本发明专利技术提供一种衬底处理装置及衬底处理方法。衬底处理装置(100)具备处理槽(2)、衬底保持部(130)、气泡供给部件(4)、处理液补充部件(5)、及控制部(111)。处理槽(2)贮存处理液(LQ)。衬底保持部(130)在处理槽(2)内保持衬底(W)，并使衬底(W)浸渍在处理槽(2)中所贮存的处理液(LQ)中。气泡供给部件(4)对浸渍在处理液(LQ)中的衬底(W)的表面供给气泡。处理液补充部件(5)向处理槽(2)中补充处理液(LQ)。控制部(111)相应于从气泡供给部件(4)供给的气泡的量阶段性地或逐步地减少，而从处理液补充部件(5)补充处理液(LQ)。件(5)补充处理液(LQ)。件(5)补充处理液(LQ)。
【技术实现步骤摘要】
衬底处理装置及衬底处理方法
[0001]本专利技术涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。
技术介绍
[0002]已知有通过将衬底浸渍在处理槽中所贮存的处理液中而对衬底进行处理的衬底处理装置。这种衬底处理装置中的一种是在衬底处理过程中对处理槽中所贮存的处理液供给气泡(例如，参照专利文献1)。
[0003][
技术介绍
文献][0004][专利文献][0005][专利文献1]日本专利特开2006
‑
100493号公报
技术实现思路
[0006][专利技术要解决的问题][0007]然而，在衬底处理过程中对处理液供给气泡的衬底处理装置中，在衬底处理结束后停止供给气泡时处理液的液面会下降，因此，根据衬底处理过程中的气泡供给量，有可能在衬底处理结束后衬底的一部分从处理液的液面露出。衬底的一部分从处理液的液面露出时，这一部分与其它部分相比，接触处理液的时间变短。因此，在衬底的面内接触处理液的时间产生偏差。结果为，衬底的面内均匀性有可能降低。
[0008]本专利技术是鉴于所述问题而完成的，目的在于提供一种在衬底的面内接触处理液之时间不易产生偏差的衬底处理装置及衬底处理方法。
[0009][解决问题的技术手段][0010]根据本专利技术的一观点，衬底处理装置具备处理槽、衬底保持部、气泡供给部件、处理液补充部件、及控制部。所述处理槽贮存处理液。所述衬底保持部在所述处理槽内保持衬底，并使所述衬底浸渍在所述处理槽中所贮存的所述处理液中。所述气泡供给部件对浸渍在所述处理液中的所述衬底的表面供给气泡。所述处理液补充部件向所述处理槽中补充所述处理液。所述控制部相应于从所述气泡供给部件供给的所述气泡的量阶段性地或逐步地减少，而从所述处理液补充部件补充所述处理液。
[0011]在某一实施方式中，所述衬底处理装置还具备存储部。所述存储部存储数据，所述数据规定与从所述气泡供给部件供给的所述气泡的量对应的物理量和从所述处理液补充部件补充的所述处理液的量的关系。所述控制部基于所述数据，控制从所述处理液补充部件补充的所述处理液的量。
[0012]在某一实施方式中，所述衬底处理装置还具备气体供给配管与流量调整部。所述气体供给配管对所述气泡供给部件供给气体。所述流量调整部调整在所述气体供给配管中流通的所述气体的流量。
[0013]在某一实施方式中，所述衬底处理装置还具备对所述处理液补充部件供给所述处理液的处理液补充部。所述处理液补充部具有补充槽、补充配管、加热部、及过滤器。所述补
充槽贮存所述处理液。所述补充配管使所述处理液流通到所述处理液补充部件。所述加热部调整所述处理液的温度。所述过滤器将所述处理液过滤。
[0014]在某一实施方式中，所述处理槽具有内槽与外槽。所述内槽贮存所述处理液。所述外槽回收从所述内槽溢出的所述处理液。所述衬底保持部在所述内槽内保持所述衬底。
[0015]在某一实施方式中，所述衬底处理装置还具备循环配管与处理液供给部件。所述循环配管使所述处理液在所述外槽与所述内槽之间循环。所述处理液供给部件与所述循环配管连通，向所述内槽供给所述处理液。
[0016]在某一实施方式中，所述处理液补充部件向所述外槽中补充所述处理液。
[0017]根据本专利技术的另一观点，衬底处理方法包含如下工序：使衬底浸渍在处理槽中所贮存的处理液中；对浸渍在所述处理液中的所述衬底的表面供给气泡；以及使所述气泡的供给量阶段性地或逐步地减少，并且向所述处理槽中补充所述处理液。
[0018][专利技术效果][0019]根据本专利技术的衬底处理装置及衬底处理方法，在衬底的面内接触处理液的时间不易产生偏差。
附图说明
[0020]图1(a)及(b)是表示本专利技术的实施方式的衬底处理装置的图。
[0021]图2是表示本专利技术的实施方式的衬底处理装置的构成的图。
[0022]图3(a)是表示经过处理时间后到停止供给气泡为止的期间内在气体供给配管中流通的气体的流量的一例的曲线图。(b)是表示在补充配管中流通的处理液的流量的一例的曲线图。
