电路元件制造技术

电路元件(101A)具备绝缘基材的层叠体(1)、设置在该层叠体(1)的内部的第1线圈导体、设置在层叠体(1)的外表面的第1外部电极(EE1)、第2外部电极(EE2)及接地电极(EG1)。第1线圈导体在绝缘基材的层叠方向具有卷绕轴，第1线圈导体与第1外部电极(EE1)、第2外部电极(EE2)或接地电极(EG1)连接，第2外部电极(EE2)沿着层叠体(1)的侧面形成。通过第2外部电极(EE2)的作为宽宽度部的第2部分(SP)和第1线圈导体的靠近，在第2外部电极(EE2)与第1线圈导体之间构成附加电容，第2外部电极(EE2)具有绝缘基材的层方向的宽度相互不同的第1部分(FP1、FP2)及第2部分(SP)，第2部分(SP)的宽度比第1部分(FP1、FP2)的宽度宽。FP2)的宽度宽。FP2)的宽度宽。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电路元件


[0001]本技术涉及在绝缘体层的层叠体内具备线圈导体的电路元件或在层叠体内具备电容器电极的电路元件。

技术介绍

[0002]为了高频电路的高密度化，通过LC复合构件来构成滤波器是有效的。例如，在专利文献1公开了一种电路元件，其通过在将绝缘体层层叠而成的层叠体形成电感器以及电容器而构成，并被用作滤波器。
[0003]在先技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2013
‑
21449号公报

