半导体制造用工艺腔室的组件的清洗用组合物以及清洗方法技术

本发明专利技术涉及一种清洗用组合物，其为半导体制造用工艺腔室的组件的清洗用组合物，含有发泡剂、氧化剂以及酸性化合物，(所述清洗用组合物所含有的所述酸性化合物的摩尔数

【技术实现步骤摘要】
半导体制造用工艺腔室的组件的清洗用组合物以及清洗方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造用工艺腔室的组件的清洗用组合物以及清洗方法。
[0002]本申请主张基于2020年11月2日于日本申请的日本特愿2020
‑
183858号的优先权，并将其内容援用于此。

技术介绍

[0003]在半导体基板的处理中，进行如下处理：将基板配置在工艺腔室内，暴露于等离子体或活性气体等，在基板上堆积物质，或对基板上的物质进行蚀刻等。在像这样的处理中，生成处理残渣，堆积在腔室的组件的表面。若堆积的工艺残渣的厚度增加，则从腔室组件的表面剥落，污染处理对象的基板。因此，需要定期清洗堆积的工艺残渣。
[0004]在工艺腔室内的在处理过程中载置有基板的基座上形成有大量用于向基板供给热传递气体等的气孔。堆积在气孔内的残渣成为气体供给的妨碍，也成为工艺气体污染的主要原因。因此，还需要定期地去除气孔内的工艺残渣。
[0005]作为去除工艺残渣的堆积物的方法，有使用清洗液的方法(专利文献1)或使用物理手段的方法等。在使用清洗液的方法中，无需用于清洗的特别装置，但难以去除堆积在气孔内的工艺残渣。在使用物理手段的方法中，提出了通过将伸长销机械地压入气孔内，从而去除气孔内的工艺残渣的方法(专利文献2)。但是，在该方法中，需要将伸长销压入气孔内的机构。此外，存在气孔的内壁受到损伤或者工艺残渣的去除不充分的情况。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本专利第4952257号
[0009]专利文献2：日本专利第4668915号

