检查装置及检查方法制造方法及图纸

本发明专利技术的激光加工装置具备：平台，支撑晶圆；激光照射单元，对晶圆照射激光；摄像单元，检测在半导体基板中传播的光；和控制部，构成为实行：以通过激光照射于晶圆在半导体基板的内部形成一个或多个改性区域的方式，来控制激光照射单元；基于从检测光的摄像单元输出的信号，来导出从改性区域延伸向半导体基板的背面侧延伸的龟裂即上龟裂的背面侧的前端的位置，并且基于该上龟裂的背面侧的前端的位置，来判定是否为龟裂到达状态。定是否为龟裂到达状态。定是否为龟裂到达状态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】检查装置及检查方法


[0001]本专利技术的一个方式涉及检查装置及检查方法。

技术介绍

[0002]已知有一种激光加工装置，其为了将具备半导体基板和形成于半导体基板的表面的功能元件层的晶圆沿着多条线中的各个切断，通过从半导体基板的背面侧对晶圆照射激光，沿着多条线中的各个在半导体基板的内部形成多列的改性区域。专利文献1中所记载的激光加工装置，具备红外线摄像机，能够从半导体基板的背面侧观察形成于半导体基板的内部的改性区域、形成于功能元件层的加工损伤(damage)等。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2017
‑
64746号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]在上述的激光加工装置中，有时以形成跨多列的改性区域的龟裂的条件从半导体基板的背面侧对晶圆照射激光。在这种情况下，如果例如因激光加工装置的缺陷等而导致跨多列的改性区域的龟裂未充分至半导体基板的表面侧，则在后续的工序中，有可能无法沿着多条线中的各个将晶圆可靠地切断。
[0008]本专利技术的一个方式，目的在于提供一种能够确认跨改性区域的龟裂是否充分延伸至半导体基板的表面侧的检查装置及检查方法。
[0009]用于解决问题的技术手段
[0010]本专利技术的一个方式的检查装置具备：平台，支撑具有半导体基板的晶圆，半导体基板具有第一表面以及第二表面；激光照射部，对晶圆照射激光；摄像部，输出相对于半导体基板具有透射性的光，并检测在半导体基板中传播的光；以及控制部，构成为实行：以通过激光照射于晶圆在半导体基板的内部形成一个或多个改性区域的方式，来控制激光照射部；以及基于从检测光的摄像部输出的信号，来导出上龟裂的第二表面侧的前端的位置，并且基于该上龟裂的第二表面侧的前端的位置，来判定是否为从改性区域延伸的龟裂到达半导体基板的第一表面侧的龟裂到达状态，其中，上龟裂为从改性区域向半导体基板的第二表面侧延伸的龟裂；控制部，沿着晶圆的多条线中的各个，以形成与多条线中包含的其他的线形成深度为不同的改性区域的方式，来控制激光照射部；从改性区域的形成深度为浅的线起依次、或者从改性区域的形成深度为深的线起依次，导出上龟裂的第二表面侧的前端的位置与形成有改性区域的位置的差分，并基于该差分的变化量，来判定是否为龟裂到达状态。
[0011]在此检查装置中，以在半导体基板的内部形成改性区域的方式，对晶圆照射激光，在半导体基板中传播的、具有透射性的光被摄像，基于摄像结果(从摄像单元输出的信号)，
来导出从改性区域向半导体基板的第二表面侧延伸的龟裂即上龟裂的第二表面侧的前端的位置。并且，基于上龟裂的前端的位置，判定是否为从改性区域延伸的龟裂到达半导体基板的第一表面侧的龟裂到达状态。更详细而言，在本检查装置中，多条线的各改性区域，设为彼此不同的形成深度，从改性区域的形成深度为浅的线起依次、或者从改性区域的形成深度为深的线起依次，导出上龟裂的前端的位置与形成有改性区域的位置的差分，基于该差分的变化量，来判定是否为龟裂到达状态。本专利技术人发现，在从改性区域的形成深度为浅的线(或者为深的线)起依次导出上述的差分的情况下，在龟裂到达状态与龟裂未到达半导体基板的第一表面侧的状态切换的线处，与其他的线间相比，上述的差分的变化量(距紧接于前导出差分的线的变化量)变大。基于此种观点，在本检查装置中，基于上述差分的变化量，来判定是否为龟裂到达状态。由此，根据本检查装置，能够适当地确认是否为龟裂到达状态，即，跨改性区域的龟裂是否充分地延伸至半导体基板的第一表面侧。
[0012]本专利技术的一个方式的检查装置，具备：平台，支撑具有半导体基板的晶圆，半导体基板具有第一表面以及第二表面；激光照射部，对晶圆照射激光；摄像部，输出相对于半导体基板具有透射性的光，并检测在半导体基板中传播的光；以及控制部，构成为实行：以通过激光照射于晶圆在半导体基板的内部形成一个或多个改性区域的方式，来控制激光照射部；以及基于从检测光的摄像部输出的信号，来导出上龟裂的第二表面侧的前端的位置，并且基于该上龟裂的第二表面侧的前端的位置，来判定是否为从改性区域延伸的龟裂到达半导体基板的第一表面侧的龟裂到达状态，其中，上龟裂为从改性区域向半导体基板的第二表面侧延伸的龟裂；控制部，沿着晶圆的多条线中的各个，以形成与多条线中包含的其他的线形成深度为不同的改性区域的方式，来控制激光照射部；从改性区域的形成深度为浅的线起依次、或者从改性区域的形成深度为深的线起依次，导出上龟裂的第二表面侧的前端的位置，并基于该前端的位置的变化量，来判定是否为龟裂到达状态。
