使用带隙基准电压发生电路的不规则电压检测和切断电路制造技术

一种使用带隙基准电压发生电路的不规则电压检测和切断电路，包括：带隙基准电压发生电路，从电源电压产生带隙基准电压；基准电压发生器，从电源电压产生与带隙基准电压相同电压电平的第一基准电压和第二基准电压；电压检测器，从电源电压产生检测电压；以及比较器，通过将第一和第二基准电压与检测电压进行比较，产生切断电源电压的开关控制信号。

【技术实现步骤摘要】

本公幵涉及一种半导体集成电路，更具体地，涉及一种通过使用带 隙基准电压发生电路来检测和切断不规则电压的电路。
技术介绍
当向设定了工作电源范围的系统施加不规则电压(例如过高电压或 过低电压)时，系统不能正常工作。具体地，高电压可以损坏系统，因 此需要将高电压切断的电路以便保护系统。图1是示出了可以保护显示装置免于不稳定电源影响的传统保护电 路的图。参考图1，当输入电源电压Vin超过正常工作范围时，保护电 路产生主电源接通/断开信号MS，强制断开连接输入电源Vin和电源发 生器(未示出)的主开关。基准电压电路130通过使用第六电阻器R6 和第七电阻器R7，基于输入电源电压Vin产生最小基准电压和最大基准 电压。将最大基准电压输入到第一比较器122的非反相输入端(+)以及将 最小基准电压输入到第二比较器124的反相输入端(-)。第一比较器122通过将使用稳定电路120中的第二齐纳二极管ZD2 稳定的第二节点n2的第二电压与最大基准电压进行比较，产生主电源控 制信号PCS。在该示例中，当第二电压小于最大基准电压时，所产生的 主电源控制信号PCS为高状态。第二比较器124通过将使用稳定电路126 中的第一齐纳二极管ZDl稳定的第一节点nl的第一电压与最小基准电压 进行比较，产生主电源控制信号PCS。在该示例中，当第一电压大于最 小基准电压时，所产生的主电源控制信号PCS为高状态。将主电源控制 信号PCS传送至输出节点nO，然后通过使用稳定电路132内的第三齐纳二极管ZD3进行稳定。因此，生成主电源控制信号PCS作为主电源接通/断开信号MS。因此，在最小基准电压和最大基准电压之间的范围中，产 生高电平的主电源接通/断开信号MS接通主开关。然而，在保护电路中使用的第一、第二和第三齐纳二极管ZD1、 ZD2 和ZD3的导通电压可能根据工艺或温度变化而变化。如图2所示，这扩 大了由主电源接通/断开信号MS控制的最小基准电压VLon和最大基准电 压VHoff之间的范围，例如VLonl至VHoff 1或VLon2至VHoff2。因此，需要可以精确地控制最小基准电压和最大基准电压之间的电 压范围的不规则电压检测和切断电路。
技术实现思路
本专利技术的示例性实施例提出了一种使用带隙基准电压发生电路的 不规则电压检测和切断电路。根据本专利技术的示例性实施例，提出了一种不规则电压检测和切断电 路，监测电源电压的工作电压范围，所述不规则电压检测和切断电路包 括带隙基准电压发生电路，从电源电压产生带隙基准电压；基准电压 发生器，从电源电压产生与带隙基准电压相同电压电平的第一基准电压 和第二基准电压；电压检测器，从电源电压产生检测电压；以及比较器， 通过将第一和第二基准电压与检测电压进行比较，产生切断电源电压的 开关控制信号。基准电压发生电路可以包括运算放大器，其中将带隙基准电压输 入到所述运算放大器的非反相输入端，并且将第一基准电压输入至所述 运算放大器的反相输入端；PM0S晶体管，所述PM0S晶体管的栅极与运 算放大器的输出相连，所述PMQS晶体管的源极与电源电压相连，以及所 述PM0S晶体管的漏极与第一基准电压相连；第一电阻器，连接在第一基 准电压和第二基准电压之间；以及第二电阻器，连接在第二基准电压和 地电压之间。电压检测器可以包括第三电阻器，连接在电源电压和检测电压之 间；以及第四电阻器，连接在检测电压和地电压之间。根据带隙基准电 压以及工作电压范围内的最大电压，第三和第四电阻器可以具有电阻比— Kmax }i 4_ Wg ，其中R3表示第三电阻器，R4表示第四电阻器，Vbg表示 带隙基准电压，以及Vmax表示最大电压。根据带隙基准电压以及工作电压范围内的最小电压，第一至第四电~^~ * F&g = ~^~~ * K min 阻器可以具有电阻比/ l + i 2 W + i 4 ，其中R1表示第一电阻器，R2表示第二电阻器，R3表示第三电阻器，R4表示第四电阻器，Vbg 表示带隙基准电压，以及Vmin表示最小电压。比较器可以包括第一比较器，将第一基准电压和检测电压进行比 较；第二比较器，将第二基准电压和检测电压进行比较；以及逻辑电路， 通过对第一比较器的输出和第二比较器的输出进行与运算，产生开 关控制信号。带隙基准电压发生电路可以包括运算放大器，提供运算放大器的 输出作为偏置电压，并且将第一电压和第二电压进行比较；第一 丽0S 晶体管，连接在运算放大器的输出和地电压之间，并且其栅极与复位信 号相连；第一PMOS晶体管，连接在电源电压和第一电压之间，并且其栅 极与运算放大器的输出相连；第二PM0S晶体管，连接在电源电压和第二 电压之间，并且其栅极与运算放大器的输出相连；第三PMOS晶体管，连 接在电源电压和带隙基准电压之间，并且其栅极与运算放大器的输出相 连；第一电阻器，连接在第一电压和地电压之间；第一二极管，连接在 第一电压和地电压之间；第二电阻器，连接在第二电压和地电压之间； 第三电阻器和第二二极管组，串联连接在第二电压和地电压之间；以及 第四电阻器，连接在带隙基准电压和地电压之间。运算放大器可以包括第四PMOS晶体管，所述第四PMOS晶体管的 源极与电源电压相连，并且所述第四PM0S晶体管的栅极与运算放大器的 输出相连；第五和第六PMOS晶体管，所述第五和第六PMOS晶体管的源 极与第四PM0S晶体管的漏极相连，并且所述第五和第六PM0S晶体管的 栅极分别与第一电压和第二电压相连；第二和第三丽0S晶体管，分别连 接在第五和第六PMOS晶体管的漏极与地电压之间，并且所述第二和第三 NM0S晶体管的漏极和栅极彼此相连；第四丽0S晶体管，所述第四刚0S晶体管的栅极与第二 NM0S晶体管的栅极相连，并且所述第四丽0S晶体 管的源极与地电压相连，以便与第二丽0S晶体管形成电流镜；第五NM0S 晶体管，所述第五丽0S晶体管的漏极与运算放大器的输出相连，所述第 五丽0S晶体管的栅极与第三丽0S晶体管的栅极相连，并且所述第五 丽0S晶体管的源极与地电压相连，以便与第三NMOS晶体管形成电流镜； 第七PMOS晶体管，所述第七PMOS晶体管的源极与电源电压相连，并且 所述第七PM0S晶体管的漏极和栅极与第四丽0S晶体管的漏极相连；以 及第八PMOS晶体管，所述第八PMOS晶体管的源极与电源电压相连，所 述第八PM0S晶体管的漏极与运算放大器的输出相连，并且所述第八PM0S 晶体管的栅极与第七PMOS晶体管的栅极相连，以便与第七PMOS晶体管 形成电流镜。第二二极管组可以由并联连接在第三电阻器和地电压之间 的多个二极管构成。开关控制信号可以接通或断开连接电源电压和主系统的开关。 因此，本专利技术的示例性实施例的不规则电压检测和切断电路通过使 用在面对电源电压和温度变化时稳定的BGR电路，可以精确地控制电源 电压的工作电压范围。附图说明根据以下结合附图的描述，更加详细地了解本专利技术的示例性实施例，其中图l示出了可以保护显示装置免受不稳定电源影响的传统保护电路的图2是用于描述图1所示保护电路的工作的图； 图3是示出了根据本专利技术示例性实施例的不规则电压检测和切断电 路的图4是示出了图3中所示的带隙基准电压发生电路的图；以及 图5是用于描述图3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种不规则电压检测和切断电路，监测电源电压的工作电压范围，所述不规则电压检测和切断电路包括：带隙基准电压发生电路，从电源电压产生带隙基准电压；基准电压发生器，从电源电压产生与带隙基准电压相同电压电平的第一基准电压和第二基准电压；电压检测器，从电源电压产生检测电压；以及比较器，通过将第一和第二基准电压与检测电压进行比较，产生切断电源电压的开关控制信号。

