一种可控硅分频消振装置制造方法及图纸

可控硅分频消振装置，涉及电网中一种安全保护装置，它是针对电网中发生分频铁谐振易损电压互感器造成停电事故，目前仅用人工监视排除，又觉极其困难的弊病，而公开一种包括壳体、框架、地脚、线路板在内的由可控硅，触发电路，计数器组成的防止和消除电网中分频铁谐振电压的可控硅分频消振装置，该装置具有自动认别分频铁谐振电压，消除其影响，避免停电事故的极积效果。（*该技术在2008年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及10仟伏以下电网中一种保护高压互感器免被烧毁或击穿的装置。目前在10千伏以下的电网中，保护高压互感器主要措施是依靠人工监视，当电网中发生分频铁谐振时，在来得急处理的情况下，采用拉闸断电方法排除隐患，但此情难以预料，经常发生烧毁高压互感器，造成电网停电事故，直接对用户带来经济损失。本技术的目的是要提供一种自动认别分频铁谐振电压，防止或消除其影响，保护高压互感器安全运行，避免拉闸断电损失的可控硅消振装置。本技术的目的是这样实现的即在具有壳体(1)，框架(2)，地脚(3)和线路板(4)的装置内，于其线路板(4)上，借助电子元件(5)组成一种由可控硅SCR，触发电路Cf和计数器JS构成的防止或消除电网中分频铁谐振过电压保护电路，此电路的输出插头(7)通过端子板(6)固定框架(2)上。其中触发电路Cf是由与电阻R1、电容C3串联的阻容电路相并联的降压变压器B1组成的滤波降压电路；与该二次回路相串并联的阻抗隔离变压器B2，电抗器L，电容C1、C2元件组成的谐振电路和与阻抗隔离变压器B2的二次回路相串联的二极管D、电阻R2、电容C4组成的触发信号电路组合而成。前述所指的电阻R1、R2阻值为10-50Ω；电容C1、C2、C3电容值为0.5-1.5μf；电容C4电容值为8-15μf；降压变压器B1，其变压比为220v∶40-60v∶60-80v；阻抗隔离变压器B2其变压比为220v∶10-20v；电抗器L的电抗值为2-5kΩ。由于本技术的电路中设有谐振电路，触发信号电路，自动的控制可控硅通断，因此相比现有技术具有自动认别分频铁谐抗电压，防止或消除它的影响，保护高压互感器安全运行和避免拉闸断电损失的积极效果。以下结合附图对本技术作进一步详述附图说明图1是本技术所述的一种可控硅分频消振装置结构示意图。图2是可控硅分频消振装置电气原理示意图。由图1、2可知，可控硅分频消振装置具有壳体(1)、框架(2)，地脚(3)和线路板(4)，此板上装有电子元件(5)，并由此构成一种由可控硅SCR，触发电路Cf和计数器JS在内的防止和消除电网中分频铁谐振过电压保护电路，此电路的输出插头(7)通过端子板(6)固定在框架(2)上。触发电路Cf，是由与电阻R1、电容C3串联的阻容电路相并联的降压变压器B1组成的滤波降压电路；与该二次回路相串并联的阻抗隔离变压器B2、电抗器L、电容C1、C2元件组成的谐振电路和与阻抗隔离变压器B2的二次回路相串联的二极管D、电阻R2、电容C4组成的触发信号电路组合而成。电路中的电阻R1、R2阻值为10-50Ω，最佳值为33Ω；电容C1、C2、C3容值为0.5-1.5μf，最佳值为1μf；电容C4为电解电容，容值8-15μf，最佳值为10μf；降压变压器B1变压比为220v∶40-60v∶60-80v，最佳值为220v-50v-70v；阻抗隔变压器B2，变压比为220v∶10-20v，最佳值为220v∶22v；电抗器L的电抗值为2-5KΩ，最佳值为3.2kΩ。该装置设在高压互感器的开三角绕组回路中，当电网中发生分频铁谐振时，与降压变压器B1二次回路相串并联的电抗器L1、电容C1、C2电路，在输入的开三角分频电压作用下进入串联谐振状态。于是在电容C2两端产生幅值足够高的分频电压，此压经阻抗隔离变压器B2耦合倒相后触发可控硅SCR，于是开三角绕组被瞬时短接，电网中的分频铁谐振在短接开三角绕组这一极强烈的阻尼作用下迅速趋于消失。谐振消除后，可控硅便恢复阻断状态，从而避免一次烧毁线圈或停电事故。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有壳体（１），框架（２），地脚（３）和线路板（４）可控硅分频消振装置，其特征在于线路板（４）上借助电子元件（５）组成一种由可控硅ＳＣＲ，触发电路Ｃｆ和计数器ＪＳ构成的防止和消除电网中分频铁谐振过电压保护电路，此电路的输出插头（７）通过端子板（６）固定在框架（２）上。

【技术特征摘要】
1.一种具有壳体(1)，框架(2)，地脚(3)和线路板(4)可控硅分频消振装置，其特征在于线路板(4)上借助电子元件(5)组成一种由可控硅SCR，触发电路Cf和计数器JS构成的防止和消除电网中分频铁谐振过电压保护电路，此电路的输出插头(7)通过端子板(6)固定在框架(2)上。2.根据权利要求1所述的可控硅分频消振装置，其特征在于所说的触发电路Cf是由与电阻R1、电容C3串联的阻容电路相并联的降压变压器B1组成的滤渡降压电路；与该二次回路相串并联的阻抗隔离变压器B2，...

【专利技术属性】
技术研发人员：任维，
申请(专利权)人：任维，
类型：实用新型
国别省市：21[中国|辽宁]