标准片及其制备方法、机差校准方法技术

本公开涉及半导体技术领域，公开了一种标准片及其制备方法、机差校准方法；该标准片包括基板、第一图案层以及第二图案层；基板具有相对设置的第一面和第二面；第一图案层设于基板的第一面；第二图案层设于基板的第二面，第一图案层在基板上的正投影与第二图案层在基板上的正投影重合。在将标准片进行正面测试时，第一图案层位于测试侧，对第一图案层进行测试；在将标准片进行翻转测试时，第二图案层位于测试侧，对第二图案层进行测试；因此，可以避免光线的散射对TP测试设备校准造成的影响。避免光线的散射对TP测试设备校准造成的影响。避免光线的散射对TP测试设备校准造成的影响。

【技术实现步骤摘要】
标准片及其制备方法、机差校准方法


[0001]本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种标准片及标准片的制备方法、使用该标准片的机差校准方法。

技术介绍

[0002]TP(Total Pitch)是用来表征光刻形成图案位置精度的重要工程数据，TP测试设备会测量光刻形成的Mark(标记)在机台坐标系中的实际坐标，该坐标与理想坐标之间的偏差，即为该图案的位置精度。该位置精度可以表征Shot(曝光场)的缩放、移动等变化，供后续膜层或其他基板以此为参考进行相应的变更对位，保证相对位置的准确性。
[0003]但是，采用现有的标准片会增加TP测试设备的测试误差。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本公开的目的在于克服上述现有技术的会增加TP测试设备的测试误差的不足，提供一种不会增加TP测试设备的测试误差的标准片及标准片的制备方法、使用该标准片的机差校准方法。
[0006]根据本公开的一个方面，提供了一种标准片，包括：
[0007]基板，具有相对设置的第一面和第二面；
[0008]第一图案层，设于所述基板的所述第一面；
[0009]第二图案层，设于所述基板的所述第二面，所述第一图案层在所述基板上的正投影与所述第二图案层在所述基板上的正投影重合。
[0010]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一图案层以第一坐标轴为对称轴对称设置，所述第一图案层以第二坐标轴为对称轴对称设置，所述第一坐标轴与所述第二坐标轴垂直，且所述第一坐标轴与所述第一面平行，所述第二坐标轴与所述第一面平行。
[0011]在本公开的一种示例性实施例中，所述标准片还包括：
[0012]第一保护层，设于所述第一图案层远离所述基板的一侧；
[0013]第二保护层，设于所述第二图案层远离所述基板的一侧
[0014]根据本公开的另一个方面，提供了一种标准片的制备方法，包括：
[0015]提供一基板，所述基板具有相对设置的第一面和第二面；
[0016]在所述基板的所述第一面形成第一图案层；
[0017]在所述基板的所述第二面形成第二图案层，所述第一图案层在所述基板上的正投影与所述第二图案层在所述基板上的正投影重合。
[0018]在本公开的一种示例性实施例中，所述第二图案层的材质为不透明的光刻胶，以所述第一图案层为掩膜在所述基板的所述第二面形成第二图案层。
[0019]在本公开的一种示例性实施例中，在所述基板的所述第二面形成第二图案层之
前，所述制备方法还包括：在所述第一图案层远离所述基板的一侧形成第一保护层；
[0020]在所述基板的所述第二面形成第二图案层之后，所述制备方法还包括：在所述第二图案层远离所述基板的一侧形成第二保护层。
[0021]根据本公开的又一个方面，提供了一种机差校准方法，包括：
[0022]获取TP测试设备的机台上的标准片的第一图案层上第一目标点的第一坐标，所述标准片为上述任意一项所述的标准片；
[0023]将所述标准片翻转，获取所述标准片的第二图案层上第二目标点的第二坐标，所述第二目标点与所述第一目标点对应；
[0024]根据所述第一坐标和所述第二坐标获得第一校准值。
[0025]在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述第一坐标和所述第二坐标获得第一校准值，包括：
[0026]计算所述第一坐标与所述第二坐标的差值，所述差值的二分之一为所述第一校准值。
[0027]根据本公开的再一个方面，提供了一种机差校准方法，包括：
