无线充电用屏蔽膜及其制备方法和制造设备技术

本发明专利技术公开了无线充电用屏蔽膜及其制备方法和制造设备，无线充电用屏蔽膜包括胶层以及通过磁控溅射成型于所述胶层一侧表面的磁性层，所述磁性层为(Fe

【技术实现步骤摘要】
无线充电用屏蔽膜及其制备方法和制造设备


[0001]本专利技术涉及无线充电
，尤其涉及无线充电用屏蔽膜及其制备方法和制造设备。

技术介绍

[0002]随着无线充电技术的发展，越来越多的电子产品具有了无线充电功能，目前无线充电多为电磁感应耦合方式实现，该电磁感应耦合原理是通过发射端线圈和接收端线圈产生的磁场相互之间的耦合实现无线充电，但目前无线充电功率较小，充电时间较长，无法适应电子产品高功率、高效率的无线充电需求。
[0003]现有的无线充电接收端中所用的屏蔽膜多为经过热处理后的铁基纳米晶薄带，其共振频率低(大约10MHz左右)，不适合在较高频率下工作，且饱和磁感应强度低，仅有1～1.3T，电磁感应耦合效率低，致使其电磁感应耦合功率有限，存在最大输出功率、充电速度上限等较小的弊端，无法实现电子产品大功率、快速无线充电的要求。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种高饱和磁感应强度的无线充电用屏蔽膜，以及制备该无线充电用屏蔽膜的制备方法，和制造该无线充电用屏蔽膜的制造设备。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案一为：无线充电用屏蔽膜，包括胶层以及通过磁控溅射成型于所述胶层一侧表面的磁性层，所述磁性层为(Fe
65
Co
35
)
x
(TiO2)1‑
x
层，其中，x≥0.76；所述磁性层的饱和磁感应强度B
s
≥1.7T。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案二为：无线充电用屏蔽膜制备方法，包括如下步骤，
[0007]获取单面胶，所述单面胶包括依次层叠的离型膜、胶层及保护膜；
[0008]撕膜，撕除所述单面胶的所述保护膜；
[0009]磁控溅射，对所述胶层远离所述离型膜的一侧表面进行磁控溅射以在所述胶层远离所述离型膜的一侧表面形成磁性层从而得到无线充电用屏蔽膜，所述磁性层为(Fe
65
Co
35
)
x
(TiO2)1‑
x
层，其中，x≥0.76；所述磁性层的饱和磁感应强度B
s
≥1.7T。
[0010]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案三为：无线充电用屏蔽膜制造设备，包括去膜室和磁控溅射室，所述去膜室内设有撕膜装置，所述撕膜装置用于撕除单面胶的保护膜；所述磁控溅射室内设有磁控溅射装置，所述磁控溅射装置用于在所述单面胶的胶层远离离型膜的一侧表面磁控溅射成型磁性层，所述磁性层为(Fe
65
Co
35
)
x
(TiO2)1‑
x
层，其中，x≥0.76；所述磁性层的饱和磁感应强度B
s
≥1.7T。
[0011]本专利技术的有益效果在于：
[0012]本无线充电用屏蔽膜，相比传统的铁基纳米晶薄带具有更高的饱和磁感应强度和共振频率，提高了无线充电接收端接收线圈的磁耦合效率，从而有效地提高了无线充电功率、效率和速度。
[0013]本无线充电用屏蔽膜制备方法采用磁控溅射仅需一步就可在胶带上沉积磁性薄膜材料[即(Fe
65
Co
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)
x
(TiO2)1‑
x
层]，较传统急冷法制备非晶薄带再经热处理得到纳米晶磁性材料的制备方法更简单、更省时；并且通过本无线充电用屏蔽膜制备方法也能实现后续的无线充电制备工序，如碎磁、贴合等。
附图说明
[0014]图1为本专利技术实施例一的无线充电用屏蔽膜的结构示意图；
[0015]图2为本专利技术实施例一的无线充电用屏蔽膜的磁滞回线图；
[0016]图3为本专利技术实施例一的无线充电用屏蔽膜的磁谱图；
[0017]图4为现有技术的无线充电用铁基纳米晶磁性膜的磁滞回线图；
[0018]图5为现有技术的无线充电用铁基纳米晶磁性膜的磁谱图；
[0019]图6为本专利技术实施例二的无线充电用屏蔽膜制备方法的流程框图；
[0020]图7为本专利技术实施例三的无线充电用屏蔽膜制造设备的简化示意图。
[0021]标号说明：
[0022]1、胶层；
[0023]2、磁性层；
[0024]3、离型膜；
[0025]4、去膜室；41、撕膜装置；
