一种降解型包装薄膜的加工方法及降解型包装薄膜技术

本发明专利技术提供一种降解型包装薄膜的加工方法，涉及薄膜技术领域。具体的，降解型包装薄膜按重量份数计包含以下各原料组分，100份聚乳酸、0.005

【技术实现步骤摘要】
一种降解型包装薄膜的加工方法及降解型包装薄膜


[0001]本专利技术属于薄膜
，涉及一种降解型包装薄膜的加工方法及降解型包装薄膜。

技术介绍

[0002]聚乳酸薄膜作为包装薄膜是一种环境友好型的薄膜，但存在韧性不足等问题。在聚乳酸薄膜中添加增韧改性剂的增韧改性是一种有效方法，但现有的增韧改性剂对薄膜的拉伸强度影响较大，拉伸强度降低幅度较大。因此仍然需要持续开发新的增韧改性方法，以加速推广聚乳酸薄膜的应用，解决难降解型薄膜的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于克服现有技术缺陷，提供一种降解型包装薄膜的加工方法。
[0004]本专利技术还提供一种降解型包装薄膜。
[0005]本专利技术的技术方案如下：
[0006]一种降解型包装薄膜的加工方法，所述降解型包装薄膜按重量份数计包含以下各原料组分，100份聚乳酸、0.005
‑
0.2份巯基化笼型聚倍半硅氧烷、10
‑
25份端乙烯基化合物或侧乙烯基化合物和0.1
‑
5份光引发剂；
[0007]所述端乙烯基化合物的平均相对分子质量不低于200，端基各有一个乙烯基基团；
[0008]所述侧乙烯基化合物的平均相对分子质量不低于500，侧基含有至少1个乙烯基基团；
[0009]所述加工方法为，将所述各原料组分混合、熔融混合均匀，挤出、流延成膜，双向拉伸，紫外光照射0.5
‑
10分钟。
[0010]优选的，所述聚乳酸的数均分子量不低于5万。
[0011]优选的，所述巯基化笼型聚倍半硅氧烷的结构通式为R
1a
R
2b
(SiO
1.5
)
n
，其中R1选自C1
‑
C6的烷基或非巯基的取代烷基，R2为3
‑
巯基丙基，0≤a≤6，a+b＝n，n＝6、8、10或12。
[0012]优选的，所述0≤a≤5，n＝8。
[0013]优选的，所述端乙烯基化合物选自双端烯丙氧基聚醚或双端烯丙氧基聚酯。
[0014]优选的，所述侧乙烯基化合物选自乙烯基硅油，具有结构通式R3SiMe2O(SiOMe2)
e
(SiOMeR4)
f
(SiOMeVi)
g
SiMe2R3，其中R3选自甲基、乙烯基或羟基，R4选自C1
‑
C18烷基或取代烷基或苯基，Me代表甲基，Vi代表乙烯基，1≤g≤10，e≥0，f≥0；
[0015]所述乙烯基硅油在25℃的粘度为200
‑
5000mPa.s。
[0016]优选的，所述挤出的温度为180
‑
230℃。
[0017]优选的，所述双向拉伸中纵向拉伸的倍数为2
‑
6倍，横向拉伸的倍数为2
‑
6倍。
[0018]优选的，所述降解型包装薄膜还包括抗氧化剂、加工助剂、填料和颜料中的至少一种。
[0019]一种降解型包装薄膜，由上述任一项实施方案所述的加工方法获得。
[0020]本专利技术采用端乙烯基化合物或侧乙烯基化合物作为聚乳酸的增韧成分，提高聚乳酸薄膜的韧性，即抗穿刺强度；同时采用巯基化笼型聚倍半硅氧烷，既具有成核剂的功能，也能与端乙烯基化合物或侧乙烯基化合物进行交联，提高包装薄膜的拉伸强度。因此，本专利技术的包装薄膜既有较好的抗穿刺强度，又能避免薄膜的拉伸强度大幅度降低，使得包装薄膜具有较好的综合性能。
[0021]本专利技术的有益效果是：
[0022](1)本专利技术的降解型包装薄膜具有较好的抗穿刺强度，又比常规的增韧型聚乳酸具有更好的拉伸强度。
[0023](2)巯基化笼型聚倍半硅氧烷与端乙烯基化合物或侧乙烯基化合物形成的交联结构提高了包装薄膜的耐热性。
[0024](3)笼型聚倍半硅氧烷成核作用有助于提升聚乳酸的结晶性，提高聚乳酸的拉伸强度。