[0028]获取TP测试设备的机台上的标准片的第一图案层上第四目标点的第四坐标，所述第四目标点与所述机台上的第三目标点对应，所述标准片为上述任意一项所述的标准片；
[0029]将所述标准片翻转，获取所述第二图案层上第五目标点的第五坐标，所述第五目标点与所述机台上的第三目标点对应；
[0030]根据所述第四坐标和所述第五坐标获得第二校准值。
[0031]在本公开的一种示例性实施例中，根据所述第三坐标和所述第四坐标获得第二校准值，包括：
[0032]计算所述第四坐标与所述第五坐标的差值，所述差值的二分之一为所述第二校准值。
[0033]本公开的标准片及其制备方法，基板的第一面设置有第一图案层，基板的第二面设置有第二图案层，第一图案层在基板上的正投影与第二图案层在基板上的正投影重合，即第一图案层与第二图案层完全一致；在将标准片进行正面测试时，第一图案层位于测试侧，对第一图案层进行测试；在将标准片进行翻转测试时，第二图案层位于测试侧，对第二图案层进行测试；因此，相对于现有技术中的单面有图案层的标准片，翻转后可以避免光线的折射对TP测试设备校准造成的误差。
[0034]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
[0035]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0036]图1为本公开标准片一示例实施方式的结构示意图。
[0037]图2为本公开标准片的制备方法一示例实施方式的流程示意框图。
[0038]图3
‑
图5为本公开标准片的制备方法中各个步骤的结构示意图。
[0039]图6为本公开机差校准方法一示例实施方式的流程示意框图。
[0040]图7为本公开校准方法形成图案与原校准方法形成图案以及理论设计图案对比示意图。
[0041]图8为本公开机差校准方法另一示例实施方式的流程示意框图。
[0042]图9为目前机台基准校准方法中标准板在机台上的相对位置与测试顺序示意图。
[0043]图10为实际生产中彩膜基板在机台上的位置与测试顺序示意图。
[0044]图11为同一张标准片原方法与本方法的测试结果Map(图案)对比示意图。
[0045]图12为校准前后的对合结果对比示意图。
[0046]附图标记说明：
[0047]1、基板；11、第一面；12、第二面；
[0048]21、第一图案材料层；22、第一图案层；
[0049]31、第二图案材料层；32、第二图案层；
[0050]4、第一保护层；5、第二保护层；6、光刻胶；
[0051]7、掩模板；71、遮光部；72、透光部。
具体实施方式
[0052]现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种标准片，其特征在于，包括：基板，具有相对设置的第一面和第二面；第一图案层，设于所述基板的所述第一面；第二图案层，设于所述基板的所述第二面，所述第一图案层在所述基板上的正投影与所述第二图案层在所述基板上的正投影重合。2.根据权利要求1所述的标准片，其特征在于，所述第一图案层以第一坐标轴为对称轴对称设置，所述第一图案层以第二坐标轴为对称轴对称设置，所述第一坐标轴与所述第二坐标轴垂直，且所述第一坐标轴与所述第一面平行，所述第二坐标轴与所述第一面平行。3.根据权利要求1所述的标准片，其特征在于，所述标准片还包括：第一保护层，设于所述第一图案层远离所述基板的一侧；第二保护层，设于所述第二图案层远离所述基板的一侧。4.一种标准片的制备方法，其特征在于，包括：提供一基板，所述基板具有相对设置的第一面和第二面；在所述基板的所述第一面形成第一图案层；在所述基板的所述第二面形成第二图案层，所述第一图案层在所述基板上的正投影与所述第二图案层在所述基板上的正投影重合。5.根据权利要求4所述的标准片的制备方法，其特征在于，所述第二图案层的材质为不透明的光刻胶，以所述第一图案层为掩膜在所述基板的所述第二面形成第二图案层。6.根据权利要求4所述的标准片的制备方法，其特征在于，在所述基板的所述第二面形成第二图案层之前，所述制备方法还包括：在所述第一图案层远离所述基板的一侧形...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔晓晨，杨军，张灿，王鑫，李官正，
申请(专利权)人：重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：