一种赤芍种子工业化快速育苗的方法技术

本发明专利技术涉及一种赤芍种子工业化快速育苗的方法，该方法包括：灌杯播种、种子暖温处理、种子低温处理、赤霉素处理和苗期管理；暖温层积处理温度为15

【技术实现步骤摘要】
一种赤芍种子工业化快速育苗的方法


[0001]本专利技术属于赤芍种植
，具体涉及一种赤芍种子工业化快速育苗的方法

技术介绍

[0002]公开该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
[0003]赤芍(Paeoniae Radix Rubra)繁殖方式分为营养繁殖和种子繁殖。营养繁殖以分根繁殖为主，但3
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5年才可分株一次，虽可以保持母本的优良性状，但繁殖系数低。种子繁殖可获得更多的变异类型、繁殖系数高等优点。但赤芍种子具有上下胚轴双休眠的特性，从播种到出苗需要7到8个月，尤其发芽和幼苗建成过程需要“高温—低温—高温”交替导致越冬后才能出苗，即赤芍出苗需要经过3个阶段，高温解除下胚轴的休眠、低温解除上胚轴的休眠和高温出苗。导致赤芍种植过程中种子无法当年出苗。给赤芍种子育苗实践造成了极大的困扰。目前关于赤芍种子的田间快速当年出苗方式并没有形成一个完整统一的技术流程。而目前还没有形成一套完整的赤芍种子工业化快速育苗方法。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种赤芍种子工业化快速育苗的方法，旨在解决现有的赤芍育苗过程的时间长、受季节限制和土地成成高等问题。
[0005]本专利技术通过以下技术方案解决了上述问题：
[0006]一种赤芍种子工业化快速育苗的方法，所述赤芍种子工业化快速育苗的方法包括:灌杯播种、种子暖温处理、种子低温处理、赤霉素处理和苗期管理。
[0007]所述灌杯播种包括：选择可降解苗钵，培养基质为沙土和耕作土的混合物。
[0008]进一步的，选择上口直径宽10cm、高15cm的可降解苗钵。
[0009]进一步的，每个苗钵播种2
‑
10粒种子。
[0010]进一步的，沙土：耕作土的质量比为1：1。
[0011]所述赤种子暖温处理包括：暖温层积处理温度为15
‑
25℃，处理时间为45天；
[0012]优选的，暖温层积处理温度为20℃。
[0013]所述赤芍种子进行低温处理包括：低温层积处理温度为2
‑
6℃，处理时30天。优选的，低温层积处理温度为4℃。
[0014]所述赤霉素处理包括：将低温处理的带有赤芍种子苗钵移入15
‑
20℃，每隔7
‑
8天进行农用赤霉素浇灌，浇灌2
‑
3次，优选的，浇灌3次；赤霉素浓度为500
‑
1100mg/L，浇灌的量20ml。优选的，赤霉素浓度为800mg/L。
[0015]所述苗期管理包括：出苗后对培养温度、苗期水肥管理。
[0016]进一步的，当真叶完全展开后在20
‑
25℃的培养，环境湿度不宜过高，根据基质含水量及时浇水；叶片完全展开10天后，50ml含0.52g/L P2O5、0.34g/L K2O、0.002g/L Zn、
0.0005g/L Mn、0.0005g/L B和0.1g/L海藻酸的营养液浇灌一次。
[0017]本专利技术通过种子暖温处理、种子低温处理，解除赤芍种子上下胚轴双休眠，促进了赤芍种子的出芽速度。本专利技术通过调控合适的温度对赤芍种子进行处理，暖温和低温的配合显著提升其生根率和出苗率。随后的通过赤霉素处理，在温度处理的基础上更能促进其生根率和出苗率。
[0018]本专利技术的有益效果：本专利技术提供的赤芍种子工业化快速育苗的方法，可以显著缩短赤芍育苗周期，使得赤芍育苗时间短、不受季节限制、节省育苗地，为实际工业化快速进行赤芍育苗的生产应用提供了技术支撑。
附图说明
[0019]构成本专利技术的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。
[0020]图1是本专利技术实施过程的流程图。
[0021]图2是本专利技术实施例提供的赤芍幼苗照片。
具体实施方式
