公开一种发光装置。根据一实施例的发光装置包括：第一半导体堆叠结构，发出多色光；以及红色光源，构成为发出红色光，其中，所述第一半导体堆叠结构包括：n型氮化物半导体层；活性层，位于所述n型氮化物半导体层上；以及p型氮化物半导体层，位于所述活性层上，所述活性层具有堆叠有多个势垒层和多个阱层的多量子阱结构，所述活性层发出多色光。所述活性层发出多色光。所述活性层发出多色光。
【技术实现步骤摘要】
发光装置
[0001]本技术涉及一种发光装置，更详细而言，涉及一种具有多频带光谱的混色发光装置。
技术介绍
[0002]氮化物半导体可以用作显示器装置、信号灯、照明或光通信装置的光源，并且主要用于发出蓝色光或绿色光的发光二极管(light emitting diode)或激光二极管(laser diode)。并且，氮化物半导体还可以用于异质结双极性晶体管(HBT)及高电子迁移率晶体管(HEMT)等。
[0003]通常，利用氮化物半导体的发光二极管具有在N接触层与P接触层之间具有量子阱结构的异质结结构。发光二极管根据量子阱结构内的阱层的组成而发出特定波长的光。为了提高内部量子效率并减少由光吸收引起的损失，发光二极管通常被设计为发出具有单峰值的光谱的光(即，单色光)。但是，使用于照明等的光源通常发出混合有多个波长的光的混合光，因此仅通过具有单峰值的单色光发光二极管难以实现。据此，通常使用如下的技术：一起利用发出彼此不同的单色光的多个发光二极管，或者使用对从发光二极管发出的光进行波长转换的多个荧光体来实现混色光(例如，白色光)。
技术实现思路
[0004]本技术期望解决的技术问题在于提供一种新型结构的发出混色光的发光装置。
[0005]本技术期望解决的技术问题在于提供一种发出具有高显色指数的白色光的发光装置。
[0006]根据本技术的一实施例的一种发光装置包括：第一半导体堆叠结构，发出多色光；以及红色光源，构成为发出红色光。所述第一半导体堆叠结构包括：n型氮化物半导体层；活性层，位于所述n型氮化物半导体层上；以及p型氮化物半导体层，位于所述活性层上，所述活性层具有堆叠有多个势垒层和多个阱层的多量子阱结构，所述活性层发出多色光。
[0007]在本说明书中，术语“多色光”可以表示多频带可视光的混合光。例如，多色光可以是蓝色光和黄色光的混合光。
[0008]在一实施例中，所述红色光源可以包括：荧光体，将从所述第一半导体堆叠结构发出的一部分光波长转换为红色光。
[0009]所述发光装置还可以包括：印刷电路板，其中，所述第一半导体堆叠结构可以布置于所述印刷电路板上。
[0010]进而，所述第一半导体堆叠结构及荧光体可以分别布置于所述印刷电路板上的多个位置。
[0011]在一实施例中，所述红色光源可以包括：第二半导体堆叠结构，发出红色光。
[0012]所述第二半导体堆叠结构可以与所述第一半导体堆叠结构横向隔开而布置。
[0013]所述发光装置还可以包括：印刷电路板，其中，所述第一半导体堆叠结构及所述第二半导体堆叠结构可以分别布置于所述印刷电路板上的多个位置。
[0014]在一实施例中，所述第二半导体堆叠结构可以借由结合层而结合到所述第一半导体堆叠结构。
[0015]所述发光装置还可以包括：基板，布置于所述第一半导体堆叠结构侧，其中，从所述第一半导体堆叠结构生成的多色光及从所述第二半导体堆叠结构生成的红色光可以通过所述基板而发出到外部。
[0016]所述第一半导体堆叠结构和所述第二半导体堆叠结构可以借由结合层而接合，并且所述结合层可以为绝缘层或透明电极。
[0017]所述发光装置还可以包括：第一接合垫，共同地电连接于所述第一半导体堆叠结构及所述第二半导体堆叠结构；以及第二接合垫及第三接合垫，分别电连接于所述第一半导体堆叠结构及所述第二半导体堆叠结构。
[0018]所述第一接合垫可以共同地电连接于所述第一半导体堆叠结构及所述第二半导体堆叠结构的第一导电型半导体层，所述第二接合垫可以电连接于所述第一半导体堆叠结构的第二导电型半导体层，所述第三接合垫可以电连接于所述第二半导体堆叠结构的第二导电型半导体层。
[0019]所述发光装置还可以包括：埋设过孔，将所述第一接合垫至第三接合垫电连接于所述第一导电型半导体层及所述第二导电型半导体层。
[0020]在一实施例中，所述多色光可以包括蓝色光及黄色光。
[0021]根据本技术的一实施例的一种发光装置制造方法包括如下步骤：在第一基板上生长第一半导体堆叠结构而准备第一晶圆；在第二基板上生长第二半导体堆叠结构而准备第二晶圆；在所述第一晶圆接合所述第二晶圆。进而，所述第一半导体堆叠结构包括：n型氮化物半导体层；活性层，位于所述n型氮化物半导体层上；以及p型氮化物半导体层，位于所述活性层上，所述活性层具有堆叠有多个势垒层和多个阱层的多量子阱结构，所述活性层发出多色光。并且，所述第二半导体堆叠结构发出红色光。
