【技术实现步骤摘要】
一种化合物及其应用
[0001]本专利技术涉及有机电致发光
,尤其涉及一种化合物及其应用。
技术介绍
[0002]近年来,基于有机材料的光电子器件已经越来越受欢迎。有机材料固有的柔性令其十分适合用于在柔性基板上制造,可根据需求设计、生产出美观而炫酷的光电子产品,获得相对于无机材料无以比拟的优势。此类有机光电子器件的示例包括有机发光二极管(OLED),有机场效应管,有机光伏打电池,有机传感器等。其中OLED发展尤其迅速,已经在信息显示领域取得商业上的成功。
[0003]OLED器件核心为含有多种有机功能材料的薄膜结构。常见的功能化有机材料有:空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、电子注入材料、电子传输材料,电子阻挡材料以及发光主体材料和发光客体(染料)等。通电时,电子和空穴被分别注入、传输到发光区域并在此复合,从而产生激子并发光。
[0004]人们已经开发出多种有机材料,结合不断发展的器件结构,可以提升载流子迁移率、调控载流子平衡、突破电致发光效率、延缓器件衰减。出于量子力学的原因,常见的荧光发光体主要利用电子和空穴结合时产生的单线态激子发光,现在仍然广泛地应用于各种OLED产品中。有些金属络合物如铱络合物,可以同时利用三线态激子和单线态激子进行发光,被称为磷光发光体,其能量转换效率可以比传统的荧光发光体提升高达四倍。热活化延迟荧光(TADF)技术通过促进三线态激子朝单线态激子的转变,在不采用金属配合物的情况下,仍然可以有效地利用三线态激子而实现较高的发光效率。热活化敏化荧光(TASF)技术则
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种通式化合物,具有式I所示的结构:式I中,R1、R2和R3表示单取代基到最大允许取代基,并且各自独立地选自氢、氘、卤素、取代或未取代的C1-C20的直链烷基、取代或未取代的C3-C20的支链烷基、取代或未取代的C3-C30的环烷基、C2~C10烯基、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基中的一种;当R1、R2或R3各自独立地为多个时,相邻的R1之间、相邻的R2之间或相邻的R3之间可稠合连接;R4和R5各自独立地选自氢、氘、卤素、C1-C20的直链烷基、C1-C20的支链烷基、C3-C30的环烷基、取代或未取代的C6-C30的芳基,取代或未取代的C3-C30的杂芳基;q为0或1;Ar选自取代或未取代的C1-C20的烷基、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基中的一种;当上述基团存在取代基团时,所述取代基团选自卤素、氰基、羰基、C1~C20的链状烷基、C3~C20的环烷基、C2~C10烯基、C1~C10的烷氧基或硫代烷氧基、C6~C30芳基氨基、C3~C30杂芳基氨基、C6~C30的芳基、C3~C30的杂芳基中的一种或者至少两种的组合。2.根据权利要求1所述的化合物,所述R1、R2和R3各自独立地选自取代或未取代的C1-C20的直链烷基、取代或未取代的C3-C20的支链烷基、取代或未取代的C3-C30的环烷基中的一种;优选的,所述R1、R2和R3各自独立地选自甲基、异丙基、叔丁基、环己基、金刚烷基中的一种。3.根据权利要求1所述的化合物,具有如下述式Ⅱ所示的结构:式Ⅱ中,所述Ar选自取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基
中的一种,所述q、R1、R2、R3、R4和R5的定义与在式Ⅰ中的定义相同;优选的,当R2独立地为多个时,相邻的R2之间可相互键合形成C4-C30的芳基,当R3各自独立地为多个时,相邻的R3之间不稠合连接。4.根据权利要求1所述的化合物,具有如下述式Ⅲ所示的结构:式Ⅲ中,所述Ar选自取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基中的一种,所述R1、R2、R3、R4和R5的定义与在式Ⅰ中的定义相同;优选的,当R2独立地为多个时,相邻的R2之间可相互键合形成C4-C30的芳基,当R3各自独立地为多个时,相邻的R3之间不稠合连接;优选的,所述R1、R2、R3、R4和R5各自独立地选自氢、C1-C10的直链烷基、C3-C10的支链烷基、C3-C20的环烷基、C6-C30的芳基、C3-C30的杂芳基中的一种。5.根据权利要求4所述的化合物,其中Ar选自如下取代或未取代的基团:
当上述基团存在取代基团时,所述取代基团选自卤素、氰基、羰基、C1~C12的链状烷基、C3~C12的环烷基、C2~C10烯基、C1~C10的烷氧基或硫代烷氧基、C6~C30芳基氨基、C3~C30杂芳基氨基、C6~C30的芳基、C3~C30的杂芳基中的一种或者至少两种的组合。6.根据权利要求4所述的化合物,其中Ar选自如下的基团:
优选的,Ar选自如下的基团:
7.根据权利要求1所述的化合物,具有如下述式Ⅳ所示的结构:式Ⅳ中,所述Ar1选自取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基中的一种;所述R
技术研发人员:高文正,王志鹏,张维宏,黄鑫鑫,黄金华,
申请(专利权)人:北京鼎材科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。