本公开涉及光源装置。一种光源装置，包括：等离子源；第一电源，用于为等离子源供电；第一电极，具有孔；第二电源，用于在等离子源的负电极与第一电极之间产生第一电场，使得等离子体从孔穿过第一电极；第二电极，用于接收穿过第一电极的等离子体；第三电源，用于在第一电极与第二电极之间产生第二电场；真空室；以及磁体，用于产生磁场，磁场被构造成将等离子体约束在真空室的中心轴附近，真空室包括第一腔室、第二腔室、第三腔室和第四腔室，磁体包括：第一磁体，用于在第一腔室中产生第一磁场；第二磁体，用于在第二腔室中产生第二磁场；以及第三磁体，用于在第四腔室中产生第三磁场，等离子体在第三腔室中会聚，从而产生电磁辐射。从而产生电磁辐射。从而产生电磁辐射。
【技术实现步骤摘要】
光源装置
[0001]本公开涉及一种光源装置。
技术介绍
[0002]随着半导体技术的发展，芯片的制程不断进步。目前，最新的芯片制程已经达到5nm并实现了广泛的工业应用，2纳米制程工艺的工业化也正在紧锣密鼓的研发和准备中。所有制程工艺的进步都离不开光刻机。极紫外光刻机成为最热门的产品。光刻机的光源在某种意义上决定了工艺制程。可以产生极紫外光的光源是人们关注的焦点之一。
[0003]极紫外光，又称极端紫外线辐射，是指电磁波谱中波长从121纳米到10纳米的电磁辐射。
技术实现思路
[0004]根据本公开的一个方面，提供了一种光源装置，包括：等离子源；第一电源，用于为所述等离子源供电以产生等离子体；第一电极，被构造成具有孔；第二电源，用于在所述等离子源的负电极与所述第一电极之间产生第一电场，使得所述等离子体从所述孔穿过所述第一电极；第二电极，用于接收穿过所述第一电极的等离子体；第三电源，用于在所述第一电极与所述第二电极之间产生第二电场；真空室，用于容纳所述等离子体；以及磁体，用于产生磁场，所述磁场被构造成将所述等离子体约束在所述真空室的中心轴附近，其中，所述真空室包括沿所述等离子体中自由电子的行进方向依次设置的第一腔室、第二腔室、第三腔室和第四腔室，所述磁体包括：第一磁体，用于在所述第一腔室中产生第一磁场；第二磁体，用于在所述第二腔室中产生第二磁场；以及第三磁体，用于在所述第四腔室中产生第三磁场，其中，所述等离子体在所述第三腔室中会聚，从而产生电磁辐射。
[0005]在根据本公开的一些实施例中，所述第四腔室的内径小于第一腔室的内径。
[0006]在根据本公开的一些实施例中，所述第三磁体包括围绕所述第四腔室布置的螺线管。
[0007]在根据本公开的一些实施例中，所述第三电源、所述第三磁体的螺线管以及所述第二电极串联连接。
[0008]在根据本公开的一些实施例中，所述螺线管包括串联在所述第三电源和所述第二电极之间的导线的至少一部分。
[0009]在根据本公开的一些实施例中，所述等离子源包括：中空的筒状正电极；以及位于正电极内部的负电极。
[0010]在根据本公开的一些实施例中，所述第一电源的正极与所述等离子源的正电极电连接，所述第一电源的负极与所述等离子源的负电极电连接。
[0011]在根据本公开的一些实施例中，所述第二电源的正极与所述第一电极电连接，所述第二电源的负极与所述等离子源的负电极电连接。
[0012]在根据本公开的一些实施例中，所述第三电源的正极与所述第二电极电连接，所
述第三电源的负极与所述第一电极电连接。
[0013]在根据本公开的一些实施例中，所述第一电源为脉冲电源。
[0014]在根据本公开的一些实施例中，所述第一电源的脉冲宽度为0.1毫秒-10毫秒。
[0015]在根据本公开的一些实施例中，所述第一电源的电压为1kV-2kV。
[0016]在根据本公开的一些实施例中，所述第二电源为脉冲电源。
[0017]在根据本公开的一些实施例中，所述第二电源的脉冲宽度为0.5毫秒-50毫秒。
[0018]在根据本公开的一些实施例中，所述第二电源的电压为300V-1000V。
[0019]在根据本公开的一些实施例中，所述第三电源为脉冲电源。
[0020]在根据本公开的一些实施例中，所述第三电源的脉冲宽度为0.1毫秒-10毫秒。
[0021]在根据本公开的一些实施例中，所述第三电源的电压为1kV-3kV。
[0022]在根据本公开的一些实施例中，所述光源装置还包括：气体源，用于向所述真空室提供电离用气体。
[0023]在根据本公开的一些实施例中，所述真空室的气压为1Pa-10Pa。
[0024]在根据本公开的一些实施例中，所述气体源包括：氢气、氦气、氩气和氙气中的至少一种。
[0025]在根据本公开的一些实施例中，所述气体源包括：氢气、氦气和氩气，并且氩气、氢气和氦气的流量比为氩气：氢气：氦气＝1：3：10。
[0026]在根据本公开的一些实施例中，所述第二腔室的内径小于第一腔室的内径。
[0027]在根据本公开的一些实施例中，所述第三腔室中没有外加磁场。
[0028]在根据本公开的一些实施例中，所述第三腔室的内壁设有反光层。
