本发明专利技术提供了一种具有促进石斛株高生长能力的胶膜菌(Tulasnella sp.)菌株TP
【技术实现步骤摘要】
一株具有促进石斛株高生长能力的胶膜菌菌株TP
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3及其应用
[0001]本专利技术属于微生物
,具体涉及一种具有促进石斛株高生长能力的胶膜菌(Tulasnella sp.)菌株TP
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3及其应用。
技术介绍
[0002]铁皮石斛(Dendrobium officianle)被《道藏》誉为“中华九大仙草之首”,其化学成分多糖、生物碱、苷类、酚类和木质素等,已被确定具有调节免疫功能、抗氧化、抗肿瘤、降血糖、抗菌等多种药理作用。主要分布于我国湖南、云南、贵州、四川等喀斯特地形,喜温暖湿润气候,适宜在凉爽、湿润、空气畅通的半阴半阳的环境。自然条件下,其繁殖率低,生长周期长,由于过度采集,再加上生境破坏严重,导致野生资源极度匮乏。因此,如何以现有知识、资源、技术来保护恢复铁皮石斛种群,同时实现恢复友好栽培,满足消费需求成为难点。
[0003]目前,虽然已有大量关于促进种子萌发的共生真菌的报道,这些共生真菌能有效提高萌发率,但石斛的生长瓶颈在于萌发到幼苗阶段之间,种子萌发后无法实现幼苗建成。即使幼苗建成后,幼苗的质量影响后期生长,植株矮小瘦弱,易受外界阻力影响,不利于植株在自然环境中扎根生长。然而,从铁皮石斛幼苗分离获得的促进株高生长的真菌,能够解决这一问题。与促进株高生长的真菌形成共生的幼苗能够突破生长瓶颈,在自然环境中有较强的抵御能力,提高其存活率。有效真菌的获得目前多采用从兰科植物野生成年植株的根中分离,但由于成年植株中存在着大量作用未知的内生真菌,这使得促株高生长有效真菌的筛选和分离工作变得复杂而繁琐。因此,获得促进幼苗株高生长的有效共生真菌是开展铁皮石斛保护、恢复种群资源以及实现恢复友好栽培的关键环节。
技术实现思路
[0004]有鉴于此,本专利技术的目的在于提供一株胶膜菌菌株TP
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3,具有促进石斛株高生长能力,突破石斛幼苗生长瓶颈。
[0005]本专利技术提供了一种具有促进石斛株高生长能力的胶膜菌菌株 TP
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3,保藏编号为CCTCC NO:M 20211282。
[0006]优选的,所述胶膜菌菌株TP
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3的ITS序列如SEQ ID NO:1所示。
[0007]本专利技术提供了一种用于石斛栽培的产品,,包括所述胶膜菌菌株 TP
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3和可接受的辅料。
[0008]优选的,所述产品包括微生物菌剂和/或菌肥。
[0009]本专利技术提供了所述胶膜菌菌株TP
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3或所述产品在石斛生长中的应用。
[0010]优选的,所述石斛生长的指标包括以下一项或几项:石斛株高生长、幼苗叶片数增加、根系生长、茎粗的生长和幼苗的干重。
[0011]优选的,所述石斛包括铁皮石斛。
[0012]优选的,所述铁皮石斛包括铁皮石斛幼苗。
[0013]本专利技术提供了所述胶膜菌菌株TP
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3在制备促进石斛生长的产品中的应用。
[0014]本专利技术提供了一种促进石斛幼苗株高的方法,包括以下步骤:
[0015]将所述胶膜菌菌株TP
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3和石斛幼苗进行共生培养或将所述产品施用于石斛幼苗根部。
[0016]本专利技术提供的具有促进石斛株高生长能力的胶膜菌菌株TP
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3,保藏编号为CCTCC NO:M 20211282。所述胶膜菌菌株TP
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3是从铁皮石斛幼苗迁地诱导获得的形成共生关系的幼苗菌根中分离出来的,经形态鉴定、生理生化鉴定以及分子鉴定,得到TP
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3菌株属于胶膜菌(Tulasnella sp.)。与同批分离的同种或不同种菌株比,TP
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3菌株与铁皮石斛共生培养能够显著促进株高生长。与此同时,所述菌株 TP
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3还能促进石斛幼苗叶片、根系、生长,提高幼苗的干重。利用胶膜菌属真菌TP
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3将铁皮石斛幼苗菌根化,可获得适应性强,节茎粗壮、成活率高的共生幼苗,有望实现重建铁皮石斛种群,实现药用铁皮石斛高效栽培。
