一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，包括陶瓷衬底层，所述陶瓷衬底层的顶部设置有覆盖层，且覆盖层上设置有绝缘层，并且绝缘层上铺设有薄膜层；还包括：透气孔，所述透气孔贯通开设于陶瓷衬底层的内部，且陶瓷衬底层的底部固定有金属底片；支撑条，所述支撑条固定于绝缘层的底部，且支撑条位于支撑槽内，并且支撑槽开设于覆盖层的顶部，而且支撑槽的底部放置有承压垫。该用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，通过陶瓷衬底层底部的金属底片配合耐磨头，增加陶瓷衬底层的耐磨性能，避免与电机接触安装时发生磨损，并配合透气孔提高陶瓷衬底层的散热效果，同时通过支撑条和承压垫进行承压缓冲，提高整体抗压性能。提高整体抗压性能。提高整体抗压性能。

【技术实现步骤摘要】
一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构


[0001]本技术涉及InSb磁敏器件
，具体为一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构。

技术介绍

[0002]InSb磁敏器件是半导体技术中用于各种功能仪器的器件，在InSb磁敏器件的使用中，包括电极、导线和InSb薄膜组成，其中InSb薄膜的使用尤为重要，但是现有的InSb薄膜材料结构在使用时存在以下问题：
[0003]InSb磁敏器件的安装，需要将InSb薄膜材料结构的底部放置在电极上进行打线操作，在加工时，容易发生磨损，现有的InSb薄膜材料结构，不方便提高耐磨性能，导致材料损失率较大，影响正常使用，同时由InSb薄膜材料结构组成的InSb磁敏器件，在安装和使用时容易受到外界压力，现有的InSb薄膜材料结构，不方便进行抗压保护，容易受压破损，影响使用寿命。
[0004]针对上述问题，急需在原有InSb薄膜材料结构的基础上进行创新设计。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，以解决上述
技术介绍
提出现有的InSb薄膜材料结构，不方便提高耐磨性能，同时不方便进行抗压保护的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，包括陶瓷衬底层，所述陶瓷衬底层的顶部设置有覆盖层，且覆盖层上设置有绝缘层，并且绝缘层上铺设有薄膜层；
[0007]还包括：
[0008]透气孔，所述透气孔贯通开设于陶瓷衬底层的内部，且陶瓷衬底层的底部固定有金属底片；
[0009]支撑条，所述支撑条固定于绝缘层的底部，且支撑条位于支撑槽内，并且支撑槽开设于覆盖层的顶部，而且支撑槽的底部放置有承压垫。
[0010]优选的，所述覆盖层和绝缘层分别采用Bi
‑
sb合金材料和二氧化锆材料，通过Bi
‑
sb合金材料实现对陶瓷衬底层进行覆盖，避免陶瓷衬底层出现掺杂效应，同时通过二氧化锆实现覆盖层和薄膜层的有效稳定绝缘。
[0011]优选的，所述透气孔等间距分布在陶瓷衬底层内，且透气孔的俯视截面呈蜿蜒状结构分布，透气孔的蜿蜒分布，增加透气面积，对陶瓷衬底层进行快速散热。
[0012]优选的，所述金属底片等间距分布在陶瓷衬底层的底部，且金属底片呈倒置的弧形结构设计，金属底片与电机接触，避免陶瓷衬底层摩擦受损。
[0013]优选的，所述金属底片的底部等角度设置有耐磨头，且耐磨头呈半球状结构设计，耐磨头可以增加金属底片的摩擦力。
[0014]优选的，所述支撑条等间距分布在绝缘层的底部，且支撑条的边侧与支撑槽之间凹凸配合，支撑条插入支撑槽内，增加绝缘层和覆盖层的接触面积，提高整体稳定性。
[0015]优选的，所述承压垫采用弧形结构的硅胶材料，且承压垫的顶部与支撑条底部弧面相贴合，承压垫受支撑条压力变形，对支撑条进行缓冲保护，进而对绝缘层和覆盖层进行缓冲保护。
[0016]与现有技术相比，本技术的有益效果是：通过陶瓷衬底层底部的金属底片配合耐磨头，增加陶瓷衬底层的耐磨性能，避免与电机接触安装时发生磨损，并配合透气孔提高陶瓷衬底层的散热效果，同时通过支撑条和承压垫进行承压缓冲，提高整体抗压性能，具体内容如下；
[0017]1.通过设置在陶瓷衬底层底部的金属底片，其呈倒置的弧形结构，在安装时，可以对电极片接触，避免陶瓷衬底层直接接触，减少摩擦，通过金属底片底部半球状结构的耐磨头增加金属底片的耐磨性能；
