具有优异的表面平整度的聚酰亚胺类薄膜及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种聚酰亚胺类薄膜及其制造方法，更特别地，一种由于1.55以下的低Kc而具有优异的表面平整度和抑制的波纹的聚酰亚胺类薄膜及其制造方法。胺类薄膜及其制造方法。胺类薄膜及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有优异的表面平整度的聚酰亚胺类薄膜及其制造方法


[0001]本公开涉及一种具有优异的表面平整度的聚酰亚胺类薄膜、其制造方法和电子器件，更特别地涉及一种因低Kc而具有抑制的波纹的聚酰亚胺类薄膜、其制造方法和电子器件。

技术介绍

[0002]聚酰亚胺(PI)类树脂具有诸如高耐热性、耐氧化性、耐辐射性、耐低温性和耐化学性的性质，由此广泛用于电子产品、半导体、汽车、飞机、航天器等，并且用做透明电极膜以及显示设备用的覆盖窗。
[0003]近来，已经进行了改善聚酰亚胺类树脂的光学性质的研究，并且正在开发在不显著降低其机械性质或热性质的情况下具有优异的光学性质的聚酰亚胺类树脂。
[0004]由具有优异的机械性质、热性质和光学性质的聚酰亚胺类树脂制造的聚酰亚胺类薄膜用于各种柔性产品中，并且正在进行其作为玻璃替代品的用途的研究。例如，正在进行聚酰亚胺类薄膜作为显示设备用的覆盖窗或保护材料的用途的研究。