技术实现思路

[0006]技术要解决的课题
[0007]例如，在由上述LC复合构件构成LC低通滤波器的情况下，截止频率越低，上述电感器的电感或上述电容器的电容变得越大。因此产生以下问题：绝缘基材的必要的层数增加，不能低高度化，不能将高频电路高密度化。
[0008]此外，即使在设置具有相对微小的电容的电容器的情况下，也需要为此增加绝缘基材的层数或者确保形成电容器电极的区域，产生不能将高频电路高密度化这样的问题。
[0009]因此，本技术的目的在于，提供一种适合于高频电路的高密度化的小型的电路元件。
[0010]用于解决课题的技术方案
[0011]作为本公开的一个例子的电路元件具备绝缘基材的层叠体、设置在该层叠体的内部的第1线圈导体、设置在所述层叠体的外表面的第1外部电极以及第2外部电极，
[0012]所述第1线圈导体在所述绝缘基材的层叠方向上具有卷绕轴，
[0013]所述第1线圈导体与所述第1外部电极或所述第2外部电极连接，
[0014]所述第2外部电极沿着所述层叠体的侧面形成，
[0015]通过所述第2外部电极和所述第1线圈导体的靠近，在所述第2外部电极与所述第1线圈导体之间构成附加电容，
[0016]所述第2外部电极具有所述绝缘基材的层方向上的宽度相互不同的第1部分以及第2部分，所述第2部分的所述宽度比所述第1部分的所述宽度宽。
[0017]此外，作为本公开的一个例子的电路元件具备绝缘基材的层叠体、设置在该层叠体的内部的相互对置的第3电容器电极以及第4电容器电极、设置在所述层叠体的外表面的第1外部电极、第2外部电极以及接地电极，
[0018]所述第3电容器电极或所述第4电容器电极与所述第1外部电极、所述第2外部电极或所述接地电极连接，
[0019]所述第2外部电极沿着所述层叠体的侧面形成，
[0020]通过所述第2外部电极和所述第3电容器电极的靠近，在所述第2 外部电极与所述第3电容器电极之间构成附加电容。
[0021]此外，作为本公开的一个例子的电路元件具备绝缘基材的层叠体、设置在该层叠体的外表面的第1外部电极、第2外部电极以及接地电极、设置在所述层叠体的内部的相互对置的第7电容器电极以及第8电容器电极、设置在所述层叠体的内部的第3线圈导体以及第4线圈导体，
[0022]包含所述第3线圈导体的第3线圈和包含所述第4线圈导体的第4 线圈串联连接在所述第1外部电极与所述第2外部电极之间，
[0023]所述第8电容器电极与所述接地电极连接，所述第7电容器电极与所述第1外部电极连接，
[0024]所述接地电极沿着所述层叠体的侧面形成，
[0025]通过所述接地电极和所述第7电容器电极的靠近，在所述第7电容器电极与所述接地电极之间构成附加电容，
[0026]所述第2外部电极具有所述绝缘基材的层方向上的宽度相互不同的第1部分以及第2部分，所述第2部分的所述宽度比所述第1部分的所述宽度宽。
[0027]技术效果
[0028]根据本技术，能够在不增加绝缘基材的层数的情况下，此外，在无需在绝缘基材确保电容器电极形成用区域的情况下，形成附加电容而调整为所希望的电容容量，因此可得到适合于高频电路的高密度化的小型的电路元件。
附图说明
[0029]图1是第1实施方式涉及的电路元件101A的立体图。
[0030]图2是与Y
‑
Z面平行且通过电路元件101A的中央的面处的剖视图。
[0031]图3是示出形成在电路元件101A的各绝缘基材的导体图案的分解俯视图。
[0032]图4是电路元件101A的电路图。
[0033]图5是示出电路元件101A的移相量的频率特性的图。
[0034]图6是示出通信终端装置内的作为移相器的电路元件101A的使用方式的电路图。
[0035]图7是与图1所示的例子不同的、第1实施方式涉及的电路元件101B 的立体图。
[0036]图8是示出形成在电路元件101B的各绝缘基材的导体图案的分解俯视图。
[0037]图9是第2实施方式涉及的电路元件102A的立体图。
[0038]图10是与X
‑
Z面平行且通过电路元件102A的中央的面处的剖视图。
[0039]图11是示出形成在电路元件102A的各绝缘基材的导体图案的分解俯视图。
[0040]图12是电路元件102A的电路图。
[0041]图13是示出电路元件102A的通过振幅的频率特性的图。
[0042]图14是与图9所示的例子不同的、第2实施方式涉及的电路元件 102B的立体图。
[0043]图15是示出形成在电路元件102B的各绝缘基材的导体图案的分解俯视图。
[0044]图16是第3实施方式涉及的电路元件103A的立体图。
[0045]图17是与Y
‑
Z面平行且通过电路元件103A的给定位置的面处的剖视图。
[0046]图18是示出形成在电路元件103A的各绝缘基材的导体图案的分解俯视图。
[0047]图19是电路元件103A的电路图。
[0048]图20是示出电路元件103A的通过振幅的频率特性的图。
[0049]图21是与图16所示的例子不同的、第3实施方式涉及的电路元件 103B的立体图。
[0050]图22是示出形成在电路元件103B的各绝缘基材的导体图案的分解俯视图。
[0051]图23是示出各导体图案以及层叠体的制造方法的例子的、电路元件的概略剖视图。
[0052]图24是第5实施方式涉及的电路元件的电路图。
[0053]图25(A)、图25(B)、图25(C)、图25(D)是与图24所示的例子不同的、第5实施方式涉及的其它电路元件的电路图。
[0054]图26(A)、图26(B)是第5实施方式涉及的其它电路元件的电路图。
[0055]图27是第5实施方式涉及的电路元件的另一个电路图。
具体实施方式
[0056]以下，参照图并列举几个具体的例子来示出用于实施本技术的多个方式。在各图中，对同一部位标注同一附图标记。考虑到要点的说明或理解的容易性，为了便于说明，将实施方式分为多个实施方式示出，但是能够进行在不同的实施方式中示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电路元件，其特征在于，具备绝缘基材的层叠体、设置在该层叠体的内部的第1线圈导体、设置在所述层叠体的外表面的第1外部电极以及第2外部电极，所述第1线圈导体在所述绝缘基材的层叠方向上具有卷绕轴，所述第1线圈导体与所述第1外部电极或所述第2外部电极连接，所述第2外部电极沿着所述层叠体的侧面形成，通过所述第2外部电极和所述第1线圈导体的靠近，在所述第2外部电极与所述第1线圈导体之间构成附加电容，所述第2外部电极具有所述绝缘基材的层方向上的宽度相互不同的第1部分以及第2部分，所述第2部分的所述宽度比所述第1部分的所述宽度宽。2.根据权利要求1所述的电路元件，其特征在于，具备：接地电极，设置在所述层叠体的外表面；以及第2线圈导体，设置在所述层叠体的内部，包含所述第1线圈导体的第1线圈的第1端与所述第1外部电极连接，所述第1线圈的第2端与所述接地电极连接，包含所述第2线圈导体的第2线圈的第1端与所述第2外部电极连接，所述第2线圈的第2端与所述接地电极连接。3.根据权利要求2所述的电路元件，其特征在于，具备：第1电容器电极以及第2电容器电极，设置在所述层叠体的内部，且相互对置，所述第1电容器电极与所述第1外部电极连接，所述第2电容器电极与所述第2外部电极连接。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的电路元件，其特征在于，所述第1线圈导体的至少一部分和所述第2部分位于所述层叠体中的所述绝缘基材的层叠方向上的相同的高度。5.根据权利要求4所述的电路元件，其特征在于，所述第2部分设置在所述层叠体中的所述绝缘基材的层叠方向上的高度的1/2以内的范围。6.根据权利要求4所述的电路元件，其特征在于，分别在从所述层叠体向作为安装目的地的电路基板的安装面起的高度低的位置形成有所述第1部分，在所述高度高的位置形成有所述第2部分。7.根据权利要求6所述的电路元件，其特征在于，所述第2部分比所述第1部分的两侧部向所述层方向突出。8.根据权利要求1至3中的任一项所述的电路元件，其特征在于，所述层叠体是长方体形状，所述第2外部电极和形成在所述层叠体的外表面之中夹着所述层叠体的位置的电极相对于所述层叠体的中心是非对称形。9.一种电路元件，其特征在于，具备绝缘基材的层叠体、设置在该层叠体的内部的相互对置的第3电容器电极以及第4电容器电极、设置在所述层叠体的外表面的第1外部电极以及第2外部电极，
所述第3电容器电极或所述第4电容器电极与所述第1外部电极或所述第2外部电极连接，所述第2外部电极沿着所述层叠体的侧面形成，通过所述第2外部电极和所述第3电容器电极的靠近，在所述第2外部电极与所述第3电容器电极之间构成附加电容，所述第2外部电极具有所述绝缘基材的层方向上的宽度相互不同的第1部分以及第2部分，所述第2部分的所述宽度比所述第1部分的所述宽度宽。...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林英晃，三川贤太郎，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：新型
国别省市：