流管路，
[0008]所述硅片夹内侧沿竖直方向并列设置有若干支架，所述支架上均垂直清洗槽内壁延伸出若干横梁，水平方向相邻横梁之间距离大于硅片厚度，所述横梁沿竖直方向对齐形成若干纵列，相邻纵列的横梁之间形成纵向空间，硅片放置在纵向空间内。
[0009]进一步的，所述硅片夹顶部设置有轴套，轴套中固定有伸缩杆，所述伸缩杆另一端连接有伸缩马达。
[0010]进一步的，所述清洗槽内壁还设置有液位感知器，所述液位感知器的高度大于溢流管路管口高度。
[0011]进一步的，所述支架和横梁设置在硅片夹的一个侧面。
[0012]进一步的，所述支架和横梁在硅片夹的一组相对内侧对称设置，所述横梁的长度一致，且小于硅片夹宽度的一半。
[0013]本技术的有益效果是：本技术结构简单，通过马达在去离子水浸泡过程中带动硅片夹前后震荡，硅片上的药液与去离子水摩擦接触实现冲洗，提升了清洗效果，使图形密集区的药液及时散开，避免过腐蚀；增加溢流功能，在喷洗和背洗阶段持续增加新液体，实时溢流排液，改善了清洗槽的换液效果，保证去离子水的清洗能力，节约了水量。
附图说明
[0014]图1是本技术的剖面图，
[0015]图2是本技术的另一实施例示意图，
[0016]图中：1—轴套，2—硅片夹，3—液位感知器，4—横梁，5—硅片，6—支架，7—清洗槽，8—进液管路，9—溢流管路，10—伸缩马达，11—伸缩杆。
具体实施方式
[0017]现在结合附图对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成。
[0018]实施例1：
[0019]如图1所示，本技术的半导体清洗改良装置，包括清洗槽7和硅片夹2，硅片夹2设置在清洗槽7内，硅片夹2宽度小于清洗槽7宽度，清洗槽7底部设置有进液管路8，清洗槽7侧壁设置有溢流管路9，进液管路8和溢流管路9均连通清洗槽7内外，清洗槽7内壁设置有液位感知器3，液位感知器3的高度高于溢流管路9管口的高度，当清洗槽7中液面到达液位感知器3时，通过电路调整液体通过进液管路8进入清洗槽7的速度。
[0020]硅片夹2内一个侧面沿竖直方向并列设置有三个水平延伸的支架6，每个支架6均在水平方向并列设置有九个垂直清洗槽7内壁的横梁4，且支架6之间的横梁4上下对齐，相邻水平横梁4之间的距离大于硅片5的厚度，使硅片5可以放入横梁4组成的纵向空间中，得到支撑，且不会被遮挡过多，利于清洗，本实施例可以一次放置八个硅片5。
[0021]硅片夹2顶部设置有轴套1，轴套1内固定有伸缩杆11，伸缩杆11另一端连接有伸缩马达10。
[0022]工作时，将硅片5放入横梁4形成的空隙中，将硅片夹2放入清洗槽7中，通过进液管路8注入去离子水，打开伸缩马达10，伸缩马达10工作带动伸缩杆11和硅片夹2前后震荡移动，帮助洗去药液，在图形密集位置药液能够及时散开，去离子水的水位逐渐上升，液位感知器3的高度高于溢流管路9的管口高度，去离子水在到达液位感知器3之前，先从溢流管路9流出清洗槽7，在不断注入去离子水时，不断排出，保证去离子水的清洗能力，避免了药液残留对表面造成过腐蚀，减少了清洗用去离子水量，同时节省了清洗槽7的换液时间。
[0023]实施例2：
[0024]如图2所示，与实施例1区别之处在于，支架6和横梁4在硅片夹2的一组相对内侧对称设置，其中每一侧面各有3个支架6，每个支架6上各有九个横梁4，横梁4的长度均一致且小于硅片夹2宽度的一半，可以减小横梁4对硅片5的遮挡面积，起到更好的清洗效果。
[0025]以上述依据本技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项技术的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体清洗改良装置，其特征在于：包括清洗槽（7）和设置在清洗槽（7）内的硅片夹（2），所述清洗槽（7）底部外接有进液管路（8），所述清洗槽（7）侧壁外接有溢流管路（9），所述硅片夹（2）内侧沿竖直方向并列设置有若干支架（6），所述支架（6）上均垂直清洗槽（7）内壁延伸出若干横梁（4），水平方向相邻横梁（4）之间距离大于硅片（5）厚度，所述横梁（4）沿竖直方向对齐形成若干纵列，相邻纵列的横梁（4）之间形成纵向空间，硅片（5）放置在纵向空间内。2.根据权利要求1所述的半导体清洗改良装置，其特征在于：所述硅片夹（2）顶部设置有轴套（1...
【专利技术属性】
技术研发人员：康凯，陈旺，康威，覃伯成，
申请(专利权)人：深圳迪道微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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