[0022]所述发光装置制造方法还可以包括如下步骤：去除所述第一基板或所述第二基板。
[0023]所述发光装置制造方法还可以包括如下步骤：形成与所述第一半导体堆叠结构及所述第二半导体堆叠结构电连接的接合垫，其中，所述接合垫可以包括：第一接合垫，共同地连接于所述第一半导体堆叠结构及所述第二半导体堆叠结构的第一导电型半导体层；以及第二接合垫及第三接合垫，分别连接于所述第一半导体堆叠结构及所述第二半导体堆叠结构的第二导电型半导体层。
[0024]所述发光装置制造方法还可以包括如下步骤：形成用于将所述接合垫连接于所述第一导电型半导体层及所述第二导电型半导体层的埋设过孔。
[0025]所述第一晶圆和所述第二晶圆可以借由结合层而接合，并且所述结合层可以为绝缘层或透明电极。
[0026]所述多色光可以包括蓝色光及黄色光。
[0027]根据本技术的实施例，能够提供一种新型结构的发出混色光的发光装置。
[0028]根据本技术的实施例，能够提供一种发出具有高显色指数的白色光的发光装
置。
附图说明
[0029]图1是用于说明在根据本技术的实施例的发光装置中采用的第一半导体堆叠结构的示意性的剖面图。
[0030]图2A是为了说明根据一实施例的发光二极管而放大示出图1的一部分的示意性的局部剖面图。
[0031]图2B是为了说明根据一实施例的发光二极管而放大示出图2A的一部分的示意性的局部剖面图。
[0032]图3是为了说明根据一实施例的发光二极管而放大示出V型凹坑生成层的示意性的立体图。
[0033]图4是用于说明根据本技术的一实施例的混色发光装置的示意性的剖面图。
[0034]图5A是用于说明根据本技术的又一实施例的混色发光装置的示意性的剖面图。
[0035]图5B是用于说明根据本技术的又一实施例的混色发光装置的示意性的剖面图。
[0036]图6是用于说明根据本技术的又一实施例的混色发光装置的示意性的剖面图。
[0037]图7是用于说明根据本技术的又一实施例的混色发光装置的示意性的平面图。
[0038]图8是用于说明根据本技术的又一实施例的混色发光装置的基本结构的一示例的示意性的剖面图。
[0039]图9是用于说明根据本技术的又一实施例的混色发光装置的基本结构的另一示例的示意性的剖本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：第一半导体堆叠结构，发出多色光；以及红色光源，构成为发出红色光，其中，所述第一半导体堆叠结构包括：n型氮化物半导体层；活性层，位于所述n型氮化物半导体层上；以及p型氮化物半导体层，位于所述活性层上，所述活性层具有堆叠有多个势垒层和多个阱层的多量子阱结构，所述活性层发出多色光。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述红色光源包括：荧光体，将从所述第一半导体堆叠结构发出的一部分光波长转换为红色光。3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，还包括：印刷电路板，其中，所述第一半导体堆叠结构布置于所述印刷电路板上。4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述第一半导体堆叠结构及荧光体分别布置于所述印刷电路板上的多个位置。5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述红色光源包括：第二半导体堆叠结构，发出红色光。6.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于，所述第二半导体堆叠结构与所述第一半导体堆叠结构横向隔开而布置。7.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，还包括：印刷电路板，其中，所述第一半导体堆叠结构及所述第二半导体堆叠结构分别布置于所述印刷电路板上的多个位置。8.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于，所述第二半导体堆叠结构借由结合层而结合到所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李贞勳，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：新型
国别省市：
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