技术实现思路

[0010]专利技术要解决的技术问题
[0011]为了稳定地进行制造半导体所需的工艺，需要定期地去除工艺腔室组件的工艺残渣的堆积物。但是，难以连气孔内的堆积物也去除，期望开发可连气孔内也清洗的清洗方法。
[0012]本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其技术问题在于提供一种可去除气孔内的堆积物的半导体制造用工艺腔室的组件的清洗用组合物以及清洗方法。
[0013]用于解决上述技术问题的方案
[0014]为了解决上述技术问题，本专利技术采用了以下的构成。
[0015]本专利技术的第1方案是半导体制造用工艺腔室的组件的清洗用组合物，含有氧化剂、发泡剂以及酸性化合物，(所述清洗用组合物所含有的所述酸性化合物的摩尔数
×
所述酸性化合物的酸的价数)/(所述清洗用组合物所含有的所述发泡剂的摩尔数
×
所述发泡剂的碱的价数)的值超过0.1小于1.5。
[0016]本专利技术的第2方案是一种半导体制造用工艺腔室的组件的清洗方法，包括使用所述清洗用组合物来清洗半导体制造用工艺腔室的组件的工序。
[0017]专利技术效果
[0018]根据本专利技术，能够提供可去除气孔内的堆积物的半导体制造用工艺腔室的组件的清洗用组合物以及清洗方法。
具体实施方式
[0019](清洗用组合物)
[0020]本专利技术的一实施方式所涉及的半导体制造用工艺腔室的组件的清洗用组合物的特征在于，含有发泡剂、氧化剂以及酸性化合物，(所述清洗用组合物所含有的所述酸性化合物的摩尔数
×
所述酸性化合物的酸的价数)/(所述清洗用组合物所含有的所述发泡剂的摩尔数
×
所述发泡剂的碱的价数)的值超过0.1小于1.5。
[0021]<半导体制造用工艺腔室组件>
[0022]本实施方式的清洗用组合物用于清洗半导体制造用工艺腔室的组件。半导体制造用工艺腔室是在半导体制造工艺中用于处理半导体基板的工艺腔室。作为半导体基板的处理，例如可例举CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)、干式蚀刻等，但并不限定于这些。工艺腔室划分出通过等离子体或活性气体等处理半导体基板的工艺区。
[0023]半导体制造用工艺腔室的组件是指构成半导体制造用工艺腔室的部件。作为工艺腔室的组件，优选具备气孔的组件。气孔用于向工艺腔室内供给工艺气体或热传递气体等。作为具备气孔的组件，例如可例举对半导体基板进行保持的基座等。
[0024]堆积于工艺腔室的组件的工艺残渣的堆积物根据工艺的种类而变动，通常包含无机物以及有机物。作为无机物，例如可例举硅、铝、铜、钛、镁等金属的含有物、金属氧化物，但并不限定于这些物质。作为有机物，可例举所述金属的有机金属化合物、有机氟化合物、有机氮化合物等，但并不限定于这些。不管构成堆积物的物质的种类如何，本实施方式的清洗用组合物都能够连气孔内的堆积物也良好地去除。因此，本实施方式的清洗用组合物优选用于在具备气孔的组件中去除通过半导体制造工艺而堆积在气孔内的堆积物。
[0025]<氧化剂：(A)成分>
[0026]在本实施方式的清洗用组合物中，氧化剂(以下，也称为“(A)成分”)是可以成为电子受体的化合物。在本实施方式的清洗用组合物中，由于工艺残渣被氧化剂氧化，因此容易因后述的发泡剂而发泡从而被剥离以及去除。
[0027]氧化剂没有特别限定，例如可例举过氧化物(例如过氧化氢、过碘酸等)、次氯酸、亚氯酸、次溴酸、过渡金属氧化物、过氧化物、硝酸铵铈、硝酸盐、亚硝酸盐、碘酸、碘酸盐、过碘酸盐、过氯酸盐、过硫酸、过硫酸盐、过乙酸、过乙酸盐、高锰酸化合物、重铬酸化合物等。
[0028]其中，从容易操作的观点出发，优选过氧化氢。
[0029]氧化剂可以单独使用1种，也可以并用2种以上。
[0030]本实施方式的清洗用组合物中的氧化剂的含量没有特别限定，例如相对于清洗用组合物整体(100质量％)优选为1～30质量％，更优选为3～20质量％，进一步优选为3～15质量％，特别优选为5～10质量％。若氧化剂的含量为上述优选的下限值以上，则气孔内的堆积物的去除性能提高。若氧化剂的含量为上述优选的上限值以下，则容易取得与其它成
分的平衡。
[0031]<发泡剂：(B)成分>
[0032]本实施方式的清洗用组合物含有发泡剂(以下也称为“(B)成分”)。发泡剂是与后述的酸性化合物反应而产生气体的化合物。在本实施方式的清洗用组合物中，通过在气孔内部产生发泡，从而剥离以及去除气孔内的堆积物。
[0033]发泡剂只要是与酸性化合物反应而产生气体的化合物就没有特别限定，优选碳酸盐。碳酸盐与酸性化合物反应而产生二氧化碳(CO2)。
[0034]碳酸盐只要是与酸性化合物反应而产生二氧化碳的盐类化合物，就没有特别限定。碳酸盐可以是正盐、酸性盐(碳酸氢盐)以及碱性盐(碳酸氢氧化物盐)的任一种。作为碳酸盐，例如可例举与碱金属的盐、与碱土类金属的盐、与过渡金属的盐、铵盐、与胍或胍衍生物的盐等。
[0035]作为与碱金属的盐，例如可例举碳酸氢钠、碳酸钠、碳酸钾、碳酸氢钾、碳酸镧、碳酸锂等。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种清洗用组合物，为半导体制造用工艺腔室的组件的清洗用组合物，其特征在于，含有氧化剂、发泡剂以及酸性化合物，(所述清洗用组合物所含有的所述酸性化合物的摩尔数
×
所述酸性化合物的酸的价数)/(所述清洗用组合物所含有的所述发泡剂的摩尔数
×
所述发泡剂的碱的价数)的值超过0.1小于1.5。2.如权利要求1所述的清洗用组合物，其特征在于，所述清洗用组合物是将含有所述氧化剂以及所述酸性化合物的第1液与含有所述发泡剂的第2液混合来使用的2...

【专利技术属性】
技术研发人员：平野勋，铃木康夫，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：