技术实现思路

[0005][技术问题][0006]因此，本公开的一个目的是提供一种具有优异的表面平整度的聚酰亚胺(PI)类薄膜。
[0007]本公开的另一目的是提供一种因其低Kc值而能够抑制波纹的出现并且具有优异的表面平整度的聚酰亚胺(PI)类薄膜。
[0008]本公开的另一目的是提供一种制造具有优异的表面平整度的聚酰亚胺(PI)类薄膜的方法。
[0009]本公开的另一目的是提供一种通过控制干燥条件来制造具有低Kc值的聚酰亚胺(PI)类薄膜的方法。
[0010]本公开的另一目的是提供一种制造能够抑制波纹出现的聚酰亚胺(PI)类薄膜的方法。
[0011]本公开的另一目的是提供一种包括因其低Kc值而具有优异的表面平整度的聚酰亚胺(PI)类薄膜的电子器件。
[0012][技术方案][0013]为了解决上述技术问题根据本公开的一个方面，提供一种Kc值为1.55以下的聚酰亚胺类薄膜，其中所述Kc值是通过相位阶梯偏折法(PSD)测量波长范围为1.0至3.0mm的波纹的曲率参数。
[0014]所述聚酰亚胺类薄膜的Kc值可以为1.45以下。
[0015]所述聚酰亚胺类薄膜的Kc值可以为1.10至1.45。
[0016]所述聚酰亚胺类薄膜可以由包含二酐和二胺的单体组分制造。
[0017]所述二酐可以包括选自2,2
‑
双(3,4
‑
二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6FDA)、3,3',4,4'
‑
联苯基四甲酸二酐(BPDA)、4
‑
(2,5
‑
二氧代四氢呋喃
‑3‑
基)
‑
1,2,3,4
‑
四氢萘
‑
1,2
‑
二甲酸酐(TDA)、均苯四甲酸二酐(PMDA)、3,3',4,4'
‑
二苯甲酮四甲酸二酐(BTDA)、4,4'
‑
氧二邻苯二甲酸酐(ODPA)、4,4'
‑
(3,4
‑
双二羧基苯氧基)
‑
二苯硫醚二酐(BDSDA)、3,3',4,4'
‑
二苯砜四甲酸二酐(SO2DPA)、4,4'
‑
(4,4'
‑
异亚丙基二苯氧基)双(邻苯二甲酸酐)(6HBDA)、环丁烷
‑
1,2,3,4
‑
四甲酸二酐(CBDA)、1,2,3,4
‑
环戊烷
‑
四甲酸二酐(CPDA)、1,2,4,5
‑
环己烷四甲酸二酐(CHDA)和二环己基
‑
3,4,3',4'
‑
四甲酸二酐(HBPDA)中的至少一种。
[0018]所述二胺可以包括选自二氨基二苯醚(ODA)、对苯二胺(pPDA)、间苯二胺(mPDA)、4,4
‑
亚甲基二苯胺(pMDA)、3,3
‑
亚甲基二苯胺(mMDA)、1,3
‑
双(3
‑
氨基苯氧基)苯(133APB)、1,3
‑
双(4
‑
氨基苯氧基)苯(134APB)、2,2'
‑
双[4
‑
(4
‑
氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷(4BDAF)、2,2'
‑
双(3
‑
氨基苯基)六氟丙烷(33
‑
6F)、2,2'
‑
双(4
‑
氨基苯基)六氟丙烷(44
‑
6F)、双(4
‑
氨基苯基)砜(4DDS)、双(3
‑
氨基苯基)砜(3DDS)、2,2'
‑
双(三氟甲基)联苯胺(TFDB)、1,3
‑
环己二胺(13CHD)、1,4
‑
环己二胺(14CHD)、2,2
‑
双[4
‑
(4
‑
氨基苯氧基)苯基]丙烷(6HMDA)、2,2
‑
双(3
‑
氨基
‑4‑
羟基苯基)六氟丙烷(DBOH)、双[4
‑
(4
‑
氨基苯氧基)苯基]砜、双[4
‑
(3
‑
氨基苯氧基)苯基]砜、9,9
‑
双(4
‑
氨基苯基)芴(FDA)和9,9
‑
双(4
‑
氨基
‑3‑
氟苯基)芴(F
‑
FDA)中的至少一种。
[0019]所述单体组分还可以包含二羰基化合物。
[0020]所述二羰基化合物可以包括芳香族二羰基化合物和脂肪族二羰基化合物中的至少一种。
[0021]所述芳香族二羰基化合物可以由下面式1表示：
[0022][式1][0023][0024]其中R1表示单键、*
‑
Ar
‑
*、*
‑
O
‑
Ar
‑
*、*
‑
CAL
‑
*或*
‑
O
‑
CAL
‑
*，X1和X2各自独立地表示氢、羟基(OH)或卤族元素，并且X3表示氢或卤族元素，其中“Ar”表示被取代的或未被取代的亚芳基，并且“CAL”表示脂环族基团。
[0025]所述芳香族二羰基化合物可以包括由下面式3表示的化合物、由下面式4表示的化合物、由下面式5表示的化合物、由下面式6表示的化合物、由下面式7表示的化合物、由下面式8表示的化合物和由下面式9表示的化合物中的至少一种。
[0026][式3][0027][0028][式4][0029][0030][式5][0031][0032][式6][0033][0本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种聚酰亚胺类薄膜，该聚酰亚胺类薄膜的Kc值为1.55以下，其中，所述Kc值是通过相位阶梯偏折法PSD测量波长范围为1.0至3.0mm的波纹的曲率参数。2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺类薄膜，其中，所述聚酰亚胺类薄膜的Kc值为1.45以下。3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺类薄膜，其中，所述聚酰亚胺类薄膜的Kc值为1.10至1.45。4.根据权利要求1所述的聚酰亚胺类薄膜，其中，所述聚酰亚胺类薄膜由包含二酐和二胺的单体组分制造。5.根据权利要求4所述的聚酰亚胺类薄膜，其中，所述二酐包括选自2,2
‑
双(3,4
‑
二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6FDA)、3,3',4,4'
‑
联苯基四甲酸二酐(BPDA)、4
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(2,5
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二氧代四氢呋喃
‑3‑
基)
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1,2,3,4
‑
四氢萘
‑
1,2
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二甲酸酐(TDA)、均苯四甲酸二酐(PMDA)、3,3',4,4'
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二苯甲酮四甲酸二酐(BTDA)、4,4'
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氧二邻苯二甲酸酐(ODPA)、4,4'
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(3,4
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双二羧基苯氧基)
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二苯硫醚二酐(BDSDA)、3,3',4,4'
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二苯砜四甲酸二酐(SO2DPA)、4,4'
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(4,4'
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异亚丙基二苯氧基)双(邻苯二甲酸酐)(6HBDA)、环丁烷
‑
1,2,3,4
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四甲酸二酐(CBDA)、1,2,3,4
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环戊烷
‑
四甲酸二酐(CPDA)、1,2,4,5
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环己烷四甲酸二酐(CHDA)和二环己基
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3,4,3',4'
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四甲酸二酐(HBPDA)中的至少一种。6.根据权利要求4所述的聚酰亚胺类薄膜，其中，所述二胺包括选自二氨基二苯醚(ODA)、对苯二胺(pPDA)、间苯二胺(mPDA)、4,4
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亚甲基二苯胺(pMDA)、3,3
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亚甲基二苯胺(mMDA)、1,3
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双(3
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氨基苯氧基)苯(133APB)、1,3
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氨基苯氧基)苯(134APB)、2,2'
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双[4
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氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷(4BDAF)、2,2'
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双(3
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氨基苯基)六氟丙烷(33
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6F)、2,2'
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双(4
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氨基苯基)六氟丙烷(44
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6F)、双(4
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氨基苯基)砜(4DDS)、双(3
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氨基苯基)砜(3DDS)、2,2'
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双(三氟甲基)联苯胺(TFDB)、1,3
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环己二胺(13CHD)、1,4
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环己二胺(14CHD)、2,2
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双[4
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氨基苯氧基)苯基]丙烷(6HMDA)、2,2
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羟基苯基)六氟丙烷(DBOH)、双[4
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氨基苯氧基)苯基]砜、双[4
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴晓准，梁钟源，
申请(专利权)人：可隆工业株式会社，
类型：发明
国别省市：