【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体处理的异常判定系统以及异常判定方法
[0001]本专利技术涉及等离子体处理的异常判定系统以及异常判定方法。
技术介绍
[0002]在半导体制造工序中,已知有使用等离子体进行晶片、基板的表面改性、清洁的等离子体处理技术。为了进行适当的等离子体处理,在专利文献1中教导了监视根据等离子体放电的变化而感应的电位变化,根据该电位变化判定有无异常放电。
[0003]在先技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:日本特开2009
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135253号公报
技术实现思路
[0006]‑
专利技术所要解决的课题
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[0007]在以晶片、基板的表面改性、清洁为目的的等离子体处理中,为了提高生产率,有时一次处理多件工件或者多种工件。根据工件的件数以及种类,等离子体处理装置的高频电路中的阻抗变化。进而,在等离子体处理的异常发生机制中,工件的材质、形状、吸湿状态等条件、等离子体处理装置的污染等多种因素会受到影响。因此,高精度地判定等离子体处理的异常极其困难。
[0008]‑
用于解决课题的手段
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[0009]本专利技术的一方面涉及等离子体处理的异常判定系统,具备:等离子体处理装置,其能够基于制程一次对多件工件进行处理;传感器,其取得与所述工件以及等离子体处理中的所述等离子体处理装置相关的至少一个监视数据;存储部,其存储根据包括所述工件的件数以及种类的第一处理方式而设定的阈值;以及判定部,其基于所述监视数据和所 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种等离子体处理的异常判定系统,具备:等离子体处理装置,其能够基于制程一次处理多件工件;传感器,其取得与所述工件以及等离子体处理中的所述等离子体处理装置相关的至少一个监视数据;存储部,其存储根据包括所述工件的件数以及种类在内的第一处理方式而设定的阈值;以及判定部,其基于所述监视数据和所述阈值,判定所述等离子体处理中是否存在异常。2.根据权利要求1所述的等离子体处理的异常判定系统,其中,在判定为所述等离子体处理存在异常的情况下,所述判定部基于从所述阈值偏离的所述监视数据,进一步判定是否需要变更所述制程。3.根据权利要求1或者2所述的等离子体处理的异常判定系统,其中,在判定为所述等离子体处理存在异常的情况下,所述判定部基于从所述阈值偏离的所述监视数据,进一步判定是否需要进行所述等离子体处理装置的维护。4.根据权利要求3所述的等离子体处理的异常判定系统,其中,所述等离子体处理的异常判定系统还具备通知部,在需要所述维护的情况下,所述通知部进行通知以维护所述等离子体处理装置。5.根据权利要求3或者4所述的等离子体处理的异常判定系统,其中,所述等离子体处理的异常判定系统还具备订购部,在需要所述维护的情况下,所述订购部订购产生了异常的所述等离子体处理装置的部件。6.根据权利要求1~5中任一项所述的等离子体处理的异常判定系统,其中,在判定为所述等离子体处理存在异常的情况下,所述判定部基于从所述阈值偏离的所述监视数据,进一步判定是否中止所述等离子体处理。7.根据权利要求1~6中任一项所述的等离子体处理的异常判定系统,其中,在判定为所述等离子体处理存在异常的情况下,所述判定部基于从所述阈值偏离的所述监视数据和以与所述第一处理方式相比所述工件的件数不同的第二处理方式在过去进行的等离子体处理中由所述传感器取得且与所述监视数据对应的参考历史,进一步判定所述等离子体处理的异常的原因是否为所述工件。8.根据权利要求1~7中任一项所述的等离子体处理的异常判定系统,其中,所述等离子体处理的异常判定系统还具备取得部,所述取得部在所述等离子体处理后取得对所述工件的所述等离子体处理是否适当的评价信息。9.根据权利要求8所述的等离子体处理的异常判定系统,其中,所述判定部基于所述评价信息,进一步判定是否需要变更所述阈值。10.一种等离子体处理的异常判定系统,具备:等离子体处理装置,其能够基于制程一次处理多件工件;
传感器,其取得与所述工件以及等离子体处理中的所述等离子体处理装置相关的至少一个监视数据;存储部,其存储以与包括进行等离子体处理的所述工件的件数以及种类在内的第一处理方式相同的处理方式在过去进行的等离子体处理中由所述传感器取得且与所述监视数据对应的监视历史;以及判定部,其基于所述监视数据与所述监视历史的差,判定所述等离子体处理中是否存在异常。11.根据权利要求10所述的等离子体处理的异常判定系统,其中,在判定为所述等离子体处理存在异常的...
【专利技术属性】
技术研发人员:野野村胜,
申请(专利权)人:松下知识产权经营株式会社,
类型:发明
国别省市:
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