[0023]图4(a)是表示第1表格的一例的图。(b)是表示第2表格的一例的图。
[0024]图5是表示本专利技术的实施方式的衬底处理装置的动作的一例的流程图。
[0025]图6是表示多个处理液供给部件及多个气泡供给部件的俯视图。
[0026]图7是表示气体供给部的第1例的图。
[0027]图8是表示气体供给部的第2例的图。
[0028]图9是表示气体供给部的第3例的图。
[0029]图10是表示处理液补充部的构成的图。
[0030]图11是表示处理液补充部的第1变化例的图。
[0031]图12是表示处理液补充部的第2变化例的图。
[0032]图13(a)是表示经过处理时间后到停止供给气泡为止的期间内在气体供给配管中流通的气体的流量的另一例的曲线图。(b)是表示在补充配管中流通的处理液的流量的另一例的曲线图。
具体实施方式
[0033]以下，参照附图(图1～图13)对本专利技术的衬底处理装置及衬底处理方法的实施方式进行说明。但是，本专利技术并不限定于以下实施方式。此外，关于说明重复的部分，有时适当省略说明。另外，图中对相同或相当部分标注相同的参照符号且不重复说明。
[0034]在本说明书中，为了容易理解，有时记载相互正交的X方向、Y方向及Z方向。典型
地，X方向及Y方向平行于水平方向，Z方向平行于铅直方向。但是，并不意图通过这些方向的定义来限定本专利技术的衬底处理装置使用时的方向、及本专利技术的衬底处理方法执行时的方向。
[0035]本专利技术的实施方式中的“衬底”可以应用半导体晶圆、光掩模用玻璃衬底、液晶显示用玻璃衬底、等离子体显示用玻璃衬底、FED(Field Emission Display，场发射显示器)用衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底、及磁光盘用衬底等各种衬底。以下，主要以圆盘状半导体晶圆的处理中所使用的衬底处理装置及衬底处理方法为例对本专利技术的实施方式进行说明，但也可以同样应用于上文所例示的各种衬底的处理。另外，关于衬底的形状，也可以应用各种形状。
[0036]首先，参照图1(a)及图1(b)对本实施方式的衬底处理装置100进行说明。图1(a)及图1(b)是表示本实施方式的衬底处理装置100的图。详细来说，图1(a)表示将多个衬底W投入到处理槽2之前的衬底处理装置100。图1(b)表示将多个衬底W投入到处理槽2之后的衬底处理装置100。
[0037]如图1(a)及图1(b)所示，本实施方式的衬底处理装置100为分批式。因此，衬底处理装置100利用处理液LQ对多个衬底W一起进行处理。例如，利用处理液LQ对多个衬底W进行蚀刻处理、表面处理、特性赋予、处理膜形成、膜的至少一部分去除、及清洗中的至少1种处理。
[0038]例如，利用处理液LQ对多个衬底W进行蚀刻处理时，处理液LQ可以是含有磷酸的液体。含有磷酸的液体例如是磷酸水溶液、使磷酸水溶液含有本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种衬底处理装置，具备：处理槽，贮存处理液；衬底保持部，在所述处理槽内保持衬底，使所述衬底浸渍在所述处理槽中所贮存的所述处理液中；气泡供给部件，对浸渍在所述处理液中的所述衬底的表面供给气泡；处理液补充部件，向所述处理槽中补充所述处理液；及控制部，相应于从所述气泡供给部件供给的所述气泡的量阶段性地或逐步地减少，而从所述处理液补充部件补充所述处理液。2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其还具备存储部，所述存储部存储数据，所述数据规定与从所述气泡供给部件供给的所述气泡的量对应的物理量和从所述处理液补充部件补充的所述处理液的量的关系，且所述控制部基于所述数据，控制从所述处理液补充部件补充的所述处理液的量。3.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置，其还具备：气体供给配管，对所述气泡供给部件供给气体；及流量调整部，调整在所述气体供给配管中流通的所述气体的流量。4.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置，其还具备处理液补充部，...
【专利技术属性】
技术研发人员：高桥朋宏，武知圭，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：
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