具体实施方式
[0025]以下通过具体实施方式对本专利技术的技术方案进行进一步的说明和描述。
[0026]本专利技术一方面提出一种降解型包装薄膜的加工方法，所述降解型包装薄膜按重量份数计包含以下各原料组分，100份聚乳酸、0.005
‑
0.2份巯基化笼型聚倍半硅氧烷、10
‑
25份端乙烯基化合物或侧乙烯基化合物和0.1
‑
5份光引发剂；
[0027]本专利技术中，巯基化笼型聚倍半硅氧烷的重量可根据端乙烯基化合物或侧乙烯基化合物的重量以及它们的乙烯基含量，还有巯基化笼型聚倍半硅氧烷分子结构中巯基的个数等多个因素进行确定。比如在其他条件一样的情况下，巯基化笼型聚倍半硅氧烷分子结构中巯基的个数少，所需要的巯基化笼型聚倍半硅氧烷的重量就相应的多。
[0028]所述端乙烯基化合物的平均相对分子质量不低于200，端基各有一个乙烯基基团；更优选的，端乙烯基化合物的平均相对分子质量不高于20000。
[0029]所述侧乙烯基化合物的平均相对分子质量不低于500，侧基含有至少1个乙烯基基团；更优选的，侧乙烯基化合物的平均相对分子质量不高于30000。
[0030]所述加工方法为，将所述各原料组分混合、熔融混合均匀，挤出成膜，双向拉伸，紫外光照射0.5
‑
10分钟。
[0031]本专利技术中，光引发剂无特别的限制，是为了在紫外光照射下产生自由基引发巯基与碳碳双键的巯基
‑
烯点击化学反应加成。具体的，光引发剂可以选自安息香类的光引发剂，比如安息香双甲醚、安息香乙醚、安息香丁醚等。
[0032]本专利技术中，加工时，各原料组分加入到挤出机中180
‑
220℃熔融，180
‑
230℃挤出温度下挤出，再用流延机进行流延成厚度100μm
‑
1mm的流延膜，再通过拉伸机进行单向拉伸或双向拉伸，最后通过紫外光照射，获得厚度为10
‑
100μm的包装薄膜。本专利技术中紫外光无特别的限制，主波长可以是365nm，光强度为1
‑
100mW/cm2。通常情况下，光强度越高，需要的紫外光照射时间越短；光强度越低，需要的紫外光照射时间越长。
[0033]在本专利技术一个优选的实施例中，所述聚乳酸的数均分子量不低于5万。更优选的，聚乳酸的数均分子量不低于8万。
[0034]在本专利技术一个优选的实施例中，所述巯基化笼型聚倍半硅氧烷的结构通式为
R
1a
R
2b
(SiO
1.5
)
n
，其中R1选自C1
‑
C6的烷基或非巯基的取代烷基，R2为3
‑
巯基丙基，0≤a≤6，a+b＝n，n＝6、8、10或12。
[0035]在本专利技术一个优选的实施例中，所述0≤a≤5，n＝8。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降解型包装薄膜的加工方法，其特征在于，所述降解型包装薄膜按重量份数计包含以下各原料组分，100份聚乳酸、0.005
‑
0.2份巯基化笼型聚倍半硅氧烷、10
‑
25份端乙烯基化合物或侧乙烯基化合物和0.1
‑
5份光引发剂；所述端乙烯基化合物的平均相对分子质量不低于200，端基各有一个乙烯基基团；所述侧乙烯基化合物的平均相对分子质量不低于500，侧基含有至少1个乙烯基基团；所述加工方法为，将所述各原料组分混合、熔融混合均匀，挤出、流延成膜，双向拉伸，紫外光照射0.5
‑
10分钟。2.根据权利要求1所述的加工方法，所述聚乳酸的数均分子量不低于5万。3.根据权利要求1所述的加工方法，所述巯基化笼型聚倍半硅氧烷的结构通式为R
1a
R
2b
(SiO
1.5
)
n
，其中R1选自C1
‑
C6的烷基或非巯基的取代烷基，R2为3
‑
巯基丙基，0≤a≤6，a+b＝n，n＝6、8、10或12。4.根据权利要求1所述的加工方法，所述0...

【专利技术属性】
技术研发人员：高国惠，
申请(专利权)人：高国惠，
类型：发明
国别省市：