本申请提供一种芯片失效分析方法、装置、电子设备及介质。该方法在获取第一状态的热熔蜡后，第一状态为软化状态，采用预设嵌入方式，将待研磨样品嵌入第一状态的热熔蜡的一侧，并对第一状态的热熔蜡的另一侧进行塑型，得到第一状态的研磨体；研磨体中待研磨样品保持水平；基于第一状态的研磨体，获取第二状态的研磨体，第二状态为凝固状态；在固定第二状态的研磨体上塑型的热熔蜡后，对研磨体中的待研磨样品进行研磨，得到待分析芯片；对待分析芯片进行失效分析，得到分析结果。该方法提高了研磨稳定性和安全性，也提高了失效分析效率。也提高了失效分析效率。也提高了失效分析效率。
【技术实现步骤摘要】
芯片失效分析方法、装置、电子设备及介质
[0001]本申请涉及半导体分析
，具体而言，涉及一种芯片失效分析方法、装置、电子设备及介质。
技术介绍
[0002]研磨加工是目前高精密加工的加工手段之一，目前一般采用固结式研磨盘对各种脆硬物质，如半导体硅片、蓝宝石等进行研磨加工。但是现有技术中通常是将研磨样品用手指按压在研磨台上，如图1所示。若研磨台高速转动，则手指很难控制研磨样品保持不动，导致研磨稳定性不足，也会降低研磨效率和安全性。
技术实现思路
[0003]本申请实施例的目的在于提供一种芯片失效分析方法、装置、电子设备及介质，用以解决现有技术存在的上述问题，提高了研磨稳定性和安全性，也提高了失效分析效率。
[0004]第一方面，提供了一种芯片失效分析方法，该方法可以包括：
[0005]获取第一状态的热熔蜡；所述第一状态为软化状态；
[0006]采用预设嵌入方式，将待研磨样品嵌入所述第一状态的热熔蜡的一侧，并对所述第一状态的热熔蜡的另一侧进行塑型，得到所述第一状态的研磨体；所述研磨体中所述待研磨样品保持水平；
[0007]基于所述第一状态的研磨体，获取第二状态的研磨体，所述第二状态为凝固状态；
[0008]在固定所述第二状态的研磨体上塑型的热熔蜡后，对所述研磨体中的所述待研磨样品进行研磨，得到待分析芯片；
[0009]对所述待分析芯片进行失效分析，得到分析结果。
[0010]在一个可选的实现中，采用预设嵌入方式，将待研磨样品嵌入所述第一状态的热熔蜡的一侧之前，所述方法还包括：
[0011]确定所述待研磨样品是否有封装；
[0012]若没有封装，则采用AB胶将所述待研磨样品进行包裹处理，得到新的待研磨样品。
[0013]在一个可选的实现中，采用预设嵌入方式，将待研磨样品嵌入所述第一状态的热熔蜡的一侧，包括：
[0014]将所述第一状态的热熔蜡的一侧向放置在水平平面上的待研磨样品按压，以保持所述待研磨样品与所述平面平行。
[0015]在一个可选的实现中，获取第一状态的热熔蜡，包括：
[0016]按照预设软化温度，对获取的第二状态的热熔蜡进行加热，得到第一状态的热熔蜡；所述预设软化温度不小于热熔蜡的最低软化温度且小于最高软化温度；
[0017]获取第二状态的研磨体，包括：
[0018]将所述第一状态的研磨体中的热熔蜡降温至预设凝固温度，得到第二状态的研磨体。
[0019]在一个可选的实现中，对所述研磨体中的所述待研磨样品进行研磨，得到待分析芯片，包括：
[0020]监测所述待研磨样品的正面与所述待研磨样品的背面间的变化距离；
[0021]若监测的变化距离小于预设的安全研磨距离，则采用粗磨工艺，对所述研磨体中的所述待研磨样品进行研磨，得到研磨后的初级研磨体；
[0022]若监测的变化距离不小于预设的安全研磨距离，则采用细磨工艺，对所述初级研磨体中的待研磨样品进行研磨，研磨至所述待研磨样品的目标位置；
[0023]在研磨至目标位置后，去除研磨后的研磨体的热熔蜡，得到待分析芯片；
[0024]其中，所述预设的安全研磨距离为所述待研磨样品的初始研磨面与所述目标位置间的距离。
[0025]在一个可选的实现中，所述待分析芯片为单面研磨后的芯片；
[0026]采用预设嵌入方式，将待研磨样品嵌入所述第一状态的热熔蜡的一侧，包括：
[0027]采用预设嵌入方式，将待研磨样品的背面向上嵌入所述第一状态的热熔蜡的一侧；
[0028]若监测的变化距离不小于预设的安全研磨距离，则采用细磨工艺，对所述初级研磨体中的待研磨样品进行研磨，研磨至所述待研磨样品的目标位置，包括：
[0029]若监测的变化距离不小于预设的安全研磨距离，则采用细磨工艺，对所述初级研磨体中的所述待研磨样品的正面进行研磨，研磨至露出芯片焊盘的位置。
[0030]在一个可选的实现中，所述待分析芯片为双面研磨后的芯片；
[0031]在研磨至露出芯片焊盘的位置后，所述方法还包括：
[0032]获取第一状态的新热熔蜡和露出芯片焊盘的待研磨样品；
[0033]将所述露出芯片焊盘pad的待研磨样品的正面向上，并返回执行步骤：采用预设嵌入方式，将待研磨样品嵌入所述第一状态的热熔蜡的一侧，并对所述第一状态的热熔蜡的另一侧进行塑型，得到所述第一状态的研磨体；
[0034]若监测的变化距离不小于预设的安全研磨距离，则采用细磨工艺，对所述初级研磨体中的待研磨样品进行研磨，研磨至所述待研磨样品的目标位置，包括：
[0035]若监测的变化距离不小于预设的安全研磨距离，则采用细磨工艺，对所述初级研磨体中的所述待研磨样品的正面进行研磨，研磨至露出芯片晶背的位置。