[0022]应该指出，以下详细说明都是示例性的，旨在对本专利技术提供进一步的说明。除非另有指明，本专利技术使用的所有技术和科学术语具有与本专利技术所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。
[0023]面对本专利技术的应用原理作详细的描述。
[0024]本专利技术实施例的一种赤芍种子工业化快速育苗的方法包括:灌杯播种、种子暖温处理、种子低温处理、赤霉素处理和苗期管理。
[0025]本专利技术实施例的育苗杯和培养基质的选择包括以下步骤：
[0026]种子的选择，种子选取饱满的种子。
[0027]育苗钵选择，上口直径宽10cm、高15cm的苗钵
[0028]培养基质的选择，沙土：耕作土1:1混合。
[0029]播种，每个苗钵播种2
‑
10粒种子。
[0030]本专利技术实施例的种子暖温处理方法包括以下步骤：
[0031]温度的选择，温度15
‑
25℃，优选20℃。
[0032]本专利技术实施例的种子低温处理方法包括以下步骤：
[0033]温度的选择，温度2
‑
6℃，优选4℃。
[0034]本专利技术实施例的赤霉素藏处理方法包括以下步骤：
[0035]培养温度的选择：赤芍种子苗钵移入15
‑
20℃，温室培养。
[0036]赤霉素浓度的选择：赤霉素浓度为500
‑
1100mg/L，优选800mg/L。每隔7
‑
8天浇灌20ml，浇灌3次。
[0037]本专利技术实施例的苗期管理包括以下步骤：
[0038]培养温度的选择：当真叶完全展开后在20
‑
25℃的温室培养。
[0039]水肥的选择：根据基质含水量及时浇水；叶片完全展开10天后，50ml含0.52g/L P2O5、0.34g/L K2O、0.002g/L Zn、0.0005g/L Mn、0.0005g/L B和0.1g/L海藻酸的营养液浇
灌一次。
[0040]下面结合试验对本专利技术的应用原理作进一步的描述。
[0041]1本试验以赤芍种子为材料，通过暖温处理，低温处理，赤霉素浇灌，苗期管理等方法实现赤芍种子的当年快速出苗。
[0042]2.材料与方法
[0043]2.1材料
[0044]材料为呼伦贝尔野生赤芍种子。
[0045]2.2方法
[0046]赤芍种子暖温沙藏处理：将赤芍种子进行暖温层积处理，处理时间为45天。暖温沙藏处理后，将赤芍种子进行低温层积处理，处理时间为30天。将低温处理后的赤芍种子移入15
‑
20℃。每隔7—8天进行农用赤霉素浇灌。浇灌三次。
[0047]2.2.1赤芍种子暖温沙藏处理
[0048](1)温度单因素试验
[0049]赤芍种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种赤芍种子工业化快速育苗的方法，其特征在于，所述赤芍种子工厂化快速育苗的方法包括：(1)灌杯播种：选择可降解苗钵，培养基质为沙土和耕作土的混合物；(2)种子暖温处理：暖温层积处理温度为15
‑
25℃，处理时间为45天；(3)种子低温处理：低温层积处理温度为2
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6℃，处理时30天；(4)赤霉素处理：将低温处理的带有赤芍种子苗钵移入15
‑
20℃，每隔7
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8天进行赤霉素浇灌，浇灌2
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3次；赤霉素浓度为500
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1100mg/L，浇灌的量20mL；(5)苗期管理：出苗后对培养温度、苗期水肥管理。2.根据权利要求1所述赤芍种子工业化快速育苗的方法，其特征在于，选择上口直径宽10cm、高15cm的可降解苗钵进行播种。3.根据权利要求1所述赤芍种子工业化快速育苗的方法，其特征在于，每个苗钵播种2
‑
10粒种子。4.根据权利要求1所述赤芍...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊杰，张晓明，赵彦，花梅，穆嬴通，
申请(专利权)人：内蒙古农业大学，
类型：发明
国别省市：