层叠体制造装置以及层叠体的制造方法制造方法及图纸

一种层叠体制造装置，其具有搬运第1片材的第1片材搬运装置，和向涂布有硅烷偶联剂的第1片材的表面以及/或涂布有硅烷偶联剂的第2片材的表面、供给水性介质的水供给装置，和将供给水性介质后的第1片材与第2片材贴合的层压装置。压装置。压装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】层叠体制造装置以及层叠体的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种层叠体制造装置以及层叠体的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，以半导体元件、MEMS元件、显示器元件等功能元件的轻量化、小型和/或薄型化、可挠化为目的，在高分子膜上形成这类元件的技术开发正在活跃的进行。即，作为信息通讯设备(播放设备、移动无线电、便携通信设备等)、雷达和高速信息处理装置等电子部件的基材的材料，以往使用具有耐热性且能够应对信息通讯设备的信号频段的高频化(达到GHz带)的陶瓷，但陶瓷不具有柔性、也难以薄型化，有着能够使用的领域受限的缺点，因此最近使用高分子膜作为基板。
[0003]当半导体元件、MEMS元件、显示器元件等功能元件形成于高分子膜表面时，利用作为高分子膜特性的可挠性，即，以卷对卷(roll
‑
to
‑
roll)工序进行加工是理想的。然而，在半导体行业、MEMS行业、显示器行业等领域中，目前为止已经构筑了以晶圆基底或玻璃基板基底等的刚性平面基板作为对象的工序技术。在此，为了利用既有的基础架构、将功能元件形成于高分子膜上，使用了将高分子膜贴合于例如，玻璃板、陶瓷板、硅晶圆、金属板等无机物构成的刚性支撑体(例如，无机基板、金属箔等)，在其上形成所要的元件后，从支撑体上剥离的工序。
[0004]然而，在贴合有高分子膜和无机物构成的支撑体的层叠体上形成所要的配线和功能元件的工序中，该层叠体大多暴露于高温中。例如，在形成多晶硅和氧化物半导体等的功能元件时需要200℃～600℃左右温度范围的工序。另外，在氢化非晶硅膜的制作中存在对膜施加200～300℃左右的温度的情况，进一步还存在为了加热非晶硅、脱氢化形成低温多晶硅，需要450℃～600℃左右的加热的情况。因此，对于构成层叠体的高分子膜要求具有耐热性，但就现实问题而言，能在实用上耐得住如此高温范围的高分子膜是有限的。另外，在向支撑体贴合高分子膜时，通常考虑使用粘合剂或粘接剂，此时对于高分子膜与支撑体的接合面(即，贴合用的粘合剂或粘接剂)也要求具有耐热性。但是，由于通常的贴合用粘合剂或粘接剂不具有充分的耐热性，因此当功能元件的形成温度高时，无法适用粘合剂或粘接剂进行贴合。
[0005]由于不存在具有充分耐热性的粘合剂或粘接剂，过去，在上述用途中，将高分子溶液或高分子的前体溶液涂布在支撑体上，在支撑体上干燥和/或固化而使其薄膜化，采用了该用途中使用的技术。但是，通过这样的方法得到的高分子膜，由于容易脆裂，形成于高分子膜表面的功能元件在从支撑体剥离时发生破损的情况很多。特别是从支撑体剥离大面积的薄膜时极其困难，无法得到工业上可行的成品率。鉴于这种情况，作为用于制造在柔性基板上形成功能元件的所谓柔性电子器件的高分子膜和支撑体的层叠体，提出了将耐热性优异、能够强韧地薄膜化的聚酰亚胺膜，通过硅烷偶联剂贴合于支撑体的层叠体(例如，参照专利文献1～3)。
[0006]另外，近年，硅烷偶联剂广泛用于在玻璃等无机材料或高分子树脂等的界面上改
善两者的贴合性、粘接性等。硅烷偶联剂在对无机材料吸附力强的同时，容易发生自缩合反应。因此，在处理液、涂布液中形成缩合物粒子，这些粒子成为涂布面、处理面上的异物缺陷的情况并不少。
[0007]为了解决该问题，例如，专利文献4中公开了硅烷偶联剂以气相状态涂布于基板的技术。根据相关方法，据说能够实现具有低缺陷的极薄的硅烷偶联剂层。现有技术文献专利文献
[0008]【专利文献1】日本专利第5152104号公报【专利文献2】日本专利第5304490号公报【专利文献3】日本专利第5531781号公报【专利文献4】日本专利特开2015
‑
178237号公报

