复合材料薄膜、其制备方法以及显示面板技术

一种复合材料薄膜、其制备方法、以及包括所述复合材料薄膜的显示面板。所述复合材料薄膜包括至少一膜层，所述至少一膜层包括多孔材料单元，所述多孔材料单元的表面具有孔隙，以及所述孔隙中负载纳米粒子或有机小分子，其中所述孔隙的孔径尺寸与所述纳米粒子或所述有机小分子的尺寸相匹配。机小分子的尺寸相匹配。机小分子的尺寸相匹配。

【技术实现步骤摘要】
复合材料薄膜、其制备方法以及显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其是涉及一种复合材料薄膜、其制备方法以及显示面板。

技术介绍

[0002]纳米尺寸材料系指结构单元的尺寸介于1纳米至100纳米范围之间的材料。由于纳米尺寸材料的尺寸已经接近电子的相干长度(coherence length)，它的性质因为强相干所带来的自组织使得性质发生很大变化。并且，由于其尺度已接近光的波长，其具有体积效应、表面效应、量子尺寸效应和宏观量子隧道效应等，使其在熔点、磁性、光学、导热、导电特性等方面具有独特的性质，因此，其在诸多领域都具有极重要的应用价值。
[0003]量子点(quantum dot，QD)材料为一种典型的纳米尺寸材料，其具备高能量转换效率特性。特别是在照明、显示技术、太阳能电池、传感器、以及检测等
，量子点材料都具有非常重要的应用前景。除此之外，量子点材料还具有高亮度、发射光谱范围较窄、可调整发光颜色、稳定性佳等特性，很符合显示
超薄、高亮度、高色域、高色彩饱合度的需求，因此近年来成为极具潜力的显示技术新材料。
[0004]现今的复合材料薄膜的图案化技术主要利用光刻程序和喷墨打印技术。由于光刻程序中的紫外光固化等加热程序和显影程序都会影响量子点的稳定性。喷墨打印技术目前尚不具有成熟稳定的量产材料体系，其再现性差，且制备时间过长。这些问题极大地限制复合材料薄膜的图案化技术的发展与应用。由于量子点具有的自吸收效应导致单独的量子点材料薄膜的光致发光效率较低，这限制了复合材料薄膜的进一步应用。除此之外，量子点本身的带电量较低亦限制了利用电沉积技术来制备复合材料薄膜。
[0005]因此，现有的制备复合材料薄膜的技术问题需要进一步解决。

