一种GaN产品上ESD现场管控方法技术

本发明专利技术提供了一种GaN产品上ESD现场管控方法，包括：获取基于切割分离旧流程下GaN产品与UV膜分离过程中对所述GaN产品所产生的第一静电影响；基于所述第一静电影响，重新设计所述GaN产品与所述UV膜的分离环境，并优化所述切割分离旧流程；获取基于优化后得到的切割分离新流程下所述GaN产品与所述UV膜分离过程中对所述GaN产品产生的第二静电影响，并基于所述第二静电影响，对ESD现场管控作业进行评估，本发明专利技术实现了在GaN产品与UV膜分离过程中，有效控制UV膜产生的静电对GaN产品产生冲击，进而提升GaN产品量产良率。而提升GaN产品量产良率。而提升GaN产品量产良率。

【技术实现步骤摘要】
一种GaN产品上ESD现场管控方法


[0001]本专利技术涉及针对GaN产品ESD管控流程优化
，特别涉及一种GaN产品上ESD现场管控方法。

技术介绍

[0002]目前，在现有技术中，GaN产品对静电的承受耐压值一般不超过250V，GaN产品在切割分离过程中，使用UV膜都是不防静电的，通常在剥离过程中会产生几千伏的静电，从而对我们GaN产品造成不同程度的静电损伤，这类静电损伤在产品生产初期，较难在可靠性、日常首巡检过程中被发现，在终端客户使用过程中，才会陆续被发现，最终给公司、客户造成不可弥补的经济损失；
[0003]为此，本专利技术提出了一种GaN产品上ESD现场管控方法，是针对GaN产品的ESD管控流程优化，并能提升GaN产品量产良率的ESD管控优化流程。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种GaN产品上ESD现场管控方法，用以实现在GaN产品与UV膜分离过程中，有效控制UV膜产生的静电对GaN产品产生冲击，进而提升GaN产品量产良率。
[0005]本专利技术提供了一种GaN产品上ESD现场管控方法，包括：
[0006]步骤1：获取基于切割分离旧流程下GaN产品与UV膜分离过程中对所述GaN产品所产生的第一静电影响；
[0007]步骤2：基于所述第一静电影响，重新设计所述GaN产品与所述UV膜的分离环境，并优化所述切割分离旧流程；
[0008]步骤3：获取基于优化后得到的切割分离新流程下所述GaN产品与所述UV膜分离过程中对所述GaN产品产生的第二静电影响，并基于所述第二静电影响，对ESD现场管控作业进行评估。
[0009]在一种可能实现的方式中，步骤1中，获取基于切割分离旧流程下GaN产品与UV膜分离过程中对所述GaN产品所产生的第一静电影响，包括：
[0010]步骤1.1：测量基于所述切割分离旧流程下所述GaN产品与所述UV膜分离过程中所产生的摩擦电压；
[0011]步骤1.2：确认所述摩擦电压是否达到所述GaN产品的可承受摩擦电压最大值，若未达到，判定当前摩擦对于所述GaN产品安全；
[0012]若达到，获取所述摩擦电压基于所述可承受摩擦电压最大值的超出电压值；
[0013]步骤1.3：将所述超出电压值与静电影响衡量标准进行对照，确定基于切割分离旧流程下所述GaN产品与所述UV膜分离过程中对所述GaN产品产生的第一静电影响。
[0014]在一种可能实现的方式中，步骤2中，基于所述第一静电影响，重新设计所述GaN产品与所述UV膜的分离环境，包括：
[0015]步骤2.1：基于所述第一静电影响，确定当前产生的静电对每个GaN产品的损坏程
度；
[0016]步骤2.2：基于所述损坏程度，统计当前所有GaN产品的损坏率；
[0017]步骤2.3：当所述损坏率达到预设损坏率时，判定所述GaN产品与所述UV膜不适宜在当前分离环境中进行分离，并重新设计所述GaN产品与所述UV膜的分离环境。
[0018]在一种可能实现的方式中，步骤2中，优化所述切割分离旧流程，包括：
[0019]步骤2.4：获取所述切割分离旧流程中每一操作步骤存在的风险点；
[0020]步骤2.5：获取所述风险点在所有步骤中的布局情况；
[0021]步骤2.6：基于所述布局情况，确定存在有风险点的异常步骤；
