基片处理系统技术方案

本发明专利技术提供能够利用隔热部件适当地对相邻设置的第1基片处理室与第2基片处理室之间进行隔热、并且能够适当地抑制基片处理时的该隔热部件的消耗的基片处理系统。本发明专利技术的基片处理系统包括：具有第1基片输送口的第1腔室；具有第2基片输送口的第2腔室，其能够实施基片处理；连接部件，其用于将所述第1基片输送口和所述第2基片输送口彼此连通；在从截面看时沿着所述第2基片输送口设置的隔热部，其用于将所述第1腔室与所述第2腔室之间热隔断；和设置在所述隔热部与所述第2基片输送口之间的防护部件，其用于防止所述第2腔室中的基片处理时的所述隔热部的消耗。的所述隔热部的消耗。的所述隔热部的消耗。

【技术实现步骤摘要】
基片处理系统


[0001]本专利技术涉及基片处理系统。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了一种用于对连结处理腔室和输送室的开口进行开关的闸阀。上述闸阀在将上述开口关闭时，形成用于阻止处理腔室内的自由基到达该闸阀的密封部件的弯折的间隙。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014
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214863号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术的技术利用隔热部件适当地对相邻设置的第1基片处理室与第2基片处理室之间进行隔热，并且适当地抑制基片处理时的该隔热部件的消耗。
[0008]用于解决技术问题的手段
[0009]本专利技术的一个方式是一种基片处理系统，其包括：具有第1基片输送口的第1腔室；具有第2基片输送口的第2腔室，其能够实施基片处理；连接部件，其用于将所述第1基片输送口和所述第2基片输送口彼此连通；在从截面看时沿着所述第2基片输送口设置的隔热部，其用于将所述第1腔室与所述第2腔室之间热隔断；和设置在所述隔热部与所述第2基片输送口之间的防护部件，其用于防止所述第2腔室中的基片处理时的所述隔热部的消耗。
[0010]专利技术效果
[0011]采用本专利技术，能够利用隔热部件适当地对相邻设置的第1基片处理室与第2基片处理室之间进行隔热，并且能够适当地抑制基片处理时的该隔热部件的消耗。
附图说明
[0012]图1是表示本实施方式的晶片处理装置的结构的概要的平面图。
[0013]图2A是表示本实施方式的闸组件的结构的一个例子的侧面截面图。
[0014]图2B是表示图2A所示的A
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A截面的正面截面图。
[0015]图3是将图2A的主要部分放大表示的主要部分放大图。
[0016]图4是表示闸组件的另一个结构例的侧面截面图。
[0017]图5A是表示闸组件的另一个结构例的侧面截面图。
[0018]图5B是表示图5A所示的B
‑
B截面的正面截面图。
[0019]图6A是表示闸组件的另一个结构例的侧面截面图。
[0020]图6B是表示闸组件的另一个结构例的侧面截面图。
[0021]图7是示意性地表示处理组件的另一个连接例的侧面截面图。
[0022]附图标记说明
[0023]1晶片处理装置，50传输组件，60处理组件，61a开口部，70闸组件，71b开口部，73隔热环，74自由基阻断环，W晶片。
具体实施方式
[0024]在半导体器件的制造工艺中，对半导体晶片(下面简称为“晶片”)供给处理气体，对该晶片进行蚀刻处理、成膜处理、扩散处理等各种等离子体处理。这些等离子体处理在能够将内部控制为减压气氛的真空处理腔室的内部进行。该真空处理腔室经由作为送入送出口的开口部与相对于该真空处理腔室进行晶片的送入送出的输送腔室连通，该开口部使用闸阀进行开关。
[0025]在此，在如上述那样在真空处理腔室的内部进行等离子体处理的情况下，存在设置在闸阀上的密封部件(例如O型环)由于在真空处理腔室内产生的自由基的影响而消耗的情况。因此，在该闸阀中，需要保护密封部件免受由自由基引起的消耗。
[0026]上述的专利文献1公开了用于处理腔室(真空处理腔室)的送入送出口的开关的闸阀。根据专利文献1中公开的闸阀，在作为送入送出口的开口关闭时，在该闸阀的阀板上形成的凸壁嵌入到上述开口的内部，从而在该开口的端部形成狭小间隙。而且，根据专利文献1中公开的闸阀，利用该狭小间隙，实现了使到达设置在闸阀上的密封部件的自由基的量减少。
[0027]然而，在半导体器件的制造工艺中，存在进行以后处理(例如灰化处理)为代表的高温环境下(例如100℃以上)的等离子体处理的情况。在此，通常在闸阀中使用例如定位传感器、致动器等不耐受高温环境的电部件，除了需要采取上述那样的自由基对策以外，还需要采取用于防止这些电部件的高温化的对策。
[0028]作为用于防止电部件的高温化的方法，例如可举出将用于防止从上述的真空处理腔室向输送腔室传热的隔热板(例如树脂材料等)作为接合器(adapter)，将真空处理腔室与输送腔室连接。但是，能够适合用作接合器的高强度的隔热板(树脂材料)，在该情况下不耐受自由基消耗，即，需要采取针对该隔热板的自由基对策。另外，例如，在等离子体处理中使用腐蚀性气体的情况下，隔热板有可能因该腐蚀性气体而消耗，即，需要采取针对该隔热板的腐蚀性气体对策。
