一种连续型旋流降膜熔融结晶器制造技术

本发明专利技术属于结晶设备领域，具体公开了一种连续型旋流降膜熔融结晶器，包括物料分布管网和若干结晶管，物料分布管网包括若干分液头，结晶管的顶部连通有旋流布膜头，旋流布膜头的内壁上设有螺旋导流槽一，旋流布膜头与分液头一一对应，且旋流布膜头与对应的分液头之间留有排空通道。本发明专利技术中，旋流布膜头能够使物料以旋流的方式进入结晶管内，以便物料具有周向初速度，减缓其径向聚集态势，而且排空通道能供结晶管内空气排出，更有利于物料形成旋流，从而进一步使得物料在结晶管壁上均匀成膜，使得结晶更加均匀，提高结晶厚度的均匀性，结晶不易脱落；并且物料以旋流方式布膜到结晶管壁上，物料流速得以提高，从而有效缩短结晶时长，提高结晶效率。提高结晶效率。提高结晶效率。

【技术实现步骤摘要】
一种连续型旋流降膜熔融结晶器


[0001]本专利技术涉及结晶设备领域，特别是涉及一种连续型旋流降膜熔融结晶器。

技术介绍

[0002]现有降膜结晶设备中，通常采用分布器将物料或冷热媒分布到结晶管内外壁上，控制物料或冷热媒流速使其在重力作用下沿结晶管的管壁呈膜状向下流动。为了保持良好的成膜效果，物料或冷热媒的流速特别缓慢，导致结晶过程耗时长，结晶效率低下。并且，由于结晶管通常为圆管，因此，物料或冷热媒在重力作用下会呈径向聚集态势，使得物料或冷热媒分布不均，即物料或冷热媒在管壁上形成的膜在周向上不连续，导致换热面积减小，换热效率降低，结晶管径向上的结晶厚度大于周向结晶厚度，且结晶管上部的结晶厚度大于结晶管下部的结晶厚度。而随着结晶厚度的不均匀性，进一步影响了传热效果，增加结晶或熔融过程所需时长，消耗更多能量，不利于节能减排。
[0003]此外，由于结晶管上结晶厚度不均，结晶受到物料从上往下的冲击作用以及结晶自身重力作用，因此，结晶易从管壁脱落，结晶重新熔化在物料中，增加结晶时长和能量损耗。并且，当脱落的结晶较大时，可能会造成结晶管拥堵，容易使得结晶包裹杂质，同时拥堵的结晶管进行发汗操作时无法排除发汗液，影响最终产品纯度。
[0004]综上所述，现有降膜熔融结晶器在化工连续生产过程中，由于结晶厚度的均匀性较差，导致结晶易脱落，限制了生产速率，增加了能耗，连续性较差。

