显影方法及装置制造方法及图纸

本申请提供一种显影方法及装置。该显影方法包括：获取待显影晶圆上方的气流状况；根据气流状况设置显影程式；按照显影程式对待显影晶圆进行显影，从而，提高了显影后形成的光刻图案质量。图案质量。图案质量。

【技术实现步骤摘要】
显影方法及装置


[0001]本申请涉及半导体技术，尤其涉及一种显影方法及装置。

技术介绍

[0002]光刻工艺是半导体器件制作过程中的常用工艺，光刻工艺包括涂胶、曝光、显影等多道工序，其中，显影是在经过曝光的光刻胶上涂布显影液以去除部分光刻胶形成光刻图案。
[0003]在显影过程中，显影单元中的气流状况非常重要，不正常的气流状况会导致晶圆上不同位置的温度不同，造成显影反应速率不同，最终使得显影后形成的光刻图案质量变差。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种显影方法及装置，提高了显影后形成的光刻图案质量。
[0005]第一方面，本申请提供一种显影方法，包括：
[0006]获取待显影晶圆上方的气流状况；
[0007]根据所述气流状况设置显影程式；
[0008]按照所述显影程式对所述待显影晶圆进行显影。
[0009]可选的，所述显影程式包括预浸润、主显影、冲洗和甩干；
[0010]其中，所述主显影的步骤包括：
[0011]控制所述待显影晶圆在静置预设静止时间后，按照预设转速旋转预设旋转时间；
[0012]重复执行上述步骤直至达到预设显影时间。
[0013]可选的，若获取的待显影晶圆上方各区域的气流状况相同，所述预设转速和所述预设旋转时间为0。
[0014]可选的，若获取的待显影晶圆上方各区域的气流状况不同，所述预设静止时间的范围为5s-15s，所述预设转速的范围为10rpm-30rpm，所述预设旋转时间的范围为1s-5s。
[0015]可选的，所述重复执行上述步骤直至达到预设显影时间，包括：
[0016]重复执行上述步骤3至6次，使得所述主显影的时间达到所述预设显影时间，所述预设显影时间的范围为40s-60s。
[0017]可选的，还包括：
[0018]根据显影液的类型和/或浓度，调整所述预设静止时间、所述预设旋转时间和所述预设转速中的一个或多个。
[0019]可选的，所述气流状况包括气流流速和/或气流压力。
[0020]可选的，所述按照所述显影程式对所述待显影晶圆进行显影，包括：按照所述显影程式在LITHIUS ProV型显影机台中对所述待显影晶圆进行显影。
[0021]第二方面，本身提供一种显影装置，包括：
[0022]晶圆承载台，用于放置待显影晶圆；
[0023]气流侦测装置，用于检测所述晶圆承载台上放置的所述待显影晶圆上方的气流状况；
[0024]控制器，用于根据所述气流状况设置显影程式以对所述待显影晶圆进行显影。
[0025]可选的，所述气流侦测装置为环形结构。
[0026]可选的，所述环形结构在所述待显影晶圆上的投影位于所述待显影晶圆的半径的2/3之外的区域。
[0027]可选的，所述控制器，用于按照预设时间间隔，根据所述气流侦测装置检测的气流状况，调整所述显影程式。
[0028]本申请提供一种显影方法及装置，通过获取待显影晶圆上方的气流状况，并根据待显影晶圆上方的气流状况来设置显影程式，实现了通过调整显影程式来减弱待显影晶圆上方不同区域的气流状况对温度的影响，提高了显影后的光刻图案质量。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1为LITHIUS ProV型显影装置示意图；
[0031]图2为本申请实施例提供的一种显影方法的流程示意图；
[0032]图3为本申请实施例提供的一种显影装置的结构示意图。
具体实施方式
[0033]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0034]在对本申请提供的显影方法进行说明之前，首先对显影装置进行介绍。不同类型的显影装置，由于其结构不同，装置内的气流状况可能不同。示例的，图1为LITHIUS ProV型显影装置示意图。
[0035]图1中，显影单元11和12是非独立设置的，两个显影单元之间没有阻挡，因此这两个显影单元之间的气体流动是互通的，两个显影单元的气流会互相影响。
[0036]当采用显影装置对晶圆进行显影时，将显影液喷射在待显影晶圆表面后，显影反应的速率会受到温度影响，而显影装置内不同区域的气流状况则会影响到晶圆不同位置的温度。
[0037]图1中，由于显影单元11和12之间没有阻挡，显影单元11上方的气流流向显影单元12，使得显影单元11靠近显影单元12一侧的位置和其他位置的气流状况不同，从而使得显影单元11中的待显影晶圆靠近显影单元12一侧的位置和其他位置的温度不同，最终导致靠近显影单元12一侧的位置和其他位置的显影反应速率不同，使得显影单元11中的待显影晶圆靠近显影单元12一侧的位置和其他位置的显影线宽不一致。
[0038]由此可见，对于一些特定结构的显影装置，由于受到装置自身的结构限制造成其内部的气流状况异常，对显影后的光刻图案质量造成影响。在其他示例中，显影单元的排气故障、排气参数漂移或者局部扰动等异常情况都会造成显影单元中的气流状况异常。为此，本申请提供的显影方法中考虑了待显影晶圆上方的气流状况，根据气流状况来设置显影程式，通过显影程式中的步骤和/或程式参数的设置使得气流对待显影晶圆各个位置的影响相同，从而尽可能减少区域气流状况不同造成的温度影响，提高显影后形成的光刻图案质量，使得晶圆上不同区域的光刻图案尺寸更加均匀。
[0039]以下结合具体实施例对本申请提供的显影方法进行详细说明。可以理解的是，下面这几个具体实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。
[0040]图2为本申请实施例提供的一种显影方法的流程示意图。如图2所示，显影方法包括：
[0041]S201、获取待显影晶圆上方的气流状况。
[0042]具体的，可以根据实际情况将待显影晶圆上方划分为多个区域，该多个区域可以包括待显影晶圆上方的中心位置以及中心位置的周围区域。在其他示例中，也可以将待显影晶圆上方划分为多个同心圆区域，同心圆的圆心在待显影晶圆上的投影与待显影晶圆的圆心重合；或者将待显影晶圆上方划分为直角坐标系的四个象限区域，直角坐标系的坐标原点在待显影晶圆上的投影与待显影晶圆的圆心重合。
[0043]可选的，可以采用气流侦测装置检测待显影晶圆上方的气流状态，气流侦测装置可以设置在待显影晶圆的上方，气流侦测装置可以包括多个位于不同位置的检测仪，该多个检测本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显影方法，其特征在于，包括：获取待显影晶圆上方的气流状况；根据所述气流状况设置显影程式；按照所述显影程式对所述待显影晶圆进行显影。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述显影程式包括预浸润、主显影、冲洗和甩干；其中，所述主显影的步骤包括：控制所述待显影晶圆在静置预设静止时间后，按照预设转速旋转预设旋转时间；重复执行上述步骤直至达到预设显影时间。3.根据权利要求2所述的显影方法，其特征在于，若获取的待显影晶圆上方各区域的气流状况相同，所述预设转速和所述预设旋转时间为0。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，若获取的待显影晶圆上方各区域的气流状况不同，所述预设静止时间的范围为5s-15s，所述预设转速的范围为10rpm-30rpm，所述预设旋转时间的范围为1s-5s。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述重复执行上述步骤直至达到预设显影时间，包括：重复执行上述步骤3至6次，使得所述主显影的时间达到所述预设显影时间，所述预设显影时间的范围为40s-60s。6.根据权利要求2-5中任一项所述的方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙贺雷，陈步祥，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：