存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

本申请涉及存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储块，每个存储块包括多个串，其中多个存储块被控制为具有设定温度；外围电路，其用于对多个存储块当中的被选存储块执行读取操作；温度检测电路，其用于检测存储器单元阵列的温度并基于存储器单元阵列的温度产生温度检测信号；以及控制逻辑，其用于在读取操作期间控制外围电路，并且被配置为响应于温度检测信号而产生加热控制信号，加热控制信号可以控制被选存储块以具有设定温度。存储块以具有设定温度。存储块以具有设定温度。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其操作方法


[0001]本公开总体上涉及电子装置，并且更具体地涉及存储器装置及其操作方法。

技术介绍

[0002]最近的计算机环境的范例已转变为可以随时随地使用计算系统的无处不在的计算环境。这促进了诸如移动电话、数码相机、笔记本计算机等的便携式电子装置的越来越多的使用。这样的便携式电子装置通常可以包括使用存储器装置的存储器系统，即，数据储存装置。数据储存装置用作便携式电子装置的主存储器装置或辅存储器装置。
[0003]使用存储器装置的数据储存装置由于没有机械驱动部件而具有优异的稳定性和耐久性、高信息访问速度和低功耗。在具有这些优点的存储器系统的示例中，数据储存装置包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡、固态驱动器(SSD)等。
[0004]存储器装置通常分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。
[0005]非易失性存储器装置具有相对慢的写入和读取速度，但是即使在供电中断的情况下也保持所存储的数据。因此，非易失性存储器装置用于存储不论是否供电都要保持的数据。非易失性存储器的示例包括只读存储器(ROM)、掩码ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电式RAM(FRAM)等。闪存被分类为NOR型闪存和NAND型闪存。