技术实现思路

[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种连续型旋流降膜熔融结晶器用于解决现有技术中的降膜熔融结晶器在结晶过程中存在结晶厚度均匀性较差的问题。
[0006]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种连续型旋流降膜熔融结晶器，包括物料分布管网和若干结晶管，所述物料分布管网包括若干分液头，所述结晶管的顶部连通有旋流布膜头，所述旋流布膜头的内壁上设有螺旋导流槽一，旋流布膜头与分液头一一对应，且旋流布膜头与对应的分液头之间留有排空通道。
[0007]如上所述，本专利技术的一种连续型旋流降膜熔融结晶器，具有以下有益效果：
[0008]本专利技术中，通过旋流布膜头内壁上的螺旋导流槽一使得物料以旋流的方式进入结晶管内因此，物料进入结晶管内后具有周向初速度，能够减缓其径向聚集态势，从而使得物料在结晶管壁上均匀成膜，而且，本专利技术中的排空通道能够供结晶管内的空气排出，更有利于物料形成旋流，增强物料的旋流效果，使得物料具有更高的周向初速度，进一步减缓物料的径向聚集态势，从而进一步使得物料在结晶管壁上均匀成膜，使得结晶更加均匀，提高结晶厚度的均匀性，结晶不易脱落，降低能耗。
[0009]不仅如此，物料以旋流的方式布膜到结晶管壁上，物料流速相比自然布膜时提升了1～2倍，从而有效缩短结晶时长，提高结晶效率，提高设备连续生产能力。同时，相较于现
有技术中自然布膜时，结晶管上部结晶厚度大于结晶管下部结晶厚度而言，本专利技术还能够使得结晶管上下部的结晶厚度更加均匀，减少结晶管下部结晶受到的物料冲击力，结晶不易脱落结晶管不易堵塞，保证发汗过程顺利进行，从而保证最终产品纯度。
[0010]可选地，所述旋流布膜头内设有通气管，通气管的顶端设有导流台，通气管的侧壁上开设有若干通气孔。
[0011]物料由分液头进入旋流布膜头时，部分物料可能会直接滴落至结晶管内，即部分物料将不会沿分液头的内壁流入旋流布膜头内，此时，本方案中的导流台则能够阻止该部分物料直接滴落至结晶管内，并将该部分物料分散到旋流布膜头的内壁上，使其在螺旋导流槽一的导流作用下形成旋流。并且，本方案中，导流台能够遮挡通气管上的通气孔，避免通气孔被物料液封，从而确保结晶管内的空气能够经通气管、通气孔、排空通道排出。
[0012]可选地，所述旋流布膜头的内壁上设有若干螺旋导流条一，相邻两根螺旋导流条一之间形成螺旋导流槽一，所述通气管的底端与螺旋导流条一连接。
[0013]本方案中，旋流布膜头内壁上的螺旋导流槽一由相邻的两根螺旋导流条一形成，并且，通气管与螺旋导流条一连接，为通气管提供了安装位点，且使得通气管与旋流布膜头之间存在供物料流入结晶管的空间，避免通气管影响物料形成旋流。
[0014]可选地，所述导流台的顶面呈球面状，且导流台的凸面朝向分液头。
[0015]本方案中，当导流台的顶面呈球面状时，能够更好地分散滴落在导流台上的物料。
[0016]可选地，所述分液头的内壁上设有螺旋导流槽二。
[0017]本方案中，分液头的内壁上设有螺旋导流槽二，从而使得分液头能够与旋流布膜头配合提高物料旋流的速度，从而促进物料旋流布膜和物料周向运动趋势。
[0018]可选地，所述分液头的底端位于旋流布膜头内。
[0019]本方案中，当分液头的底端位于旋流布膜头内时，能够确保物料自分液头流出后不会飞溅出旋流布膜头，从而避免物料的浪费。
[0020]可选地，所述旋流布膜头包括旋流部和直管部，所述螺旋导流槽一设于旋流部的内壁上所述通气管的内径为直管部内径的1/3～1/2。
[0021]本方案中，限制通气管的内径为直管部内径的1/3～1/2，从而为结晶管内的空气提供足够的排出空间。
[0022]可选地，所述导流台位于旋流部高度的1/3～1/2处，导流台靠近通气管一端的直径大于通气管的外径。
[0023]本方案中，限制导流台位于旋流部高度的1/3～1/2处，可以避免物料滴落在导流台上而飞溅出旋流布膜头；限制导流台靠近通气管一端的直径大于通气管的外径，可以确保导流台完全遮挡通气管。
[0024]可选地，所述结晶器还包括冷热媒导流板和若干冷热媒管，所述冷热媒导流板上开设有若干供所述结晶管贯穿的导流孔，冷热媒导流板上开设有供冷热媒管插入的凹槽，所述导流孔远离凹槽的一端设有用于导流的圆倒角。
[0025]本方案中，导流孔上用于导流的圆倒角，能够使得冷热媒流入导流孔内后，在结晶管的外壁上成膜，从而实现双降膜熔融结晶。
[0026]可选地，所述结晶管的下方设有用于收集结晶的过滤网。
[0027]本方案中，结晶管下方的过滤网能够收集从结晶管壁上掉落的结晶，避免结晶进
入位于结晶管下方的物料出料管道内，从而避免掉落的结晶堵塞物料出料管道。并且，过滤网上的结晶还能在结晶管上结晶熔化后形成的熔融态产品的加热下熔化，再随产品离开，保证产品收率，有利于设备的连续化生产。
附图说明
[0028]图1为本专利技术实施例一中一种连续型旋流降膜熔融结晶器的纵向剖视图；
[0029]图2为图1中物料分布管网的仰视图；
[0030]图3为图2中分液头的放大示意图；
[0031]图4为图3中B
‑
B方向的剖视图(未显示螺旋导流条二)；
[0032]图5为图1中旋流布膜头的俯视图；
[0033]图6为图5中A
‑
A方向的剖视图；
[0034]图7为旋流布膜头安装在结晶管顶端时的轴向剖视图；
[003本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种连续型旋流降膜熔融结晶器，包括物料分布管网和若干结晶管，其特征在于：所述物料分布管网包括若干分液头，所述结晶管的顶部连通有旋流布膜头，所述旋流布膜头的内壁上设有螺旋导流槽一，旋流布膜头与分液头一一对应，且旋流布膜头与对应的分液头之间留有排空通道。2.根据权利要求1所述的连续型旋流降膜熔融结晶器，其特征在于：所述旋流布膜头内设有通气管，通气管的顶端设有导流台，通气管的侧壁上开设有若干通气孔。3.根据权利要求2所述的连续型旋流降膜熔融结晶器，其特征在于：所述旋流布膜头的内壁上设有若干螺旋导流条一，相邻两根螺旋导流条一之间形成螺旋导流槽一，所述通气管的底端与螺旋导流条一连接。4.根据权利要求2或3所述的连续型旋流降膜熔融结晶器，其特征在于：所述导流台的顶面呈球面状，且导流台的凸面朝向分液头。5.根据权利要求1所述的连续型旋流降膜熔融结晶器，其特征在于：所述分液头的内壁上设有螺旋导流...

【专利技术属性】
技术研发人员：康小玲，丁永良，郑伯川，郑晨，李明全，
申请(专利权)人：上海东庚化工技术有限公司，
类型：发明
国别省市：