[0018]2.通过设置在绝缘层底部的支撑条，其插入支撑槽内，侧边与支撑槽凹凸配合，可以增加绝缘层和覆盖层的接触面积，提高稳定性，同时设置在支撑条底部的弧形结构承压垫，支撑条受力向下活动与承压垫接触，进行承压缓冲；
[0019]3.通过设置在陶瓷衬底层内的透气孔，其呈蜿蜒状结构等间距分布，可以增加陶瓷衬底层的透气面积，实现散热保护。
附图说明
[0020]图1为本技术正剖结构示意图；
[0021]图2为本技术金属底片立体结构示意图；
[0022]图3为本技术透气孔俯视剖面结构示意图；
[0023]图4为本技术图1中A处放大结构示意图；
[0024]图5为本技术支撑条立体结构示意图。
[0025]图中：1、陶瓷衬底层；2、覆盖层；3、绝缘层；4、薄膜层；5、透气孔；6、金属底片；61、耐磨头；7、支撑条；8、支撑槽；9、承压垫。
具体实施方式
[0026]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0027]请参阅图1
‑
5，本技术提供一种技术方案：一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，陶瓷衬底层1、覆盖层2、绝缘层3、薄膜层4、透气孔5、金属底片6、耐磨头61、支撑条7、支撑槽8和承压垫9；
[0028]包括陶瓷衬底层1，陶瓷衬底层1的顶部设置有覆盖层2，且覆盖层2上设置有绝缘层3，并且绝缘层3上铺设有薄膜层4；还包括：透气孔5，透气孔5贯通开设于陶瓷衬底层1的内部，且陶瓷衬底层1的底部固定有金属底片6；覆盖层2和绝缘层3分别采用Bi
‑
sb合金材料和二氧化锆材料，透气孔5等间距分布在陶瓷衬底层1内，且透气孔5的俯视截面呈蜿蜒状结
构分布，金属底片6等间距分布在陶瓷衬底层1的底部，且金属底片6呈倒置的弧形结构设计，金属底片6的底部等角度设置有耐磨头61，且耐磨头61呈半球状结构设计；
[0029]如图1
‑
3中，可以通过Bi
‑
sb合金材料的覆盖层2对陶瓷衬底层1进行覆盖遮挡，避免在薄膜层4成型时出现掺杂效应，同时通过二氧化锆材料的绝缘层3对覆盖层2和薄膜层4进行阻隔，在安装时，金属底片6和电机片接触，配合耐磨头61实现耐磨性能，同时电机片的热量传递至陶瓷衬底层1内时，通过透气孔5进行透气散热；
[0030]支撑条7，支撑条7固定于绝缘层3的底部，且支撑条7位于支撑槽8内，并且支撑槽8开设于覆盖层2的顶部，而且支撑槽8的底部放置有承压垫9，支撑条7等间距分布在绝缘层3的底部，且支撑条7的边侧与支撑槽8之间凹凸配合，承压垫9采用弧形结构的硅胶材料，且承压垫9的顶部与支撑条7底部弧面相贴合；
[0031]如图1和图4
‑
5中，在安装和使用时，受到外界压力，绝缘层3向支撑条7施压，支撑条7受力在支撑槽8内向下活动，并与承压垫9接触，通过承压垫9进行承压保护，有效避免受压损坏。
[0032]工作原理：在使用该用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构时，如图1
‑
5中，首先通过Bi
‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，包括陶瓷衬底层(1)，所述陶瓷衬底层(1)的顶部设置有覆盖层(2)，且覆盖层(2)上设置有绝缘层(3)，并且绝缘层(3)上铺设有薄膜层(4)；其特征在于：还包括：透气孔(5)，所述透气孔(5)贯通开设于陶瓷衬底层(1)的内部，且陶瓷衬底层(1)的底部固定有金属底片(6)；支撑条(7)，所述支撑条(7)固定于绝缘层(3)的底部，且支撑条(7)位于支撑槽(8)内，并且支撑槽(8)开设于覆盖层(2)的顶部，而且支撑槽(8)的底部放置有承压垫(9)。2.根据权利要求1所述的一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，其特征在于：所述覆盖层(2)和绝缘层(3)分别采用Bi
‑
sb合金材料和二氧化锆材料。3.根据权利要求1所述的一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，其特征在于：所述透气孔(5...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡苹，
申请(专利权)人：惠州学院，
类型：新型
国别省市：