[0029]在根据本公开的一些实施例中，所述第三腔室配置有出光口，所述电磁辐射经由所述出光口出射。
[0030]在根据本公开的一些实施例中，所述电磁辐射为极紫外光。
[0031]在根据本公开的一些实施例中，所述第一磁场被构造成对所述等离子体进行压缩，从而减小所述等离子体的直径。
[0032]在根据本公开的一些实施例中，所述第一磁体包括围绕所述第一腔室布置的螺线管。
[0033]在根据本公开的一些实施例中，所述第三电源、所述第一磁体的螺线管以及所述第二电极串联连接。
[0034]在根据本公开的一些实施例中，所述螺线管包括串联在所述第三电源和所述第二电极之间的导线的至少一部分。
[0035]在根据本公开的一些实施例中，所述第二磁体包括围绕所述第二腔室布置的螺线管。
[0036]在根据本公开的一些实施例中，所述第三电源、所述第二磁体的螺线管以及所述第二电极串联连接。
[0037]在根据本公开的一些实施例中，所述螺线管包括串联在所述第三电源和所述第二电极之间的导线的至少一部分。
[0038]根据本公开的另一个方面，提供了一种光源装置，包括：等离子源；第一电源，用于为所述等离子源供电以产生等离子体；多个级联的第一电极，每个第一电极设置有孔；多个
第二电源，所述多个第二电源串联连接，并且各个第二电源的正极与对应的第一电极电连接，使得所述等离子体从所述孔穿过对应的第一电极；第二电极，用于接收穿过所述多个级联的第一电极的等离子体；第三电源，所述第三电源的正极电连接到所述第二电极，所述第三电源的负极电连接到与所述第二电极相邻的第一电极；真空室，用于容纳所述等离子体；以及磁体，用于产生磁场，所述磁场被构造成将所述等离子体约束在所述真空室的中心轴附近，其中，所述真空室包括沿所述等离子体中自由电子的行进方向依次设置的第一腔室、第二腔室、第三腔室和第四腔室，所述磁体包括：第一磁体，用于在所述第一腔室中产生第一磁场；第二磁体，用于在所述第二腔室中产生第二磁场；以及第三磁体，用于在所述第四腔室中产生第三磁场，其中，所述等离子体在所述第三腔室中会聚，从而产生电磁辐射。
[0039]在根据本公开的一些实施例中，所述第二磁场的磁场强度大于第一磁场的磁场强度，所述第二磁体包括在所述第二腔室上缠绕多圈的线缆，所述线缆的一端电连接到所述第三电源的正极，另一端电连接到所述第二电极。
[0040]根据本公开的又一个方面，提供了一种光源装置，包括：等离子源；第一电源，用于为所述等离子源供电以产生等离子体；第一电极，被构造成具有孔；第二电源，用于在所述等离子本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光源装置，包括：等离子源；第一电源，用于为所述等离子源供电以产生等离子体；第一电极，被构造成具有孔；第二电源，用于在所述等离子源的负电极与所述第一电极之间产生第一电场，使得所述等离子体从所述孔穿过所述第一电极；第二电极，用于接收穿过所述第一电极的等离子体；第三电源，用于在所述第一电极与所述第二电极之间产生第二电场；真空室，用于容纳所述等离子体；以及磁体，用于产生磁场，所述磁场被构造成将所述等离子体约束在所述真空室的中心轴附近，其中，所述真空室包括沿所述等离子体中自由电子的行进方向依次设置的第一腔室、第二腔室、第三腔室和第四腔室，所述磁体包括：第一磁体，用于在所述第一腔室中产生第一磁场；第二磁体，用于在所述第二腔室中产生第二磁场；以及第三磁体，用于在所述第四腔室中产生第三磁场，其中，所述等离子体在所述第三腔室中会聚，从而产生电磁辐射。2.根据权利要求1所述的光源装置，其中，所述第四腔室的内径小于第一腔室的内径。3.根据权利要求1或2所述的光源装置，其中，所述第三磁体包括围绕所述第四腔室布置的螺线管。4.根据权利要求3所述的光源装置，其中，所述第三电源、所述第三磁体的螺线管以及所述第二电极串联连接。5.根据权利要求3所述的光源装置，其中，所述螺线管包括串联在所述第三电源和所述第二电极之间的导线的至少一部分。6.根据权利要求1所述的光源装置，其中，所述等离子源包括：中空的筒状正电极；以及位于正电极内部的负电极。7.根据权利要求1所述的光源装置，其中，所述第一电源的正极与所述等离子源的正电极电连接，所述第一电源的负极与所述等离子源的负电极电连接。8.一种光源装置，包括：等离子源；第一电源，用于为所述等离子源供电以产生等离子体；多个级联的第一电极，每个第一电极设置有孔；多个第二电源，所述多个第二电源串联连接，...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾宪俊，
申请(专利权)人：上海宏澎能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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