LED显示设备制造技术

一种显示设备，包括：电路板，包括驱动电路；像素阵列，包括位于电路板上的多个像素以及光阻挡分隔件，每个像素包括多个子像素且光阻挡分隔件位于多个子像素之间。多个子像素中的每一个包括配置为产生第一波长的光的下发光二极管(LED)单元。第一子像素包括位于第一下LED单元上的透明树脂结构，第二子像素包括位于第二下LED单元上的单元间绝缘层和具有位于单元间绝缘层上并配置为产生第二波长的光的第二半导体堆叠件的上LED单元，且第三子像素包括位于第三下LED单元上并配置为将第一波长的光转换为第三波长的光的波长转换结构。长的光转换为第三波长的光的波长转换结构。长的光转换为第三波长的光的波长转换结构。

【技术实现步骤摘要】
LED显示设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年10月29日提交至韩国知识产权局的第10
‑
2020
‑
0142487号韩国专利申请的优先权，该申请的全部内容以引用方式并入本文中。


[0003]本公开的实施例涉及具有LED的显示设备。

技术介绍

[0004]半导体发光二极管(LED)不仅用作照明设备的光源，而且用作各种电子产品的光源。例如，LED被广泛用作各种显示设备如TV、移动电话、PC、笔记本PC和PDA的光源。
[0005]现有技术的显示设备主要包括由液晶显示器(LCD)形成的显示面板以及背光件，但是近来，已经开发了不需要使用LED元件作为单个像素的单独背光件的技术。这种显示设备可以是紧凑型的，并且还可以实现为相比于现有技术的LCD具有更优异的光效率的高亮度显示设备。