[0017]本专利技术还提供一种促进石斛幼苗株高生长的方法,工艺简单,操作容易,成本低,适于推广应用,在珍稀濒危兰科植物的回归保护、种群重建实践、药用兰科植物的生态栽培、解决铁皮石斛栽培产业的优质种苗来源瓶颈问题等方面都具有巨大的推广应用价值。
附图说明
[0018]图1为本专利技术提供的菌株TP
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3与铁皮石斛共生培养促进株高生长的形态图。
[0019]生物材料保藏信息
[0020]胶膜菌属真菌(Tulasnella sp.)TP
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3,于2021年10月15日保藏在中国典型培养物保藏中心(CCTCC),保藏地址:湖北省武汉市武昌区八一路武汉大学,保藏编号为:CCTCC NO:M 20211282。
具体实施方式
[0021]本专利技术提供了一种具有促进石斛株高生长能力的胶膜菌菌株 TP
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3,保藏编号为CCTCC NO:M 20211282。
[0022]在本专利技术中,所述胶膜菌菌株TP
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3是从铁皮石斛幼苗迁地诱导获得的形成共生关系的幼苗菌根中分离出来的。胶膜菌菌株TP
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3的形态特征:在PDA平板上培养10天,其菌落呈白色毯状,气生菌丝发达,规则圆形发散生长,菌落表面粗糙、干燥,有层次较明显的5 个同心圆。菌株TP
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3的生理生化特性:使用盖玻片插片培养法观察菌株显微形态特征,在25
±
2℃条件下培养箱内黑暗培养10天,光学显微镜下观察,菌丝粗2.69~5.75μm,分枝近直角,新菌丝着生于老菌丝顶部,具更明显隔膜,且隔膜数量更多,老菌丝细胞壁具有加厚现象,隔室长。经过ITS基因片段分子鉴定,所述胶膜菌菌株TP
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3 的ITS序列优选如SEQ ID NO:1所示,该菌株与真菌Tulasnella sp. (KM211335.1)最为相似,最大相似度达到99%。根据形态学、核苷酸序列结果表明,TP
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3属于胶膜菌属的一株真菌(Tulasnella sp.)。
[0023]在本专利技术中,所述胶膜菌菌株TP
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3的扩大培养方法,优选包括以下步骤:将胶膜菌菌株TP
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3接种在PDA培养基上,黑暗培养至真菌菌丝长满培养皿。所述黑暗培养的温度优选为23~27℃,更优选为 25℃。本专利技术对所述PDA培养基的种类不做特殊限制采用本领域所熟知的PDA培养基即可。所述黑暗培养优选在人工气候箱中进行。本专利技术对所述接种的方法和接种量没有特殊限制,采用本领域所熟知的接种方法和接种量即可。
[0024]在本专利技术中,开展了胶膜菌属真菌TP
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3菌株及同批分离筛选的菌株与铁皮石斛幼
苗共生实验,共生30d和90d后测定共生后的石斛幼苗的株高,结果表明,接种非菌根真本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有促进石斛株高生长能力的胶膜菌(Tulasnella sp.)菌株TP
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3,其特征在于,保藏编号为CCTCC NO:M 20211282。2.根据权利要求1所述胶膜菌菌株TP
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3,其特征在于,所述胶膜菌菌株TP
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3的ITS序列如SEQ ID NO:1所示。3.一种用于石斛栽培的产品,其特征在于,包括权利要求1或2所述胶膜菌菌株TP
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3和可接受的辅料。4.根据权利要求3所述产品,其特征在于,所述产品包括微生物菌剂和/或菌肥。5.权利要求1或2所述胶膜菌菌株TP
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3或权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:高江云,吴益花,陈德赟,陈香归,
申请(专利权)人:云南大学,
类型:发明
国别省市:
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