处理装置和处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种处理装置和处理方法，用于削减在搬送室的周围设置有多个气体处理室的基板的处理装置中的向所述气体处理室供给处理气体的气体箱的设置数量。对基板进行处理的处理装置具有：多个处理室，在所述多个处理室中在期望的处理气体的气氛下对所述基板进行处理；多个罐单元，所述多个罐单元与多个所述处理室分别对应地设置，所述罐单元具备用于临时储存所述处理气体的多个罐；以及气体箱，其经由所述罐单元向所述处理室供给处理气体。经由所述罐单元向所述处理室供给处理气体。经由所述罐单元向所述处理室供给处理气体。

【技术实现步骤摘要】
处理装置和处理方法


[0001]本公开涉及基板的处理装置和处理方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1中，公开了在具有搬送被处理体的搬送机构的搬送室的周围连接用于在规定的气体气氛下对被处理体实施规定的处理的多个处理室所得到的处理装置。根据所述处理装置，在各处理室的上部或下部设置有气体箱，该气体箱收容有向各处理室导入的气体的气体控制单元。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2005
‑
243858号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开所涉及的技术用于削减在搬送室的周围设置有多个气体处理室的基板的处理装置中的向所述气体处理室供给处理气体的气体箱的设置数量。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一个方式是一种对基板进行处理的处理装置，所述处理装置具有：多个处理室，在所述多个处理室中在期望的处理气体的气氛下对所述基板进行处理；多个罐单元，所述多个罐单元与多个所述处理室分别对应地设置，所述罐单元具备用于临时储存所述处理气体的多个罐；以及气体箱，其经由所述罐单元向所述处理室供给处理气体。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，能够削减在搬送室的周围设置有多个气体处理室的基板的处理装置中的向所述气体处理室供给处理气体的气体箱的设置数量。
附图说明
[0012]图1是示出本实施方式所涉及的晶圆处理装置的结构的概要的俯视图。
[0013]图2是示出气体供给模块的结构的概要的系统图。
[0014]图3是示出气体箱的连接构造的说明图。
[0015]图4是示出本实施方式所涉及的处理方法的主要工序的流程图。
[0016]图5是示意性地示出处理模块的预处理的情形的说明图。
[0017]图6是示出在处理模块中获取的控制压力特性的一例的说明图。
[0018]图7是示意性地示出处理模块的预处理的情形的说明图。
[0019]图8是示出向处理模块供给处理气体的主要工序的图表。
[0020]图9是示出向处理模块供给处理气体的情形的说明图。
[0021]图10是示出向处理模块供给处理气体的情形的说明图。
[0022]图11是示出向处理模块供给处理气体的情形的说明图。
[0023]图12是示出向处理模块供给处理气体的情形的说明图。
[0024]图13是示出向处理模块供给处理气体的情形的说明图。
[0025]图14是示出向处理模块供给处理气体的情形的说明图。
[0026]图15是示出其它实施方式所涉及的供给处理气体的主要工序的图表。
具体实施方式
[0027]在半导体器件的制造工艺中，在期望的气体气氛下对半导体晶圆(以下简称为“晶圆”。)进行成膜处理、清洁处理、其它等离子体处理等各种气体处理。这些气体处理例如在能够将内部控制为减压气氛的真空处理室的内部进行。另外，在进行这些气体处理的晶圆处理装置中，有时针对用于在真空气氛下进行晶圆的搬送的搬送室设置多个该真空处理室。
[0028]在上述的专利文献1中，公开了在具有搬送被处理体(晶圆)的搬送机构的搬送室的周围连接在规定的气体气氛下实施规定的处理的多个处理室所得到的处理装置。根据专利文献1所记载的处理装置，与各处理室对应地设置有多个用于向各个处理室导入处理气体的气体箱。
[0029]然而，在像这样与多个真空处理室分别对应地设置多个气体箱的情况下，需要与该气体箱的设置个数相应的成本、空间，因此要求削减设置于处理装置的该气体箱的数量。