技术实现思路

[0006]为解决上述问题，本专利技术提出一种复合材料薄膜、其制备方法以及显示面板。本专利技术以多孔材料单元作为载体，所述多孔材料单元的孔隙负载纳米粒子或有机小分子，并利用配体对所述多孔材料单元的表面进行化学修饰使其表面带电，以在电极板上进行电沉积，从而制备了所述复合材料薄膜。利用此方法不仅可以电沉积不带电的纳米粒子，例如量子点纳米粒子，还可以降低电沉积所需的电压。此外，当以所述多孔材料单元负载量子点纳米粒子以形成复合材料薄膜时，因为多孔材料单元的间隔作用和散射效果，有效地降低量子点的自吸收效应，从而制备的复合材料薄膜的发光效率比单独由量子点组成的量子点薄膜发光效率更高。除此之外，由于不需要对如量子点纳米粒子的纳米材料进行特殊修饰以提高其带电量，因此能够保持量子点纳米粒子的良好光电性质。
[0007]本专利技术提出一种复合材料薄膜，所述复合材料薄膜包括：至少一膜层，所述至少一膜层包括多孔材料单元，所述多孔材料单元的表面具有孔隙，以及所述孔隙中负载纳米粒子或有机小分子；其中，所述孔隙的孔径尺寸与所述纳米粒子或所述有机小分子的尺寸相
匹配。
[0008]本专利技术一实施例所述的复合材料薄膜，其中，所述多孔材料单元的表面嫁接配体。
[0009]本专利技术一实施例所述的复合材料薄膜，其中，所述多孔材料单元包括介孔二氧化硅、介孔碳分子筛、以及介孔金属氧化物之至少一种。
[0010]本专利技术一实施例所述的复合材料薄膜，其中，所述纳米粒子包括量子点纳米粒子，所述量子点纳米粒子包括ZnCdSe2、InP、Cd2Se、CdSe、Cd2SeTe、以及InAs之至少一种，以及CdS、ZnSe、ZnCdSe2、ZnS、以及ZnO之至少一种。
[0011]本专利技术一实施例所述的复合材料薄膜，其中，所述配体包括胺基配体、硫醇基配体、羧酸基配体、以及磷配体之至少一种。
[0012]本专利技术一实施例所述的复合材料薄膜，其中，所述配体包括表面活性剂。
[0013]本专利技术一实施例所述的复合材料薄膜，其中，所述表面活性剂包括有机硫酸盐、十六烷基三甲基溴化铵、金属皂、有机胺、有机磷酸盐、磷酸酯之至少一种。
[0014]本专利技术一实施例所述的复合材料薄膜，其中，所述有机硫酸盐包括十二烷基苯磺酸钙、十二烷基苯磺酸钠、以及二壬基萘磺酸钡之至少一种。
[0015]本专利技术一实施例所述的复合材料薄膜，其中，所述金属皂包括萘酸金属盐和硬脂酸盐之至少一种。
[0016]本专利技术一实施例所述的复合材料薄膜，其中，所述表面活性剂包括离子型表面活性剂。
[0017]本专利技术一实施例所述的复合材料薄膜，其中，所述离子型表面活性剂包括十二烷基苯磺酸钠、磷酸酯类表面活性剂，以及十六烷基三甲基溴化铵之至少一种。
[0018]本专利技术一实施例所述的复合材料薄膜，其中，所述多孔材料单元的尺寸介于50至1000nm之间，所述孔径的尺寸介于2至50nm之间，以及所述纳米粒子或所述有机小分子的尺寸介于2至50nm之间。
[0019]本专利技术一实施例所述的复合材料薄膜，其中，所述纳米粒子或所述有机小分子和所述多孔材料单元的质量比介于10：1至1：100之间。
[0020]本专利技术还提出一种复合材料薄膜制备方法，所述复合材料薄膜制备方法包括：制备纳米粒子溶液；制备多孔材料单元溶液；在所述多孔材料单元溶液中加入带电配体使所述多孔材料单元溶液中的多孔材料单元的表面带电；将所述多孔材料单元溶液与所述纳米粒子溶液混合，使所述纳米粒子溶液中的纳米粒子进入所述多孔材料单元的孔隙中，形成复合材料溶液；将电极置入所述复合材料溶液中；以及将所述电极通电使负载所述纳米粒子的所述多孔材料单元沉积在所述电极上。
[0021]本专利技术一实施例所述的复合材料薄膜制备方法，其中，所述多孔材料单元选自介孔二氧化硅、介孔碳分子筛、以及介孔金属氧化物之至少一种。
[0022]本专利技术一实施例所述的复合材料薄膜制备方法，其中，所述多孔材料单元溶液采用非极性溶剂配制，所述带电配体选自离子型表面活性剂。
[0023]本专利技术还提出一种显示面板，所述显示面板包括：基板；薄膜晶体管器件层，所述薄膜晶体管器件层设置在所述基板上；阳极层，所述阳极层设置在所述薄膜晶体管器件层上；发光功能层，所述发光功能层设置在所述阳极层上；阴极层，所述阴极层设置在所述发光功能层上；以及封装层，所述封装层设置在所述阴极层上；其中，所述发光功能层包括复
合材料薄膜，所述复合材料薄膜包括：至少一膜层，所述至少一膜层包括多孔材料单元，所述多孔材料单元的表面具有孔隙，以及所述孔隙中负载量子点纳米粒子；其中，所述孔隙的孔径尺寸与所述量子点纳米粒子的尺寸相匹配。
[0024]本专利技术一实施例所述的显示面板，其中，所述多孔材料单元的表面嫁接配体。
[0025]本专利技术一实施例所述的显示面板，其中，所述多孔材料单元包括介孔二氧化硅、介孔碳分子筛、以及介孔金属氧化物之至少一种。
附图说明
[0026]图1为本专利技术实施例的复合材料薄膜的结构示意图；
[0027]图2为本专利技术实施例的多孔材料单元表面嫁接配体的示意图；
[0028]图3为本专利技术实施例的复合材料薄膜制备方法的流程图；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合材料薄膜，其特征在于，包括：至少一膜层，所述至少一膜层包括多孔材料单元，所述多孔材料单元的表面具有孔隙，以及所述孔隙中负载纳米粒子或有机小分子；其中，所述孔隙的孔径尺寸与所述纳米粒子或所述有机小分子的尺寸相匹配。2.根据权利要求1所述的复合材料薄膜，其特征在于，所述多孔材料单元的表面嫁接配体。3.根据权利要求1所述的复合材料薄膜，其特征在于，所述多孔材料单元包括介孔二氧化硅、介孔碳分子筛、以及介孔金属氧化物之至少一种。4.根据权利要求1所述的复合材料薄膜，其特征在于，所述纳米粒子包括量子点纳米粒子，所述量子点纳米粒子包括ZnCdSe2、InP、Cd2Se、CdSe、Cd2SeTe、以及InAs之至少一种，以及CdS、ZnSe、ZnCdSe2、ZnS、以及ZnO之至少一种。5.根据权利要求2所述的复合材料薄膜，其特征在于，所述配体包括胺基配体、硫醇基配体、羧酸基配体、以及磷配体之至少一种。6.根据权利要求2所述的复合材料薄膜，其特征在于，所述配体包括表面活性剂。7.根据权利要求6所述的复合材料薄膜，其特征在于，所述表面活性剂包括有机硫酸盐、十六烷基三甲基溴化铵、金属皂、有机胺、有机磷酸盐、磷酸酯之至少一种。8.根据权利要求7所述的复合材料薄膜，其特征在于，所述有机硫酸盐包括十二烷基苯磺酸钙、十二烷基苯磺酸钠、以及二壬基萘磺酸钡之至少一种。9.根据权利要求7所述的复合材料薄膜，其特征在于，所述金属皂包括萘酸金属盐和硬脂酸盐之至少一种。10.根据权利要求6所述的复合材料薄膜，其特征在于，所述表面活性剂包括离子型表面活性剂。11.根据权利要求10所述的复合材料薄膜，其特征在于，所述离子型表面活性剂包括十二烷基苯磺酸钠、磷酸酯类表面活性剂，以及十六烷基三甲基溴化铵之至少一种。12.根据权利要求1所述的复合材料薄膜，其特征在于，所述多孔材料单元的尺寸介于50至1000nm之间，所述孔径的尺寸介于2至50...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵金阳，陈黎暄，石志清，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：