[0022]步骤2.7：根据所述异常步骤所存在风险点的严重程度，对所述异常步骤进行优化。
[0023]在一种可能实现的方式中，步骤2.4中，获取所述切割分离旧流程中每一操作步骤存在的风险点，包括：
[0024]在执行所述切割分离旧流程的过程中，获取所述GaN产品基于每一操作步骤的状态变化信息，当所述状态变化信息中的第一变化信息满足预设条件时，获取与所述第一变化信息对应的第一操作步骤在执行过程中的监控视频，并基于所述监控视频，确定所述第一操作步骤对应的操作特征；
[0025]调取所述切割分离旧流程对应的历史风险记录表，并将所述第一变化信息以及所述操作特征在所述历史风险记录表中进行对照，确定所述第一操作步骤存在的风险点。
[0026]在一种可能实现的方式中，步骤2.7中，根据所述异常步骤所存在风险点的严重程度，对所述异常步骤进行优化，包括：
[0027]获取所述GaN产品在执行所述异常步骤的过程中的状态转变过程，并获取所述状态转变过程中出现的所有异常状态；
[0028]获取所有异常状态中每一状态的异常程度以及对应异常程度的持续时长，确定所述异常步骤所存在风险点的严重程度；
[0029]制定与所述严重程度对应的优化方案，并基于所述优化方案，完成对所述异常步骤的优化任务。
[0030]在一种可能实现的方式中，在对所述异常步骤进行优化之后，对优化质量进行评估，包括：
[0031]获取所述切割分离旧流程中已优化的异常步骤对应的第一数量以及所有异常步骤对应的第二数量；
[0032]基于所述第一数量以及所述第二数量，初步确定所述异常步骤对应的优化率；
[0033]当所述优化率大于或等于预设优化率时，获取所有已优化异常步骤对应的步骤顺序，并按照所述步骤顺序对所有已优化异常步骤的执行过程进行实时监测，获取已优化的每一异常步骤中每一操作动作的行为特征信息以及相邻操作动作之间的第一转换特征信息；
[0034]同时，获取已优化的相邻异常步骤对应操作动作的第二转换特征信息；
[0035]根据优化标准遍历所述行为特征信息、第一转换特征信息以及所述第二转换特征信息，确定已优化异常步骤对应操作动作的规范性；
[0036]分别检测基于优化前后的异常步骤下，所述GaN产品与所述UV膜分离所产生的第
一静电量以及第二静电量，并基于所述第一静电量以及所述第二静电量，确定中和静电量；
[0037]检测所述GaN产品在执行优化前的异常步骤的过程中的第一特征变化参数，并获取所述第一特征变化参数在预设时间内的第一变化集合；
[0038]检测所述GaN产品在执行优化后的异常步骤的过程中的第二特征变化参数，并获取所述第二特征变化参数在相同预设时间内的第二变化集合；
[0039]确定所述第一特征变化参数与所述第二特征变化参数中的相同参数，并分别基于所述第一变化集合与所述第二变化集合提取与所述相同参数对应的变化集合，并确定对应的第一集合差异；
[0040]获取所述第二特征变化参数基于所述第一特征变化参数的差异参数，并提取与所述差异参数对应的第二集合差异；
[0041]基于所述第一集合差异以及所述第二集合差异，确定所述GaN产品对于优化后的异常步骤的适应性；
[0042]分别将所述规范性、中和静电量以及所述适应性作为评估指标，对异常步骤的优化质量进行评估，并将评估结果在移动终端进行显示；
[0043]当所述优化率小于预设优化率时，判定对所述异常步骤的当前优化工作无效，重新制定与所述异常步骤对应的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GaN产品上ESD现场管控方法，其特征在于，包括：步骤1：获取基于切割分离旧流程下GaN产品与UV膜分离过程中对所述GaN产品所产生的第一静电影响；步骤2：基于所述第一静电影响，重新设计所述GaN产品与所述UV膜的分离环境，并优化所述切割分离旧流程；步骤3：获取基于优化后得到的切割分离新流程下所述GaN产品与所述UV膜分离过程中对所述GaN产品产生的第二静电影响，并基于所述第二静电影响，对ESD现场管控作业进行评估。2.