[0030]然而，在单纯地通过将多个气体箱进行合并来削减数量的情况下，存在导致处理装置中一次所能够控制的气体处理(制程)的种类减少的问题。即，在各真空处理室中并行地执行不同的气体处理的情况下，当在各个真空处理室中使用的处理气体的种类不同时，可能无法对各个真空处理室适当地供给处理气体。这样，在以往的处理装置中，从削减与该处理装置对应的气体箱的设置数量这一观点看来，存在改善的余地。
[0031]本公开所涉及的技术是鉴于上述情况而完成的，削减在搬送室的周围设置有多个气体处理室的基板的处理装置中的向所述气体处理室供给处理气体的气体箱的设置数量。下面，一边参照附图一边说明作为本实施方式所涉及的处理装置的晶圆处理装置。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，由此省略重复说明。
[0032]<晶圆处理装置>
[0033]首先，说明本实施方式所涉及的晶圆处理装置。图1是示出本实施方式所涉及的晶圆处理装置1的结构的概要的俯视图。在晶圆处理装置1中，对作为基板的晶圆W进行例如成膜处理、清洁处理、其它等离子体处理等期望的气体处理。
[0034]如图1所示，晶圆处理装置1具有将大气部10与减压部11经由加载互锁模块20、21连接成一体所得到的结构。大气部10具备在大气压气氛下对晶圆W进行期望的处理的大气模块。减压部11具备在减压气氛下对晶圆W进行期望的处理的减压模块。
[0035]加载互锁模块20、21以将大气部10的后述的加载器模块30与减压部11的后述的传递模块50分别经由闸阀22、23连结的方式设置。加载互锁模块20、21构成为临时保持晶圆W。另外，加载互锁模块20、21构成为将内部在大气压气氛与减压气氛(真空状态)之间进行切换。
[0036]大气部10具有：加载器模块30，其具备后述的晶圆搬送机构40；以及加载端口32，其用于载置能够保管多个晶圆W的前开式晶圆传送盒31。此外，也可以是，与加载器模块30邻接地设置有调节晶圆W的水平方向的朝向的定向器模块(未图示)、用于保存多个晶圆W的保存模块(未图示)等。
[0037]加载器模块30由内部为矩形的壳体构成，壳体的内部被维持为大气压气氛。在构成加载器模块30的壳体的长边的一个侧面排列设置有多个、例如五个加载端口32。在构成加载器模块30的壳体的长边的另一个侧面排列设置有加载互锁模块20、21。
[0038]在加载器模块30的内部设置有搬送晶圆W的晶圆搬送机构40。晶圆搬送机构40具有保持晶圆W并使该晶圆W移动的搬送臂41、将搬送臂41以能旋转的方式支承的旋转台42、以及搭载有旋转台42的旋转载置台43。另外，在加载器模块30的内部设置有沿加载器模块30的长边方向延伸的导轨44。旋转载置台43设置在导轨44上，晶圆搬送机构40构成为能够沿导轨44移动。
[0039]减压部11具有：传递模块50，在该传递模块50的内部搬送晶圆W；以及处理模块60，其对从传递模块50搬送的晶圆W进行期望的处理。传递模块50和处理模块60的内部分别被维持为减压气氛。此外，在本实施方式中，针对一个传递模块50连接有多个、例如六个处理模块60。此外，处理模块60的数量、配置不限定于本实施方式，能够任意设定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理装置，对基板进行处理，所述处理装置具有：多个处理室，在所述多个处理室中在期望的处理气体的气氛下对所述基板进行处理；多个罐单元，所述多个罐单元与多个所述处理室分别对应地设置，所述罐单元具备用于临时储存所述处理气体的多个罐；以及气体箱，其经由所述罐单元向所述处理室供给处理气体。2.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，在所述罐单元设置有至少三个所述罐。3.根据权利要求1或2所述的处理装置，其特征在于，设置有多个所述气体箱，各个所述气体箱与至少两个以上的所述处理室连接。4.根据权利要求3所述的处理装置，其特征在于，还具有连接配管，所述连接配管将多个所述气体箱之间连接，在所述连接配管形成有用于吸收刚性的缓冲部。5.一种处理方法，是处理装置中的基板的处理方法，所述处理装置具备：处理室，其在期望的处理气体的气氛下处理所述基板；罐单元，其具备用于临时储存所述处理气体的多个罐；以及气体箱，其经由所述罐单元向所述处理室供给所述处理气体，所述处理方...

【专利技术属性】
技术研发人员：泽地淳，小笠原幸辅，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：