【技术实现步骤摘要】
电路结构及其控制方法
[0001]本公开涉及半导体
,尤其涉及一种电路结构及其控制方法。
技术介绍
[0002]在电路结构中,各器件单元之间通过电连接结构实现电连接,例如,在层叠式存储器件中,各层半导体芯片之间通常是通过硅通孔(Through Silicon Via,TSV)实现电连接。
[0003]上述通过硅通孔实现电连接的半导体芯片之间,难以通过硅通孔进行数据的双向传输,限制了层叠式存储器件的性能。
技术实现思路
[0004]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本公开提供一种电路结构及其控制方法。
[0006]根据本公开实施例的第一方面,提供一种电路结构,包括:
[0007]电连接模块,包括N个电连接结构,每个所述电连接结构的两端分别连接第一开关单元和第二开关单元,其中,N为大于或等于1的正整数;
[0008]第一电路模块,用于根据所述电连接结构的第一侧的电压变化控制所述第一开关单元的导通或关闭;
[0009]第二电路模块,用于根据所述电连接结构的第二侧的电压变化控制所述第二开关单元的导通或关闭;
[0010]其中,在所述第一开关单元和所述第二开关单元同时处于导通状态时,数据从所述第一开关单元传递至所述第二开关单元,或者,数据从所述第二开关单元传递至所述第一开关单元。
[0011]本公开的一些实施例中,所述第一电路模块包括N个充电电路和N个第一检测电路,每个所述第一检测电路的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电路结构,其特征在于,包括:电连接模块,包括N个电连接结构,每个所述电连接结构的两端分别连接第一开关单元和第二开关单元,其中,N为大于或等于1的正整数;第一电路模块,用于根据所述电连接结构的第一侧的电压变化控制所述第一开关单元的导通或关闭;第二电路模块,用于根据所述电连接结构的第二侧的电压变化控制所述第二开关单元的导通或关闭;其中,在所述第一开关单元和所述第二开关单元同时处于导通状态时,数据从所述第一开关单元传递至所述第二开关单元,或者,数据从所述第二开关单元传递至所述第一开关单元。2.根据权利要求1所述的电路结构,其特征在于,所述第一电路模块包括N个充电电路和N个第一检测电路,每个所述第一检测电路的第一端以及所述充电电路均与对应的所述电连接结构的第一侧连接,每个所述第一检测电路的第二端连接所述第一开关单元的控制端;所述第二电路模块包括N个放电电路和N个第二检测电路,每个所述第二检测电路的第一端以及所述放电电路均与对应的电连接结构的第二侧连接,每个所述第二检测电路的第二端连接所述第二开关单元的控制端;所述充电电路用于将对应的所述电连接结构充电至第一电压电平,所述放电电路用于将对应的所述电连接结构放电至第二电压电平,所述第一检测电路用于根据相连接的所述电连接结构的第一侧的电压电平变化,控制所述第一开关单元的导通或关闭,所述第二检测电路用于根据相连接的所述电连接结构的第二侧的电压电平变化,控制所述第二开关单元的导通或关闭。3.根据权利要求2所述的电路结构,其特征在于,所述第一检测电路包括第一触发器和第一反相器,所述第一触发器的输出端连接所述第一开关单元的控制端,所述第一触发器的时钟输入端连接所述第一反相器的输出端,所述第一反相器的输入端与对应的所述电连接结构的第一侧连接;所述第二检测电路包括第二触发器和第二反相器,所述第二触发器的输出端连接所述第二开关单元的控制端,所述第二触发器的时钟输入端连接所述第二反相器的输出端,所述第二反相器的输入端与对应的所述电连接结构的第二侧连接。4.根据权利要求3所述的电路结构,其特征在于,所述第一检测电路包括第一晶体管,所述第一反相器的输入端连接所述第一晶体管的第一极,所述第一晶体管的第二极接地,所述第一晶体管的栅极连接上电信号的反向信号;所述第二检测电路包括第二晶体管,所述第二反相器的输入端连接所述第二晶体管的第一极,所述第二晶体管的第二极接地,所述第二晶体管的栅极连接上电信号的反向信号。5.根据权利要求3所述的电路结构,其特征在于,所述第一触发器的复位端连接上电信号,所述第一触发器用于在其复位端未接收到上电信号时,将其输出端复位,以控制所述第一开关单元断开;所述第二触发器的复位端连接上电信号,所述第二触发器用于在其复位端未接收到上电信号时,将其输出端复位,以控制所述第二开关单元断开。
6.根据权利要求2至5任一项所述的电路结构,其特征在于,N大于或等于2,N个所述电连接结构中,每个所述电连接结构的第一侧均连接至一个第一数据端;N个所述电连接结构中,每个所述电连接结构的第二侧均连接至一个第二数据端;所述数据由所述第一数据端向所述第二数据端传输,或者所述数据由所述第二数据端向所述第一数据段传输。7.根据权利要求1至5任一项所述的电路结构,其特征在于,所述第一电路模块和所述第二电路模块用于控制所述N个电连接结构中的一个电连接结构两端的第一开关单元和第二开关单元导通。8.根据权利要求1至5任一项所述的电路结构,其特征在于,所述电连接结构为硅通孔结构,所述第一电路模块设置于第一半导体单元中,所述第二电路模块设置于第二半导体单元中。9.一种电路结构的控制方法,其特征在于,所述电路结构包括电连接模块,所述电连接模块包括N个电连接结构,N为大于或等于1的正整数,每个电连接结构的两端分别连接第一数据端和第二数据端,所述控制方法包括:控制所述电连接结构的第一侧和第二侧的电压变化;根据所述电连接结构的第一侧的电压变化控制所述电连接结构与所述第一数据端的导通或断开,并根据所述电连接结构的第二侧的电压变化控制所述电连接结构与所述第二数据端的导通或断开;当所述电连接结构与所述第一数据端以及所述第二数据端均导通时,控制数据从所述第一数据端向所述第二数据端传递,或者,控制数据从所述第二数据端向所述第一数据端传递。10.根据权利要求9所述的控制方法,其特征在于,所述控制所述电连接结构的第一侧和第二侧的电压变化,包括:通过充电电路将电连接结构的第一侧和第二侧设置为...
【专利技术属性】
技术研发人员:张家瑞,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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