根据权利要求1所述的一种GaN产品上ESD现场管控方法，其特征在于，步骤1中，获取基于切割分离旧流程下GaN产品与UV膜分离过程中对所述GaN产品所产生的第一静电影响，包括：步骤1.1：测量基于所述切割分离旧流程下所述GaN产品与所述UV膜分离过程中所产生的摩擦电压；步骤1.2：确认所述摩擦电压是否达到所述GaN产品的可承受摩擦电压最大值，若未达到，判定当前摩擦对于所述GaN产品安全；若达到，获取所述摩擦电压基于所述可承受摩擦电压最大值的超出电压值；步骤1.3：将所述超出电压值与静电影响衡量标准进行对照，确定基于切割分离旧流程下所述GaN产品与所述UV膜分离过程中对所述GaN产品产生的第一静电影响。3.根据权利要求1所述的一种GaN产品上ESD现场管控方法，其特征在于，步骤2中，基于所述第一静电影响，重新设计所述GaN产品与所述UV膜的分离环境，包括：步骤2.1：基于所述第一静电影响，确定当前产生的静电对每个GaN产品的损坏程度；步骤2.2：基于所述损坏程度，统计当前所有GaN产品的损坏率；步骤2.3：当所述损坏率达到预设损坏率时，判定所述GaN产品与所述UV膜不适宜在当前分离环境中进行分离，并重新设计所述GaN产品与所述UV膜的分离环境。4.根据权利要求1所述的一种GaN产品上ESD现场管控方法，其特征在于，步骤2中，优化所述切割分离旧流程，包括：步骤2.4：获取所述切割分离旧流程中每一操作步骤存在的风险点；步骤2.5：获取所述风险点在所有步骤中的布局情况；步骤2.6：基于所述布局情况，确定存在有风险点的异常步骤；步骤2.7：根据所述异常步骤所存在风险点的严重程度，对所述异常步骤进行优化。5.根据权利要求4所述的一种GaN产品上ESD现场管控方法，其特征在于，步骤2.4中，获取所述切割分离旧流程中每一操作步骤存在的风险点，包括：在执行所述切割分离旧流程的过程中，获取所述GaN产品基于每一操作步骤的状态变化信息，当所述状态变化信息中的第一变化信息满足预设条件时，获取与所述第一变化信息对应的第一操作步骤在执行过程中的监控视频，并基于所述监控视频，确定所述第一操作步骤对应的操作特征；调取所述切割分离旧流程对应的历史风险记录表，并将所述第一变化信息以及所述操作特征在所述历史风险记录表中进行对照，确定所述第一操作步骤存在的风险点。6.根据权利要求4所述的一种GaN产品上ESD现场管控方法，其特征在于，步骤2.7中，根
据所述异常步骤所存在风险点的严重程度，对所述异常步骤进行优化，包括：获取所述GaN产品在执行所述异常步骤的过程中的状态转变过程，并获取所述状态转变过程中出现的所有异常状态；获取所有异常状态中每一状态的异常程度以及对应异常程度的持续时长，确定所述异常步骤所存在风险点的严重程度；制定与所述严重程度对应的优化方案，并基于所述优化方案，完成对所述异常步骤的优化任务。7.根据权利要求4所述的一种GaN产品上ESD现场管控方法，其特征在于，在对所述异常步骤进行优化之后，对优化质量进行评估，包括：获取所述切割分离旧流程中已优化的异常步骤对应的第一数量以及所有异常步骤对应的第二数量；基于所述第一数量以及所述第二数量，初步确定所述异常步骤对应的优化率；当所述优化率大于或等于预设优化率时，获取所有已优化异常步骤对应的步骤顺序，并按照所述步骤顺序对所有已优化异常步骤的执行过程进行实时监测，获取已优化的每一异常步骤中每一操作动作的行为特征信息以及相邻操作动作之间的第一转换特征信息；同时，获取已优化的相邻异常步骤对应操作动作的第二转换特征信息；根据优化标准遍历所述行为特征信息、第一转换特征信息以及所述第二转换特征信息，确定已优化异常步骤对应操作动作的规范性；分别检测基于优化前后的异常步骤下，所述GaN产品与所述UV膜分离所产生的第一静电量以及第二静电量，并基于所述第一静电量以及所述第二静电量，确定中和静电量；检测所述GaN产品在执行优化前的异常步骤的过程中的第一特征变化参数，并获取所述第一特征变化参数在...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘方标，李德朋，陈勇，舒小兵，饶锡林，易炳川，黄乙为，
申请(专利权)人：广东气派科技有限公司，
类型：发明
国别省市：