[0029]对于这样在闸阀中兼顾自由基对策或腐蚀性气体对策与高温化对策，在专利文献1中也没有公开，即，用于对晶片进行等离子体处理的以往的基片处理系统有改善的余地。
[0030]本专利技术的技术利用隔热部件适当地对相邻设置的第1基片处理室与第2基片处理室之间进行隔热，并且适当地抑制基片处理时的该隔热部件的消耗。下面，参照附图对作为本实施方式的基片处理系统的晶片处理装置和使用该晶片处理装置进行的晶片处理方法进行说明。在本说明书和附图中，对于具有实质上相同的功能结构的要素，赋予相同的附图标记从而省略重复说明。
[0031]＜晶片处理装置＞
[0032]首先，对本实施方式的晶片处理装置进行说明。图1是表示本实施方式的晶片处理装置1的结构的概要的平面图。在下面的说明中，以在晶片处理装置1中对作为基片的晶片W进行例如灰化处理等后处理相关的等离子体处理，防护后述的隔热部免受等离子体处理时
产生的自由基的影响的情况为例进行说明。
[0033]如图1所示，晶片处理装置1具有大气部10和减压部11经由负载锁定组件20、21连接为一体的结构。大气部10包括用于在大气压气氛下对晶片W进行期望的处理的大气组件。减压部11包括用于在减压气氛下对晶片W进行期望的处理的减压组件。
[0034]负载锁定组件20、21设置成分别经由闸阀22、23将大气部10的后述的负载组件30和减压部11的后述的传输组件50连结。负载锁定组件20、21能够暂时保持晶片W。另外，负载锁定组件20、21能够将内部切换为大气压气氛和减压气氛(真空状态)。
[0035]大气部10具有：负载组件30，其包括后述的晶片输送机构40；和负载口32，其用于载置能够保管多个晶片W的前开式晶片传送盒(FOUP)31。此外，可以与负载组件30相邻地设置有用于调节晶片W的水平方向的朝向的定向组件(未图示)、用于容纳多个晶片W的容纳组件(未图示)等。
[0036]负载组件30由内部为矩形的壳体构成，壳体的内部被维持为大气压气氛。在负载组件30的构成壳体的长边的一个侧面，并列设置有多个、例如5个负载口32。在负载组件30的构成壳体的长边的另一个侧面，并列设置有负载锁定组件20、21。
[0037]在负载组件30的内部设置有用于输送晶片W的晶片输送机构40。晶片输送机构40具有：用于保持晶片W并使其移动的输送臂41；可旋转地支承输送臂4本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片处理系统，其特征在于，包括：具有第1基片输送口的第1腔室；具有第2基片输送口的第2腔室，其能够实施基片处理；连接部件，其用于将所述第1基片输送口和所述第2基片输送口彼此连通；在从截面看时沿着所述第2基片输送口设置的隔热部，其用于将所述第1腔室与所述第2腔室之间热隔断；和设置在所述隔热部与所述第2基片输送口之间的防护部件，其用于防止所述第2腔室中的基片处理时的所述隔热部的消耗。2.如权利要求1所述的基片处理系统，其特征在于：所述基片处理是等离子体处理，所述防护部件能够防止自由基对所述隔热部的侵入。3.如权利要求2所述的基片处理系统，其特征在于：所述防护部件具有耐自由基性，且在从截面看时形成为沿着所述第2基片输送口的环状。4.如权利要求3所述的基片处理系统，其特征在于：所述防护部件包括氟橡胶环和覆盖所述氟橡胶环的周围的树脂制管。5.如权利要求1或2所述的基片处理系统，其特征在于：所述防护部件是具有耐自由基性的覆盖所述隔热部的表面的涂层。6.如权利要求1所述的基片处理系统，其特征在于：所述基片处理是使用腐蚀性气体的气体处理，所述防护部件能够防止由所述腐蚀性气体引起的所述隔热部的消耗。7.如权利要求6所述的基片处理系统，其特征在于：所述防护部件由硅橡胶、氟橡胶和高分子树脂聚合物中的至少任一种形成。8.如权利要求1～7中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：所述防护部件以将所述第1腔室与所述第2腔室之间的间隙封闭的方式配置。9.如权利要求8所述的基片处理系统，其特征在于：所述间隙为0.2mm以上。10.如权利要求1～9中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：所述隔热部由选自PI、PEEK、PEI、POM、尼龙、PBI、PC、PMMA和ABS中的至少任一种树脂材料形成。11.如权利要求10所述的基片处理系统，其特征在于：所述树脂材料具有小于0.4W/m
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K的热传导率。12.如权利要求1～11中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：所述隔热部具有10...

【专利技术属性】
技术研发人员：林大辅，网仓纪彦，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：