技术实现思路

[0006]根据本公开的一方面，提供了一种存储器装置，其包括：存储器单元阵列，其包括多个存储块，每个存储块包括多个串，其中多个存储块被控制为具有设定温度；外围电路，其被配置为对多个存储块当中的被选存储块执行读取操作；温度检测电路，其被配置为检测存储器单元阵列的温度，并且基于存储器单元阵列的温度来产生温度检测信号；以及控制逻辑，其被配置为在读取操作期间控制外围电路，并且被配置为响应于温度检测信号而产生加热控制信号，加热控制信号可以控制被选存储块以具有设定温度。
[0007]根据本公开的另一方面，提供了一种存储器装置，其包括：存储器单元阵列，其包括多个存储块，每个存储块包括多个串，其中多个存储块被控制为响应于位线电压而具有设定温度；外围电路，其被配置为对多个存储块当中的被选存储块执行读取操作；温度检测电路，其被配置为检测存储器单元阵列的温度，并且基于存储器单元阵列的温度来产生温度检测信号；以及控制逻辑，其被配置为在读取操作期间控制外围电路，并且被配置为响应于温度检测信号而设置位线电压的电位或电流量，以控制被选存储块以具有设定温度。
[0008]根据本公开的又一方面，提供了一种用于操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：提供包括多个存储块的存储器单元阵列，每个存储块具有加热层；通过使用与存储器单元阵列相邻设置的温度检测电路来检测存储器单元阵列的温度；基于检测到的存储器单元阵列的温度，产生加热控制信号，加热控制信号被施加到多个存储块当中的被选存储块的加热层；响应于加热控制信号，控制被选存储块以具有设定温度或更高的温度；以及对
被选存储块执行数据感测操作。
[0009]根据本公开的又一方面，提供了一种用于操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：提供包括多个存储块的存储器单元阵列，每个存储块具有加热层；通过使用与存储器单元阵列相邻设置的温度检测电路来检测存储器单元阵列的温度；基于检测到的存储器单元阵列的温度，设置向多个存储块当中的被选存储块的位线施加的位线电压的电位或电流量；通过在位线预充电时段中向被选存储块的位线施加位线电压来控制被选存储块以具有设定温度或更高的温度；以及对被选存储块执行数据感测操作。
附图说明
[0010]现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施方式；然而，它们可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是透彻和完整的，并将向本领域技术人员充分传达示例实施方式的范围。
[0011]在附图中，为了图示清楚，可能夸大了尺寸。将理解的是，当元件被称为在两个元件“之间”时，它可以是两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或更多个中间元件。贯穿全文，相似的附图标记指代相似的元件。
[0012]图1是例示根据本公开的实施方式的存储器系统的图。
[0013]图2是例示图1所示的存储器装置的第一实施方式的图。
[0014]图3是例示图2所示的存储块的图。
[0015]图4是例示三维配置的存储块的实施方式的图。
[0016]图5是例示包括于图2所示的存储块中的串的内部结构的立体图。
[0017]图6是图5所示的区域X的放大截面图。
[0018]图7是例示图1所示的存储器装置的第二实施方式的图。
[0019]图8是例示包括于图7所示的存储块中的串的内部结构的立体图。
[0020]图9A是例示图7所示的存储器单元阵列的另一实施方式的立体图。
[0021]图9B是例示图7所示的存储器单元阵列的又一实施方式的立体图。
[0022]图10是例示图2和图7所示的存储器装置的读取操作方法的实施方式的流程图。
[0023]图11是例示图2所示的存储器装置的读取操作方法的另一实施方式的流程图。
[0024]图12是例示存储器系统的另一实施方式的图。
[0025]图13是例示存储器系统的另一实施方式的图。
[0026]图14是例示存储器系统的另一实施方式的图。
[0027]图15是例示存储器系统的另一实施方式的图。
具体实施方式
[0028]本文公开的特定结构或功能描述仅仅是出于描述根据本公开的构思的实施方式的目的而例示的。根据本公开的构思的实施方式可以以各种形式实现，并且不能被解释为限于本文阐述的实施方式。
[0029]在下文中，将参照附图详细描述本公开的示例性实施方式，以便使本领域技术人员能够容易地实现本公开的技术精神。
[0030]将理解的是，尽管在本文中使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，
但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，一些实施方式中的第一元件可以在其它实施方式中被称为第二元件。
[0031]此外，将理解的是，当元件被称为“连接”或“联接”至另一元件时，它可以直接连接或联接至另一元件，或者可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接连接”或“直接联接”至另一元件时，不存在中间元件。
[0032]实施方式提供了用于在存储器装置的读取操作期间恒定地保持存储块的温度的存储器装置以及该存储器装置的操作方法。
[0033]图1是例示根据本公开的实施方式的存储器系统的图。
[0034]参照图1，存储器系统1000可以包括被配置为存储数据的存储器装置1100和被配置为在主机2000的控制下控制存储器装置1100的存储器控制器120本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储块，每个存储块包括多个串，其中，所述多个存储块被控制为具有设定温度；外围电路，所述外围电路对所述多个存储块当中的被选存储块执行读取操作；温度检测电路，所述温度检测电路检测所述存储器单元阵列的温度并且基于所述存储器单元阵列的温度产生温度检测信号；以及控制逻辑，所述控制逻辑在所述读取操作期间控制所述外围电路并且响应于所述温度检测信号而产生加热控制信号，所述加热控制信号控制所述被选存储块以具有所述设定温度。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多个串中的每个串具有包括加热层、沟道层、隧道绝缘层和电荷储存层的沟道结构。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述加热层通过响应于所述加热控制信号而产生热来控制所述被选存储块以具有所述设定温度。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述加热层是金属合金层、掺杂硅层、掺杂锗层或掺杂碳层。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述存储器单元阵列包括加热层，所述加热层被设置在所述多个存储块中的每个存储块的顶部或底部或者被设置在所述多个存储块中的每个存储块内。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述读取操作包括温度补偿时段和数据感测时段，其中，所述被选存储块被控制为在所述温度补偿时段中响应于所述加热控制信号而具有所述设定温度，并且其中，所述外围电路在所述温度补偿时段结束之后的所述数据感测时段中读取所述被选存储块中存储的数据。7.一种存储器装置，该存储器装置包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储块，每个存储块包括多个串，其中，所述多个存储块被控制为响应于位线电压而具有设定温度；外围电路，所述外围电路对所述多个存储块当中的被选存储块执行读取操作；温度检测电路，所述温度检测电路检测所述存储器单元阵列的温度并且基于所述存储器单元阵列的温度产生温度检测信号；以及控制逻辑，所述控制逻辑在所述读取操作期间控制所述外围电路并且响应于所述温度检测信号而设置所述位线电压的电位或电流量来控制所述被选存储块以具有所述设定温度。8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述多个串中的每个串具有包括加热层、沟道层、隧道绝缘层和电荷储存层的沟道结构。9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述加热层和所述沟道层连接至多条位线中的任何一条。10.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述加热层通过响应于所述位线电压而产生热来控制所述被选存储块以具有所述设定温度。
11.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述加热层是金属合金层、掺杂硅层、掺杂锗...

【专利技术属性】
技术研发人员：金在雄，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：