技术实现思路

专利技术要解决的问题
[0009]所述层叠体(如专利文献1～3所示那样的层叠体)中，通过在支撑体和耐热高分子膜之间夹设含有硅烷偶联剂的层，意图达成能够防止设备形成前和形成中支撑体从聚酰亚胺膜剥落的同时，在设备形成后，容易将支撑体从聚酰亚胺膜剥离。但是，制造大面积的层叠体时，控制层叠体整体中均匀的粘接强度是极其困难的。
[0010]另外，由于通过专利文献4所述的方法所得的低缺陷的硅烷偶联剂涂布层极其薄，在涂布面上夹带异物时，即使是微小的物体也会妨碍硅烷偶联剂涂布面的反应。
[0011]本专利技术是鉴于上述问题而完成的。即，本专利技术的目的是提供一种层叠体制造装置，能够均匀地控制第1片材(例如，无机基板、金属箔、第1耐热高分子膜等)与第2片材(例如，第2耐热高分子膜等)的粘接强度。另外，本专利技术提供一种能够均匀地控制第1片材和第2片材的粘接强度的层叠体的制造方法。解决问题的技术手段
[0012]本专利技术者鉴于相关状況，进行了深入的研究，结果，通过采用下述构成，找出了即使是大面积时，也能均匀地控制粘接强度的层叠体制造装置以及层叠体的制造方法，完成了本专利技术。
[0013]即，本专利技术相关的层叠体制造装置，其特征在于，搬运第1片材的第1片材搬运装置，和向涂布有硅烷偶联剂的第1片材的表面，及/或涂布有硅烷偶联剂的第2片材的表面供给水性介质的水供给装置，和将供给水性介质后的第1片材与第2片材贴合的层压装置。
[0014]目前，第1片材(例如，无机基板、金属箔、第1耐热高分子膜等)与第2片材(例如，第2耐热高分子膜等)的层叠体中，在特大面积时，难以均匀涂布硅烷偶联剂，其结果，难以均匀适当地控制第1片材和第2片材的粘接强度。但是，根据上述结构，在向涂布有硅烷偶联剂的第1片材的表面，以及/或涂布有硅烷偶联剂的第2片材的表面供给水性介质的状态下，能够贴合第1片材和第2片材。如果向涂布有硅烷偶联剂的第1片材的表面，以及/或涂布有硅烷偶联剂的第2片
材的表面供给水性介质，硅烷偶联剂的至少一部分为溶解于水性介质的状态。因此，能够在即将贴合之前使硅烷偶联剂层平坦化。更具体是指，在贴合时，由于可以一边将水性介质从粘接面向外挤出一边进行层压，故能够除去第1片材至第2片材之间的多余的硅烷偶联剂，硅烷偶联剂的量被控制在与第1片材、第2片材的至少任意一方的表面以亲和力配位所需的最低限度的量。其结果，能够均匀地控制粘接强度。另外，由于能够在硅烷偶联剂的至少一部分溶解于水性介质的状态下进行贴合，因而能够提升粘接强度。
[0015]上述构成中，优选具有将硅烷偶联剂涂布于第1片材的涂布装置。
[0016]如果具有上述涂布装置，能够将硅烷偶联剂涂布于第1片材。
[0017]上述结构中，优选具有清洗供给水性介质前的第1片材的第1基板清洗装置。
[0018]如果具有上述第1清洗装置，能够在水性介质供给前清洗第1片材。其结果，能够得到异物混入较少的层叠体。
[0019]上述结构中，优选具有清洗供给水性介质前的第2片材的第2清洗装置。
[0020]如果具有上述第2清洗装置，能够在水性介质供给前清洗第2片材。其结果，能够得到异物混入较少的层叠体。
[0021]另外，本专利技术相关的层叠体的制造方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种层叠体制造装置，其特征在于，具有：搬运第1片材的第1片材搬运装置，和向涂布有硅烷偶联剂的第1片材的表面，及/或涂布有硅烷偶联剂的第2片材的表面供给水性介质的水供给装置，和将供给水性介质后的第1片材与第2片材贴合的层压装置。2.根据权利要求1所述的层叠体制造装置，其特征在于，具有将硅烷偶联剂涂布于第1片材的涂布装置。3.根据权利要求1或2所述的层叠体制造装置，其特征在于，具有清洗供给水性介质前的第1片材的第1清洗装置。4.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠体制造装置，其特征在于，具有清洗供给水性介质前的第2片材的第2清洗装置。5.一种具有第1片材和第2片材的层叠体的制造方法，其特征在于，具有：向涂布有硅烷偶联剂的第1片材的表面，及/或涂布有硅烷偶联剂的第2片材的表...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥山哲雄，德田桂也，应矢量之，渡边直树，
申请(专利权)人：东洋纺株式会社，
类型：发明
国别省市：