【技术特征摘要】
KR 2007-5-10 10-2007-00454171.一种不规则电压检测和切断电路，监测电源电压的工作电压范围，所述不规则电压检测和切断电路包括带隙基准电压发生电路，从电源电压产生带隙基准电压；基准电压发生器，从电源电压产生与带隙基准电压相同电压电平的第一基准电压和第二基准电压；电压检测器，从电源电压产生检测电压；以及比较器，通过将第一和第二基准电压与检测电压进行比较，产生切断电源电压的开关控制信号。2. 根据权利要求1所述的不规则电压检测和切断电路，其中所述基 准电压发生器包括运算放大器，其中将带隙基准电压输入到所述运算放大器的非反相 输入端，并且将第一基准电压输入至所述运算放大器的反相输入端；PM0S晶体管，所述PM0S晶体管的栅极与运算放大器的输出相连， 所述PM0S晶体管的源极与电源电压相连，以及所述PM0S晶体管的漏极 与第一基准电压相连；第一电阻器，连接在第一基准电压和第二基准电压之间；以及第二电阻器，连接在第二基准电压和地电压之间。3. 根据权利要求2所述的不规则电压检测和切断电路，其中所述电压检测器包括第三电阻器，连接在电源电压和检测电压之间；以及 第四电阻器，连接在检测电压和地电压之间。4. 根据权利要求3所述的不规则电压检测和切断电路，其中根据 带隙基准电压以及工作电压范围内的最大电压，所述第三和第四电阻器7 3 一厂max 〗具有电阻比^ —，其中R3表示第三电阻器，R4表示第四电阻器， Vbg表示带隙基准电压，以及Vmax表示最大电压。5. 根据权利要求3所述的不规则电压检测和切断电路，其中根据 带隙基准电压以及工作电压范围内的最小电压，所述第一至第四电阻器<formula>formula see original document page 3</formula>具有电阻比^<formula>formula see original document page 3</formula>其中Rl表示第一电阻器，R2表示第二电阻器，R3表示第三电阻器，R4表示第四电阻器，Vbg表示带隙 基准电压，以及Vmin表示最小电压。6. 根据权利要求1所述的不规则电压检测和切断电路，其中所述 比较器包括第一比较器，将第一基准电压和检测电压进行比较； 第二比较器，将第二基准电压和检测电压进行比较；以及 逻辑电路，通过对第一比较器的输出和第二比较器的输出进行与 运算，产生开关控制信号。7. 根据权利要求1所述的不规则电压检测和切断电路，其中所述带 隙基准电压发生电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：李昌勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[]