一种基于波导模式的高维片上量子逻辑门结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于波导模式的高维片上量子逻辑门结构，包括结构本体，所述结构本体上设置有m

【技术实现步骤摘要】
一种基于波导模式的高维片上量子逻辑门结构


[0001]本技术涉及微纳光电子和量子通信
，具体涉及一种基于波导模式的高维片上量子逻辑门结构。

技术介绍

[0002]量子计算(quantum computation)是基于量子力学基本原理的具有超强并行计算能力的全新计算方式。如果用二进制的“0”和“1”来表示信息,经典计算机中处理信息的经典比特(bit)在某个特定时刻只能处于“0”或者“1”，单次操作N个bit只能对2
N
个数中的1个数进行运算，而量子计算机中的量子比特(qubit)则可以处在|0>和|1>的任意叠加态(α|0>+β|1>)上，单次操作N个qubit能够同时实现对2N个数的并行运算,这种叠加特性使得量子计算机在处理某些特定问题如密码破译和数据搜索时具有超越经典计算机的明显优势。
[0003]通用型量子计算机的处理器由量子逻辑门(quantum logic gate)组成。量子逻辑门通过量子力学的幺正变换完成对量子比特的受控演化,是实现量子计算的基础。
[0004]在众多量子系统中,光量子系统凭借着它天然的优势,在几十年量子信息的发展过程中一直处于领先地位。光子是一种飞行的量子比特,其超快的传播速度非常利于作为信息传输的载体。光量子态在传输过程中,对环境噪声有着很好的免疫,在经历很长的传输距离和时间后仍然能够保持其相干性。同时,光子有很多自由度可以用来编码,包括光子的路径、偏振、轨道角动量、频率、时间等,同时在集成光学器件中,波导模式也可以用来编码信息。在所有量子系统中,光量子系统对硬件的要求是最低的,不需要在真空和低温的环境下操作,这降低了量子态的调控难度,同时使得光子系统最利于做原理展示和实验验证。
[0005]目前的主要研究方向有两类：一是在自由空间中操纵光子的线性光学量子计算，它操作简单、技术成熟，目前绝大多数量子计算方案都是在自由空间光学系统中首先被验证的，但其可扩展性差、稳定性差，非常容易受到环境因素扰动；二是基于集成芯片的光量子计算，芯片中通常使用光波导来构建复杂的光子回路。尽管波导芯片系统目前还是处于起步阶段，但是具有良好的可扩展性、稳定性和高集成度，因此前景广阔。同时，高维量子通信具有如下诸多优势：1)具有更大的信息容量；2)对噪声有更高的容忍度；3)增强了对量子克隆的鲁棒性；4)更显著地违反了定域理论和贝尔不等式。因此，近年来高维量子通信吸引了越来越多研究者的热切关注。
[0006]亚波长结构(Sub
‑
Wavelength Structure，SWS)是一种周期远小于材料等效波长的阵列化结构，即周期Λ＜＜λ/(2n
eff
)，其中λ为真空波长，n
eff
为等效折射率。由于其周期远小于波长，亚波长结构中只存在零级衍射，光的高阶衍射级次均不能向自由空间传播，只能束缚在结构内部，因此可将其整体视为一层各向异性的介质。通过将依照亚波长尺度变化的设计图案刻蚀在绝缘体上的硅材料(Silicon on insulator，SOI)表面，并填充其他的材料(如：空气、二氧化硅等)，可以实现具有目标功能的器件。
[0007]由于可以在超小尺度灵活改变波导介电常数，因此硅基亚波长结构可以对光场进行高效调控，实现超小型、高性能硅基光子器件。过去，在设计硅基光子器件时，主要依赖一
些先验知识的物理模型或效应，然后依据经验通过简单的参数调整或参数扫描的方法来找出这些模型中能匹配所需功能的各几何尺寸参数的最佳点，这一设计过程在一定程度上是“盲目”的。通过参数调整或参数扫描来寻找器件的模型参数的设计方法属于“正向设计”。使用这种方式来设计的器件模型通常结构较简单，且一般具有一定理论物理模型，能通过解析法分析。通过参数扫描，我们能从一系列具有不同结构参数的器件中，人工挑出具有目标功能的器件。
[0008]然而，这种常规设计方式考虑的参量维度十分有限，且无法预知是否能达到比较好的结果。更重要的是一些具有特殊功能和尺寸要求的器件，通过采用这种方式并不能被设计得到。因此需要对现有硅基亚波长结构的进行进一步地改进。