[0013]在此检查装置中，以在半导体基板的内部形成改性区域的方式，对晶圆照射激光，在半导体基板中传播的、具有透射性的光被摄像，基于摄像结果(从摄像单元输出的信号)，来导出从改性区域向半导体基板的第二表面侧延伸的龟裂即上龟裂的第二表面侧的前端的位置。并且，基于上龟裂的前端的位置，判定是否为从改性区域延伸的龟裂到达半导体基板的第一表面侧的龟裂到达状态。更详细而言，在本检查装置中，多条线的各改性区域，设为彼此不同的形成深度，从改性区域的形成深度为浅的线起依次、或者从改性区域的形成深度为深的线起依次，导出上龟裂的前端的位置，基于该前端的位置的变化量，来判定是否为龟裂到达状态。本专利技术人发现，在从改性区域的形成深度为浅的线(或者为深的线)起依次导出上述的上龟裂的前端的位置的情况下，在龟裂到达状态与龟裂未到达半导体基板的第一表面侧的状态切换的线处，与其他的线间相比，上述的上龟裂的前端的位置的变化量(距紧接于前导出上龟裂的前端的线的变化量)变大。基于此种观点，在本检查装置中，基于上述的上龟裂的前端的位置的变化量，来判定是否为龟裂到达状态。由此，根据本检查装置，能够适当地确认是否为龟裂到达状态，即，跨改性区域的龟裂是否充分地延伸至半导体基板的第一表面侧。
[0014]也可以为，控制部，还考虑下龟裂的第一表面侧的前端的有无，来判定是否为龟裂到达状态，其中，下龟裂为从改性区域向半导体基板的第一表面侧延伸的龟裂。在确认下龟裂的第一表面侧的前端的存在的情况下，假定未成为龟裂到达状态。因此，通过基于下龟裂
的第一表面侧的前端的有无来判定是否为龟裂到达状态，能够以高精确度来判定是否为龟裂到达状态。
[0015]也可以为，控制部构成为还实行：基于是否为龟裂到达状态的判定结果，来导出与激光照射部的照射条件的调整相关的信息。通过考虑判定结果并且导出与激光照射部的照射条件的调整相关的信息，例如，能够以在龟裂的长度短于原本的情况下龟裂的长度变长的方式，或者，以在龟裂的长度长于原本的情况下龟裂的长度变短的方式，导出用于照射条件的调整的信息。并且，如此这般，通过使用导出的用于照射条件的调整的信息来调整照射条件，能够将龟裂的长度设为期望的长度。如上所述，根据此检查装置，能够将跨改性区域的龟裂的长度设为期望的长度。
[0016]也可以为，控制部，基于判定结果，来推测龟裂的长度，并且基于推测的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种检查装置，其中，具备：平台，支撑具有半导体基板的晶圆，所述半导体基板具有第一表面以及第二表面；激光照射部，对所述晶圆照射激光；摄像部，输出相对于所述半导体基板具有透射性的光，并检测在所述半导体基板中传播的所述光；以及控制部，构成为实行：以通过所述激光照射于所述晶圆在所述半导体基板的内部形成一个或多个改性区域的方式，来控制所述激光照射部；以及基于从检测所述光的所述摄像部输出的信号，来导出上龟裂的所述第二表面侧的前端的位置，并且基于该上龟裂的所述第二表面侧的前端的位置，来判定是否为从所述改性区域延伸的龟裂到达所述半导体基板的所述第一表面侧的龟裂到达状态，其中，所述上龟裂为从所述改性区域向所述半导体基板的所述第二表面侧延伸的龟裂，所述控制部，沿着所述晶圆的多条线中的各个，以形成与所述多条线中包含的其他的线形成深度为不同的所述改性区域的方式，来控制所述激光照射部，从所述改性区域的形成深度为浅的线起依次、或者从所述改性区域的形成深度为深的线起依次，导出所述上龟裂的所述第二表面侧的前端的位置与形成有所述改性区域的位置的差分，并基于该差分的变化量，来判定是否为所述龟裂到达状态。2.一种检查装置，其中，具备：平台，支撑具有半导体基板的晶圆，所述半导体基板具有第一表面以及第二表面；激光照射部，对所述晶圆照射激光；摄像部，输出相对于所述半导体基板具有透射性的光，并检测在所述半导体基板中传播的所述光；以及控制部，构成为实行：以通过所述激光照射于所述晶圆在所述半导体基板的内部形成一个或多个改性区域的方式，来控制所述激光照射部；以及基于从检测所述光的所述摄像部输出的信号，来导出上龟裂的所述第二表面侧的前端的位置，并且基于该上龟裂的所述第二表面侧的前端的位置，来判定是否为从所述改性区域延伸的龟裂到达所述半导体基板的所述第一表面侧的龟裂到达状态，其中，所述上龟裂为从所述改性区域向所述半导体基板的所述第二表面侧延伸的龟裂，所述控制部，沿着所述晶圆的多条线中的各个，以形成与所述多条线中包含的其他的线形成深度为不同的所述改性区域的方式，来控制所述激光照射部，从所述改性区域的形成深度为浅的线起依次、或者从所述改性区域的形成深度为深的线起依次，导出所述上龟裂的所述第二表面侧的前端的位置，并基于该前端的位置的变化量，来判定是否为所述龟裂到达状态。3.根据权利要求1或2所述的检查装置，其中，所述控制部，还考虑下龟裂的所述第一表面侧的前端的有无，来判定是否为所述龟裂到达状态，其中，所述下龟裂为从所述改性区域向所述半导体基板的所述第一表面侧延伸
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【专利技术属性】
技术研发人员：佐野育，坂本刚志，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：