[0026]5、预处理室；51、预处理装置；
[0027]6、磁控溅射室；61、溅射靶材；62、冷却辊；
[0028]7、收卷室；71、收卷装置。
具体实施方式
[0029]为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0030]请参照图1至图7，无线充电用屏蔽膜，包括胶层1以及通过磁控溅射成型于所述胶层1一侧表面的磁性层2，所述磁性层2为(Fe
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Co
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)
x
(TiO2)1‑
x
层，其中，x≥0.76；所述磁性层2的饱和磁感应强度B
s
≥1.7T。
[0031]从上述描述可知，本专利技术的有益效果在于：本无线充电用屏蔽膜，相比传统的铁基纳米晶薄带具有更高的饱和磁感应强度和共振频率，提高了无线充电接收端接收线圈的磁耦合效率，从而有效地提高了无线充电功率、效率和速度。
[0032]进一步地，所述胶层1与所述磁性层2相对的另一侧表面设有离型膜3。
[0033]由上述描述可知，用户撕除离型膜3后即可将具有(Fe
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Co
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)
x
(TiO2)1‑
x
层的胶层1粘接在外部构件上，大大方便了无线充电用屏蔽膜的使用，利于增强用户的使用体验。所述胶层1的材质包括但不限于丙烯酸系胶粘剂、聚碳酸脂胶粘剂等。
[0034]无线充电用屏蔽膜制备方法，包括如下步骤，
[0035]获取单面胶，所述单面胶包括依次层叠的离型膜、胶层及保护膜；
[0036]撕膜，撕除所述单面胶的所述保护膜；
[0037]磁控溅射，对所述胶层远离所述离型膜的一侧表面进行磁控溅射以在所述胶层远
离所述离型膜的一侧表面形成磁性层从而得到无线充电用屏蔽膜，所述磁性层为(Fe
65
Co
35
)
x
(TiO2)1‑
x
层，其中，x≥0.76；所述磁性层的饱和磁感应强度B
s
≥1.7T。
[0038]从上述描述可知，本专利技术的有益效果在于：本无线充电用屏蔽膜制备方法采用磁控溅射仅需一步就可在胶带上沉积磁性薄膜材料[即(Fe
65
Co
35
)
x
(TiO2)1‑
x
层]，较传统急冷法制备非晶薄带再经热处理得到纳米晶磁性材料的制备方法更简本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.无线充电用屏蔽膜，其特征在于：包括胶层以及通过磁控溅射成型于所述胶层一侧表面的磁性层，所述磁性层为(Fe
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Co
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)
x
(TiO2)1‑
x
层，其中，x≥0.76；所述磁性层的饱和磁感应强度B
s
≥1.7T。2.根据权利要求1所述的无线充电用屏蔽膜，其特征在于：所述胶层与所述磁性层相对的另一侧表面设有离型膜。3.无线充电用屏蔽膜制备方法，其特征在于：包括如下步骤，获取单面胶，所述单面胶包括依次层叠的离型膜、胶层及保护膜；撕膜，撕除所述单面胶的所述保护膜；磁控溅射，对所述胶层远离所述离型膜的一侧表面进行磁控溅射以在所述胶层远离所述离型膜的一侧表面形成磁性层从而得到无线充电用屏蔽膜，所述磁性层为(Fe
65
Co
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)
x
(TiO2)1‑
x
层，其中，x≥0.76；所述磁性层的饱和磁感应强度B
s
≥1.7T。4.根据权利要求3所述的无线充电用屏蔽膜制备方法，其特征在于：步骤撕膜与步骤磁控溅射之间还包括步骤，预处理，对所述胶层远离所述离型膜的一侧表面进行活化处理。5.根据权利要求3所述的无线充电用屏蔽膜制备方法，其特征在于：磁控溅射之后还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹想，王磊，张继林，董泽琳，蔡鹏，
申请(专利权)人：信维通信江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：