技术实现思路

[0006]一个或多个示例实施例提供了一种可以以简化的工艺制造的高效LED显示设备。
[0007]根据实施例，提供了一种显示设备，包括：电路板，包括驱动电路；像素阵列，包括布置在电路板上的多个像素以及光阻挡分隔件，所述多个像素中的每一个包括多个子像素，所述多个子像素至少包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，且所述光阻挡分隔件设置在所述多个子像素之间，其中，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每一个分别包括第一下发光二极管(LED)单元、第二下LED单元和第三下LED单元，下LED单元中的每一个具有配置为产生第一波长的光的第一半导体堆叠件，所述第一子像素包括设置在所述第一下LED单元上的透明树脂结构，所述第二子像素包括设置在所述第二下LED单元上的单元间绝缘层和具有设置在所述单元间绝缘层上的第二半导体堆叠件的上LED单元，所述第二半导体堆叠件配置为产生第二波长的光，且所述第三子像素包括波长转换结构，该波长转换结构设置在所述第三下LED单元上并且配置为将所述第一波长的光转换成第三波长的光。
[0008]根据实施例，提供了一种显示设备，包括：电路板，包括驱动电路；以及像素阵列，包括布置在电路板上的多个像素、设置在多个子像素之间的光阻挡分隔件、以及将多个子像素中的每一个分别电连接到驱动电路的布线层，多个像素中的每一个包括多个子像素，多个子像素包括蓝色(B)子像素、绿色(G)子像素和红色(R)子像素，其中，多个子像素中的每一个包括具有配置为产生蓝光的第一半导体堆叠件的下发光二极管(LED)单元，下LED单元包括第一下LED单元、第二下LED单元和第三下LED单元，蓝色子像素包括设置在第一下LED单元上的透明树脂结构，绿色子像素包括设置在第二下LED单元上的单元间绝缘层以及具有设置在单元间绝缘层上的第二半导体堆叠件的上LED单元，第二半导体堆叠件配置为
产生绿光，红色子像素包括设置在第三下LED单元上并配置为将所述蓝光转换为红光的波长转换结构，并且所述布线层包括设置在所述电路板和所述像素阵列之间的布线绝缘层、穿透所述布线绝缘层并分别将所述多个子像素中的每一个连接到所述驱动电路的第一电极至第三电极、以及将所述多个子像素中的每一个共同连接到所述驱动电路的公共电极。
[0009]根据实施例，提供了一种显示设备，包括：电路板，包括驱动电路；以及像素阵列，包括设置在电路板上的布线层、提供用于多个像素的光源的像素光源层以及光阻挡分隔件，多个像素中的每一个包括具有第一子像素、第二子像素和第三子像素的多个子像素，且光阻挡分隔件将多个子像素中的每一个分隔开，其中，像素光源层被划分为第一层级区域和设置在第一层级区域上的第二层级区域，第一层级区域包括设置在多个子像素中的每一个中的下发光二极管(LED)单元，下LED单元中的每一个具有配置为产生第一波长的光的第一半导体堆叠件，下LED单元包括第一下LED单元、第二下LED单元和第三下LED单元，第二层级区域包括：设置在第一下LED单元上的透明树脂结构、设置在第二下LED单元上的单元间绝缘层、设置在单元间绝缘层上并具有配置为产生第二波长的光的第二半导体堆叠件的上LED单元、以及设置在第三下LED单元上并配置为将第一波长的光转换为第三波长的光的波长转换结构。
[0010]根据实施例，提供了一种显示设备，包括：电路板，包括驱动电路；以及像素阵列，包括设置在电路板上的布线层和提供用于多个像素的光源的像素光源层，多个像素中的每一个包括具有第一子像素、第二子像素和第三子像素的多个子像素，像素光源层被划分为第一层级区域和设置在第一层级区域上的第二层级区域，其中，第一层级区域包括在多个子像素中的每一个中的下LED单元，并且下LED单元中的每一个具有配置为产生第一波长的光的第一半导体堆叠件，且第二层级区域包括：设置在第一子像素的下LED单元上的透明树脂结构、设置在第二子像素中的单元间绝缘层、具有设置在单元间绝缘层上并且配置为产生第二波长的光的第二半导体堆叠件的上LED单元、以及设置在第三子像素的下LED单元上并且配置为将第一波长的光转换为第三波长的光的波长转换结构。
附图说明
[0011]从下面结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本专利技术构思的上述和其它方面、特征和优点，在附图中：
[0012]图1是根据示例实施例的LED显示设备的示意性立体图；
[0013]图2是图1的部分A的放大平面图；
[0014]图3是沿图2的线I
‑
I
′
截取的侧截面图；
[0015]图4是示出根据示例实施例的LED显示设备的公共电极的结构的侧截面图；
[0016]图5是根据示例实施例的显示设备的驱动电路图；
[0017]图6是根据示例实施例的LED显示设备的侧截面图；
[0018]图7是根据示例实施例的LED显示设备的侧截面图；
[0019]图8A至图8D是示出根据示例实施例的制造LED显示设备的方法的截面图；
[0020]图9是示出图8C的晶圆接合工艺的示意性立体图；
[0021]图10A至图10H是示出根据示例实施例的制造LED显示设备的方法的截面图；
[0022]图11A至图11D是示出根据示例实施例的制造LED显示设备的方法的平面图；
[0023]图12是示出图10E的晶圆接合工艺的示意性立体图；
[0024]图13A至图13D是示出根据示例实施例的制造LED显示设备的方法的截面图；
[0025]图14A至图14C是示出根据示例实施例的制造LED显示设备的方法的截面图；
[0026]图15A至图15H是示出根据示例实施例的制造LED显示设备的方法的截面图；以及
[0027]图16A和图16B是示出根据示例实施例的制造LED显示设备的方法的平面图。
具体实施方式
[0028]在下文中，将参考附图描述示例实施例。
[0029]将理解，当半导体器件的元件、部件、层、图案、结构、区域等(在下文中统称为“元件”)被称为在半导体器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示设备，包括：电路板，其包括驱动电路；像素阵列，其包括布置在所述电路板上的多个像素以及光阻挡分隔件，所述多个像素中的每一个包括多个子像素，所述多个子像素至少包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，且所述光阻挡分隔件设置在所述多个子像素之间，其中，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素分别包括第一下发光二极管单元、第二下发光二极管单元和第三下发光二极管单元，所述第一下发光二极管单元至所述第三下发光二极管单元中的每一个具有配置为产生第一波长的光的第一半导体堆叠件，所述第一子像素包括设置在所述第一下发光二极管单元上的透明树脂结构，所述第二子像素包括设置在所述第二下发光二极管单元上的单元间绝缘层和具有设置在所述单元间绝缘层上的第二半导体堆叠件的上发光二极管单元，所述第二半导体堆叠件配置为产生第二波长的光，并且所述第三子像素包括波长转换结构，所述波长转换结构设置在所述第三下发光二极管单元上并且配置为将所述第一波长的光转换为第三波长的光。2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一半导体堆叠件和所述第二半导体堆叠件中的每一个包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，并且所述第二导电类型半导体层设置为比所述第一导电类型半导体层更靠近所述电路板。3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述像素阵列还包括：布线绝缘层，其设置在所述电路板与所述第一下发光二极管单元至所述第三下发光二极管单元中的每一个之间，第一电极，其穿透所述布线绝缘层并且电连接到所述第一下发光二极管单元的所述第二导电类型半导体层和所述驱动电路，第二电极，其穿透所述布线绝缘层、所述第二下发光二极管单元和所述单元间绝缘层，并且电连接所述上发光二极管单元的所述第二导电类型半导体层和所述驱动电路；第三电极，其穿透所述布线绝缘层并将所述第三下发光二极管单元的所述第二导电类型半导体层和所述驱动电路电连接；以及公共电极结构，其配置为将所述第一下发光二极管单元至所述第三下发光二极管单元中的每一个的所述第一导电类型半导体层和所述上发光二极管单元的所述第一导电类型半导体层共同地连接到所述驱动电路。4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第一下发光二极管单元至所述第三下发光二极管单元和所述上发光二极管单元中的每一个包括设置在所述第二导电类型半导体层的下表面上的欧姆接触层。5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述欧姆接触层包括高反射金属。6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述第一下发光二极管单元至所述第三下发光二极管单元中的每一个包括设置在所述第一导电类型半导体层的上表面上的透光欧姆接触层。7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述单元间绝缘层设置在所述第二下发光二极管单元的所述透光欧姆接触层与所述上发光二极管单元的所述高反射金属之间。
8.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述公共电极结构还包括：透明电极层，其设置在所述上发光二极管单元的所述第一导电类型半导体层上，并且延伸到所述第一下发光二极管单元至所述第三下发光二极管单元的所述第一导电类型半导体层，以及公共电极，其穿透所述布线绝缘层且连接所述透明电极层和所述驱动电路。9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一下发光二极管单元至所述第三下发光二极管单元和所述上发光二极管单元各自具有向下倾斜的侧表面。10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述光阻挡分隔件从所述多个子像素中的每一个的下表面朝向所述多个子像素中的每一个的上表面延伸，以及所述光阻挡分隔件的上端的宽度小于所述光阻挡分隔件的下端的宽度。11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述光阻挡分隔件具有设置在所述多个子像素的侧表面上的绝缘膜、设置在所述绝缘膜上的反射金属膜、以及设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：延智慧，姜三默，成汉珪，梁钟邻，H，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：