[0036]第二方面，提供了一种芯片失效分析装置，该装置可以包括：
[0037]获取单元，用于获取第一状态的热熔蜡；所述第一状态为软化状态；
[0038]嵌入单元，用于采用预设嵌入方式，将待研磨样品嵌入所述第一状态的热熔蜡的一侧；
[0039]塑型单元，用于对所述第一状态的热熔蜡的另一侧进行塑型，得到所述第一状态的研磨体；所述研磨体中所述待研磨样品保持水平；
[0040]所述获取单元，还用于基于所述第一状态的研磨体，获取第二状态的研磨体，所述第二状态为凝固状态；
[0041]研磨单元，用于在固定所述第二状态的研磨体上塑型的热熔蜡后，对所述研磨体中的所述待研磨样品进行研磨，得到待分析芯片；
[0042]失效分析单元，用于对所述待分析芯片进行失效分析，得到分析结果。
[0043]在一个可选的实现中，所述装置还包括：确定单元和处理单元；
[0044]所述确定单元，用于确定所述待研磨样品是否有封装；
[0045]所述处理单元，用于若没有封装，则采用AB胶将所述待研磨样品进行包裹处理，得到新的待研磨样品。
[0046]在一个可选的实现中，所述嵌入单元，具体用于将所述第一状态的热熔蜡的一侧向放置在水平平面上的待研磨样品按压，以保持所述待研磨样品与所述平面平行。
[0047]在一个可选的实现中，所述获取单元，具体用于：
[0048]按照预设软化温度，对获取的第二状态的热熔蜡进行加热，得到第一状态的热熔蜡；所述预设软化温度不小于热熔蜡的最低软化温度且小于最高软化温度；
[0049]以及，将所述第一状态的研磨体中的热熔蜡降温至预设凝固温度，得到第二状态的研磨体。
[0050]在一个可选的实现中，所述研磨单元，具体用于：
[0051]监测所述待研磨样品的正面与所述待研磨样品的背面间的距离；
[0052]若监测的变化距离小于预设的安全研磨距离，则采用粗磨工艺，对所述研磨体中的所述待研磨样品进行研磨，得到研磨后的初级研磨体；
[0053]若监测的变化距离不小于预设的安全研磨距离，则采用细磨工艺，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片失效分析方法，其特征在于，所述方法包括：获取第一状态的热熔蜡；所述第一状态为软化状态；采用预设嵌入方式，将待研磨样品嵌入所述第一状态的热熔蜡的一侧，并对所述第一状态的热熔蜡的另一侧进行塑型，得到所述第一状态的研磨体；所述研磨体中所述待研磨样品保持水平；基于所述第一状态的研磨体，获取第二状态的研磨体，所述第二状态为凝固状态；在固定所述第二状态的研磨体上塑型的热熔蜡后，对所述研磨体中的所述待研磨样品进行研磨，得到待分析芯片；对所述待分析芯片进行失效分析，得到分析结果。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用预设嵌入方式，将待研磨样品嵌入所述第一状态的热熔蜡的一侧之前，所述方法还包括：确定所述待研磨样品是否有封装；若没有封装，则采用AB胶将所述待研磨样品进行包裹处理，得到新的待研磨样品。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用预设嵌入方式，将待研磨样品嵌入所述第一状态的热熔蜡的一侧，包括：将所述第一状态的热熔蜡的一侧向放置在水平平面上的待研磨样品按压，以保持所述待研磨样品与所述平面平行。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，获取第一状态的热熔蜡，包括：按照预设软化温度，对获取的第二状态的热熔蜡进行加热，得到第一状态的热熔蜡；所述预设软化温度不小于热熔蜡的最低软化温度且小于最高软化温度；获取第二状态的研磨体，包括：将所述第一状态的研磨体中的热熔蜡降温至预设凝固温度，得到第二状态的研磨体。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述研磨体中的所述待研磨样品进行研磨，得到待分析芯片，包括：监测所述待研磨样品的正面与所述待研磨样品的背面间的变化距离；若监测的变化距离小于预设的安全研磨距离，则采用粗磨工艺，对所述研磨体中的所述待研磨样品进行研磨，得到研磨后的初级研磨体；若监测的变化距离不小于预设的安全研磨距离，则采用细磨工艺，对所述初级研磨体中的待研磨样品进行研磨，研磨至所述待研磨样品的目标位置；在研磨至目标位置后，去除研磨后的研磨体的热熔蜡，得到待分析芯片；其中，所述预设的安全研磨距离为所述待研磨样品的初始研磨面与所述目标位置间的距离。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述待分析芯片为单面研磨后的芯片；采用预设嵌入方式，将待研磨样品嵌入所述第一状态的热熔蜡的一侧，包括：采用预设嵌入方式，将待研磨样品的背面向上嵌入所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋涛，高强，郑朝晖，
申请(专利权)人：上海季丰电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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