技术实现思路

[0009]为了解决上述技术问题，本技术的提供一种提高光量子逻辑门的性能的基于波导模式的基于波导模式的高维片上多维逻辑门结构。
[0010]为实现上述目的，本技术采取的技术方案如下：一种基于波导模式的高维片上量子逻辑门结构，包括结构本体，所述结构本体上设置有m
×
n的结构矩阵区域，在所述结构矩阵区域数组序号对应的位置设置有a nm
×
a nm的像素点，像素点对应位置上设置直径为d的圆孔，根据材料的不同像素点被赋予了不同的数值。
[0011]优选地，所述圆孔的材料为Si或者SiO2。
[0012]优选地，当圆孔材料为Si，像素点赋值为1，反之，当圆孔材料为SiO2，像素点赋值为0。
[0013]优选地，当圆孔材料为Si，像素点赋值为0，反之，当圆孔材料为SiO2，像素点赋值为1。
[0014]优选地，所述结构本体的尺寸为2.5
‑
4.5μm
×
0.6
‑
2.6μm。
[0015]优选地，所述结构本体刻蚀深度h为150
‑
250nm。
[0016]优选地，所述m
×
n的结构矩阵中m和n的取值范围是12
‑
50。
[0017]优选地，所述像素点的大小为a的取值范围是100nm
–
200nm。
[0018]优选地，所述圆孔直径d的取值范围是90nm
‑
150nm。
[0019]本技术有益的技术效果：本技术的逻辑门结构设置有m
×
n的结构矩阵区域，在所述结构矩阵区域数组序号对应的位置设置有a nm
×
a nm的像素点，像素对应位置上设置直径为d的圆孔，像素点根据材料的不同赋予了不同的数值，通过改变圆孔的材料改变像素点的赋值，可以不断优化逻辑门的品质因数，从而得到最优品质的因数的逻辑门结构，大大提高了逻辑门结构的精确度和性能。
附图说明
[0020]图1为本技术的一种基于波导模式的高维片上量子逻辑门结构的原理示意图。
[0021]图2为本技术一种基于波导模式的高维片上量子逻辑门结构的结构示意图。
[0022]图3为本技术实施例三维X输入TE0模式的传输图谱。
[0023]图4为本技术实施例三维X输入TE1模式的传输图谱。
[0024]图5为本技术实施例三维X输入TE2模式的传输图谱。
具体实施方式
[0025]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例对本技术进行进一步详细说明，但本技术要求保护的范围并不局限于下述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于波导模式的高维片上量子逻辑门结构，其特征在于，包括结构本体，所述结构本体上设置有结构矩阵区域，在所述结构矩阵区域数组序号对应的位置设置有像素点，所述像素点对应位置上设置直径为圆孔，所述像素点根据材料的不同赋予了不同的数值。2.如权利要求1所述的一种基于波导模式的高维片上量子逻辑门结构，其特征在于，所述圆孔的材料为Si或者SiO2。3.如权利要求1所述的一种基于波导模式的高维片上量子逻辑门结构，其特征在于，当圆孔材料为Si，像素点赋值为1，反之，当圆孔材料为SiO
2，
像素点赋值为0。4.如权利要求1所述的一种基于波导模式的高维片上量子逻辑门结构，其特征在于，当圆孔材料为Si，像素点赋值为0，反之，当圆孔材料为SiO2，像素点赋值为1。5.如权利要求1所述的一种基于波导模式的高维片上量子逻辑门结构，其特征在于，所述结构本体的尺寸为2.5
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王健，刘俊，王乾克，胡敏，郭邦红，
申请(专利权)人：广东国腾量子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：